PMOS管驱动电路的制作方法

pmos管驱动电路
技术领域
1.本公开一般涉及pmos管电路技术领域，尤其涉及一种pmos管驱动电路。


背景技术：

2.mosfet因导通内阻低、开关速度快等优点已成为电子产品生产中不可或缺的重要元器件，在手机、笔记本电脑、蓝牙耳机、移动电源等都有mos管的身影。然而，对一个mosfet而言，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响mosfet的开关性能。
3.目前一般的pmos管的驱动电路多采用的是三极管控制的电阻分压的方式，由于pmos管的驱动电压vgs与电源电压有关，所以这种驱动电路的控制方式如果遇到电源电压变化比较大的情况，驱动电压vgs就会受到电源电压的影响。若电源电压低时，驱动电压vgs会随之减小，可能会导致mos管的开关功能失效；若电源电压高时，驱动电压vgs随之增大，可能会超过mos管的vgs安全电压，增加回路功耗等问题，导致pmos管的使用场景大大受限。
4.因此，现有技术需要改进。


技术实现要素：

5.鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种pmos管驱动电路，能够符合现有对pmos管的需求。
6.基于本实用新型实施例的一个方面，本技术实施例提供了一种pmos管驱动电路，包括：
7.第一电源、第二电源、第三电源、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、pmos管、三极管；
8.所述第一电源与所述pmos管的源极、第一电阻的一端相连接；
9.所述第二电源与所述pmos管的漏极连接；
10.所述第一电阻的另一端与所述pmos管的栅极、第二电阻的一端相连接；
11.所述第二电阻的另一端与所述三极管的集电极连接；
12.所述第三电源与所述三极管的基极、第三电阻的一端相连接；
13.所述三极管的发射极与所述第四电阻的一端相连接；
14.所述第三电阻的另一端、第四电阻的另一端接地。
15.在另一个实施例中，所述第一电源为可变电压电源。
16.在本技术实施例中，能够实现pmos管的驱动电压vgs不受电源电压控制的功能，同时在保证驱动电阻小的情况下也考虑到驱动回路功耗的问题，减小驱动电阻的同时降低了驱动回路的功耗，大大增强了mos管驱动电路的功能稳定性，电路结构也简单，在增强mos管驱动电路功能稳定的前提下降低生产成本。
附图说明
17.构成说明书的一部分的附图描述了本实用新型的实施例，并且连同描述一起用于
解释本实用新型的原理。
18.参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本实用新型，其中：
19.图1为本实用新型一个实施例的pmos管驱动电路的结构示意图。
具体实施方式
20.现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。
21.同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。
22.以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。
23.对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
24.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
25.如图1所示，所述pmos管驱动电路包括：
26.第一电源b 、第二电源vs、第三电源vcc、第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、第四电阻r4、pmos管m1、三极管q1；
27.所述第一电源b 与所述pmos管m1的源极、第一电阻r1的一端相连接；
28.所述第二电源vs与所述pmos管m1的漏极连接；
29.所述第一电阻r1的另一端与所述pmos管m1的栅极、第二电阻r2的一端相连接；
30.所述第二电阻r2的另一端与所述三极管q1的集电极连接；
31.所述第三电源vcc与所述三极管q1的基极、第三电阻r3的一端相连接；
32.所述三极管q1的发射极与所述第四电阻r4的一端相连接；
33.所述第三电阻r3的另一端、第四电阻r4的另一端接地。
34.具体的，所述第一电源b 为可变电压电源。
35.在实际的应用中，所述第三电源vcc为高电平时，所述三极管q1的集电极与发射极导通，所述第一电源b 的电压依次经过所述第一电阻r1、第二电阻r2、三极管q1、第四电阻r4和接地后形成回路，此时，所述第一电阻r1两端的电压为所述pmos管m1的驱动电压。
36.具体的，所述三极管q1的发射极与所述第四电阻r4的一端连接，构成电流负反馈，形成所述三极管q1的射极跟随电流；
37.所述三极管q1的集电极电流为：
38.i
c
≈(vcc
‑
v
be(on)
)/r4；
39.式中，vcc为第三电源vcc电压，v
be(on)
为三极管q1的基极、发射极导通电压；
40.所述pmos管m1的驱动电压为：
41.vgs＝r1*i
c
；
42.式中，r1为第一电阻r1，i
c
为三极管q1的集电极电流。
43.具体的，通过上式可知，pmos管m1的驱动电压vgs与第一电源b 无关，pmos管m1的
驱动电压vgs不受第一电源b 的影响；
44.具体的，整个pmos管m1的驱动回路中的总功耗i＝ic。由于ic与第三电源vcc和第四电阻r4相关，在第三电源vcc恒定的情况下，通过控制第四电阻r4的阻值大小，能够达到控制整个驱动电路功耗的目的，同时调节第一电阻r1、第四电阻r4的阻值比例控制pmos管m1的驱动电压vgs的大小。在一个具体的实施例中，例如，若第三电源vcc＝3.3v，第四电阻r4阻值为100k，那么ic＝30ua，此时若将第一电阻r1设置为200k，则pmos管m1的驱动电压vgs＝6v，且在此基础上，只需将第一电源b 控制在10v以上，便可满足pmos管m1的驱动电压vgs不受电第一电源b 变化的需求，另外整条驱动回路只有30ua电流，且pmos管m1的驱动电阻也只有100k，不用担心由于pmos管m1、三极管q1的漏电流导致pmos管m1误操作的可能，使用起来更加稳定可靠。
45.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
46.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。