1.本实用新型涉及晶片持取装置的供气装置。
背景技术：
2.目前外延设备，晶片持取有多种方式：背面持取，正面接触式持取，正面非接触式持取。正面非接触式持取是依靠取片器的气流，将晶片(吹)起来的，这样就需要一个取片管路过滤装置使取片管路装置打开时气流稳定，在新的取片管路装置过滤时减少颗粒产生。
3.外延设备在生产外延晶片的过程中整个反应腔体都是在真空的状态下，晶片的装载必须依靠晶片持取装置来将晶片放入反应腔体中。但由于晶片在持取的过程中，有一路氮气一直从取片管路装置吹向晶片传送腔，在这个过程中就会出现晶片表面颗粒问题，这样就需要改善取片管路装置配置，降低晶片表面颗粒概率。
技术实现要素：
4.本实用新型的主要目的在于提供一种能够在持取过程中保证晶片表面整洁的供气机构。
5.为了实现上述目的，本实用新型提供一种晶片持取装置的供气装置，包括供气管道，其中，
6.供气管道的末端具有第一直管段，持取用气经第一直管段进入晶片持取装置，
7.第一过滤器，设置于第一直管段上，用于过滤经过的持取用气，
8.外界管道与供气管道的连接位置设置在供气管道上除第一直管段外的其他位置上。
9.在一些实施例中，外界管道包括反应腔的吹扫管道，供气管道上与吹扫管道连接的位置上游设置有第二过滤器。
10.在一些实施例中，吹扫管道上设置有泄压阀。
11.在一些实施例中，包括用于测量流量的第二直管段，第二直管段上设置有流量检测机构。
12.在一些实施例中，供气管道上设置有压力调节机构。
13.在一些实施例中，供气管道上位于压力调节机构设置位置的上游位置设置有第三过滤器。
14.在一些实施例中，供气管道上设置有控制阀。
15.本实用新型的供气装置能够保证在晶片的持取过程中始终保持整洁，并且同时保证了持取用气能够进行正常持取，不会由于供气管道还连接着其他外界管道而影响持取用气的洁净程度，有效的防止了晶片的污染，该结构的供气装置还具有改造施工简单的优点。
附图说明
16.图1为供气装置的局部结构示意图。
17.图中：100.供气管道，101.第一直管段，102.第一过滤器，103.吹扫管道，104.泄压阀，105.第二过滤器，106.第二直管段，107.流量检测机构，108.压力调节机构，109.第三过滤器，110.控制阀，200.晶片持取装置。
具体实施方式
18.下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步说明。
19.本实施例的晶片持取装置200的供气装置如图1所示，包括供气管道100，其中，供气管道100的末端具有第一直管段101，持取用气经第一直管段101进入晶片持取装置200，第一直管段101上设置有第一过滤器102，第一过滤器102用于过滤经过的持取用气，外界管道与供气管道100的连接位置设置在供气管道100上除第一直管段101外的其他位置上。由于外界的管道被统一设置在了供气管道100上除第一直管段101外的其他位置上，并共同经由第一直管段101的过滤器过滤，第一直管段101能够减少气体压力的损失，从而保证在晶片持取的过程中一方面不会由于持取用气中存在颗粒而造成晶片表面受污染，另一方面也能够保证持取用气的压力，保证持取时镜片的稳定性。
20.上述所述的外界管道包括反应腔的吹扫管道103，在反应腔上一般具有与供气管道100连接的吹扫管道103，吹扫管道103上设置有泄压阀104，在实际使用中，吹扫用的氮气会从吹扫管道103进入至供气管道100，吹扫用气中会携带反应腔中的反应颗粒，这是造成吹扫用气中含有固体颗粒的原因之一。另一方面，吹扫用气会反向进入供气管道100的上游，通过在供气管道100上与吹扫管道103连接的位置上游设置第二过滤器105，可以有效的防止吹扫用气反向进入供气管道100上游。吹扫用气一般采用氮气。
21.在供气管道100上海包括用于测量流量的第二直管段106，第二直管段106上设置有流量检测机构107。第二直管段106与流量监测机构相互配合能够准确的测出持取用气的流量，流量监测机构均为现有的仪表设备，如流量计、文丘里管流量检测仪等等。
22.在供气管道100上还设置有压力调节机构108，压力调节机构108也采用现有设备，如本实施例中为压力传感器和电磁阀共同控制，其控制方式是常规的，通过压力传感器检测到的压力值调整电磁阀的开度，以实现压力的调节。
23.供气管道100上位于压力调节机构108设置位置的上游位置设置有第三过滤器109。设置第三过滤器109能够方式杂质颗粒进入压力调节机构108，更好的保护压力调节机构108。
24.供气管道100上设置有控制阀110。控制阀110在进行晶片持取操作时打开，从而为晶片持取装置200提供持取用气。
25.在进行晶片持取操作时，打开控制阀110，通过压力调节机构108进行调压后与进入第一直管段101的第一过滤器102中进行过滤，去除持取用气中的杂质颗粒，然后持取用气进入晶片持取装置200进行晶片的持取。
26.本实用新型中的实施例仅用于对本实用新型进行说明，并不构成对权利要求范围的限制，本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本实用新型保护范围内。
技术特征：
1.一种晶片持取装置的供气装置，包括供气管道，其特征在于供气管道的末端具有第一直管段，持取用气经第一直管段进入晶片持取装置，第一过滤器，设置于第一直管段上，用于过滤经过的持取用气，外界管道与供气管道的连接位置设置在供气管道上除第一直管段外的其他位置上。2.如权利要求1所述的晶片持取装置的供气装置，其特征在于外界管道包括反应腔的吹扫管道，供气管道上与吹扫管道连接的位置上游设置有第二过滤器。3.如权利要求1所述的晶片持取装置的供气装置，其特征在于吹扫管道上设置有泄压阀。4.如权利要求1所述的晶片持取装置的供气装置，其特征在于包括用于测量流量的第二直管段，第二直管段上设置有流量检测机构。5.如权利要求1所述的晶片持取装置的供气装置，其特征在于供气管道上设置有压力调节机构。6.如权利要求4所述的晶片持取装置的供气装置，其特征在于供气管道上位于压力调节机构设置位置的上游位置设置有第三过滤器。7.如权利要求4所述的晶片持取装置的供气装置，其特征在于供气管道上设置有控制阀。
技术总结
本实用新型涉及晶片持取装置的供气装置，包括供气管道，其中，供气管道的末端具有第一直管段，持取用气经第一直管段进入晶片持取装置，第一过滤器，设置于第一直管段上，用于过滤经过的持取用气，外界管道与供气管道的连接位置设置在供气管道上除第一直管段外的其他位置上。本实用新型的供气装置能够保证在晶片的持取过程中始终保持整洁，并且同时保证了持取用气能够进行正常持取，不会由于供气管道还连接着其他外界管道而影响持取用气的洁净程度，有效的防止了晶片的污染，该结构的供气装置还具有改造施工简单的优点。具有改造施工简单的优点。具有改造施工简单的优点。
技术研发人员：何航 张文 顾广安
受保护的技术使用者：上海晶盟硅材料有限公司
技术研发日：2021.05.20
技术公布日：2021/12/14
再多了解一些
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