一种基于AZO薄膜的阻变存储器及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种基于azo薄膜的阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器为叠层结构，包括依次排列的阻变层和衬底，其中所述阻变层上设置有顶电极：所述衬底设置有底电极；其中，所述衬底为p
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si基片，所述阻变层为氧化锌掺铝(azo)薄膜。2.根据权利要求1所述的基于azo薄膜的阻变存储器，其特征在于，所述azo薄膜的厚度为40～60nm。3.根据权利要求1所述的基于azo薄膜的阻变存储器，其特征在于，所述顶电极包括au、al、ag、w、ti、tin或pt中的至少一种。4.根据权利要求1所述的基于azo薄膜的阻变存储器，其特征在于，所述底电极包括au、al、tin或pt的任一种。5.一种基于azo薄膜的阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：步骤s1：对azo陶瓷靶材表面进行预处理；步骤s2：用hf稀溶液将p
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si基片表面生成的sio2层去除，然后用无水乙醇超声清洗，待表面干燥后，将基片固定在托盘上；步骤s3：采用一内有腔体的溅射镀膜反应室，利用分子泵将腔体内压强抽至10
‑2pa以下后，向腔体内通入ar和o2，调节腔体内真空度在4.5～5.5pa，并进行预热；步骤s4：准备起辉，调节功率，保持电压在0.5～0.8kv且电流在280～320ma时进行预溅射清洗，去除靶材表面的杂质，然后移开挡板开始磁控溅射沉积azo薄膜；步骤s5：溅射结束后，按程序关闭设备电源，取出沉积了azo薄膜的p
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si基片；步骤s6：将溅射好的azo薄膜放入快速退火炉中，在空气气氛中进行退火处理；步骤s7：常温下，将制备好的azo薄膜放在带有φ0.05mm圆孔阵列的金属掩模板下，通过磁控溅射法在薄膜和衬底表面分别镀一层金属au点电极，即制得基于azo薄膜的阻变存储器。6.根据权利要求5所述的基于azo薄膜的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述对azo陶瓷靶材表面进行预处理包括用砂纸擦拭azo陶瓷靶材表面的杂质，然后用无水乙醇将靶材清洗干净；其中，所述azo靶材中铝的含量为10％。7.根据权利要求5所述的基于azo薄膜的阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤s3中所述ar：o2的气体流量比为40:10；所述ar和o2均为高纯度气体，气体在进入真空腔体内之前混合或者分别进入真空腔体内后混合。8.根据权利要求5所述的基于azo薄膜的阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤s3中所述预热的时间为5～8min。9.根据权利要求5所述的基于azo薄膜的阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤s4中所述预溅射的时间为10～15min，磁控溅射的时间为10～20min。10.根据权利要求5所述的基于azo薄膜的阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤s4中所述预溅射和磁控溅射时靶基距为70mm。11.根据权利要求5所述的基于azo薄膜的阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤s6中所述退火温度为700℃，退火时间为15min。

技术总结
本发明属于微电子技术领域，公开了一种基于氧化锌掺铝(AZO)薄膜的阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器为叠层结构，包括依次排列的阻变层和衬底，其中所述阻变层上设置有顶电极：所述衬底设置有底电极；其中，所述衬底为p


技术研发人员：卢晓玲 郭晓斌 苏枫超 苏峥 邱文海
受保护的技术使用者：广东工业大学
技术研发日：2021.09.14
技术公布日：2021/12/14