金属凸点及其制造方法和使用方法与流程

1.本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种金属凸点及其制造方法和使用方法。


背景技术：

2.近年来，集成电路在继续保持摩尔定律而不断减小器件的特征尺寸、提高芯片的集成度的同时，发展出利用插入层集成和三维集成等异质集成方法。异质集成方法在不限定制造工艺的前提下，可以将多芯片以平面或立体堆叠的方式集成，实现功能更多、性能更强的集成系统，满足不断发展的需求。为了将芯片与插入层集成或者将多芯片堆叠集成，芯片间需要采用键合的方式，通过金属凸点键合实现相邻两层芯片之间的电学互连；在金属键合以外的区域，通过介质层键合增强两层芯片之间的结合强度并提高芯片间的散热能力。金属凸点的密度和数量决定了两层芯片之间的电学互连密度，因此，为了提高芯片间数据传输速率，需要直径小、密度高的金属键合。
3.现有技术中金属键合方式主要包括：固态金属键合与液态金属键合两类。
4.固态金属键合方式：将两个表面极为光滑的金属凸点接触后，施加一定的键合压力和键合温度，在高温下使金属晶粒扩散并长大，相互穿过键合界面而形成为一体，如铜
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铜键合、金
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金键合和铝
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铝键合等。固态金属键合方式的优点是键合过程中金属为固态，键合时金属之间没有位置的相对滑移，也没有液态金属在键合压力下被挤压而产生横向扩展，因此可以实现小直径、高密度、高对准精度的键合。但是，为了使金属晶粒能够充分接触、快速扩展和长大，键合前必须采用化学机械抛光(cmp)对金属表面进行平整化，使其表面粗糙度(ra值)减小到1nm甚至更小，而cmp过程复杂、清洗难度大、制造成本高。
5.液态金属键合方式主要为固液互扩散键合，这种键合方法利用低熔点金属作为中间层金属，连接两侧高熔点金属构成的金属凸点进行键合，键合时中间层金属熔化，与两侧的金属凸点之间进行化学反应，生成金属间化合物而实现键合。由于中间层金属熔化为液态而具有变形能力，能够保证键合界面的充分接触，并在一定程度上适应金属凸点高度和芯片厚度的非均匀性，因此不需要cmp，制造过程简单、成本低。但是，键合过程中的中间层金属熔化后，液态金属在键合压力的作用下会发生横向扩展，同时还会导致键合过程中的凸点相对滑移，这两点限制了凸点的直径和对准精度，因此难以实现高密度的金属键合。此外，键合后高熔点金属与低熔点金属形成了金属间的化合物，多数情况下金属间化合物脆性很强，并带有较多的缺陷、夹渣、及空洞，影响键合界面的长期可靠性。


技术实现要素：

6.针对现有技术存在的问题，本发明提供一种金属凸点及其制造方法和使用方法。
7.本发明提供一种金属凸点的制造方法，包括：
8.在第一衬底表面制造第一金属薄膜并图形化，形成第一金属层；在所述第一金属层表面制造第二金属薄膜并图形化，形成第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层形成层叠的金属凸点；所述第一金属的熔点高于所述第二金属的熔点；
9.加热所述层叠的金属凸点，使所述第二金属层熔化且保持所述第一金属层未熔化，所述第一金属层表面向熔化后的第二金属层内扩散，进入所述熔化后的第二金属层内的所述第一金属形成不规则结构；
10.采用流动的气体吹扫加热后的所述层叠的金属凸点，使所述熔化后的第二金属层挥发，制成由所述第一金属层构成的金属凸点，其中，所述第一金属层全部厚度为基于所述不规则结构的多孔状结构，或所述第一金属层部分厚度为基于所述不规则结构的多孔状结构。
11.根据本发明提供的一种金属凸点的制造方法，所述在第一衬底表面制造第一金属薄膜并图形化，形成第一金属层；在所述第一金属层表面制造第二金属薄膜并图形化，形成第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层形成层叠的金属凸点，包括：
12.在所述第一衬底表面沉积第一种子层；
13.在所述第一种子层表面沉积第一模具层，及在所述第一模具层上开设第一通孔；
14.在所述第一通孔内依次沉积所述第一金属和所述第二金属，分别形成所述第一金属层和所述第二金属层；所述第二金属层覆盖所述第一金属层；
15.去除所述第一模具层，及去除所述第一种子层未被所述第一金属层覆盖的区域，形成所述层叠的金属凸点。
16.根据本发明提供的一种金属凸点的制造方法，所述采用流动的气体吹扫加热后的所述层叠的金属凸点，使所述熔化后的第二金属层挥发，包括：
17.采用流动的气体吹扫加热后的所述层叠的金属凸点，并控制所述气体的流速和吹扫时间，以控制所述熔化后的第二金属层的挥发程度，使所述第一金属层的所述多孔状结构内壁表面覆盖有不超过预设阈值的所述第二金属。
18.根据本发明提供的一种金属凸点的制造方法，所述第一金属的材料包括：铜；所述第二金属的材料包括：锡或银锡合金。
19.根据本发明提供的一种金属凸点的制造方法，所述气体包括：氮气、氮气与氢气的混合气体、或弱酸性气体。
20.本发明提供一种使用如上所述的金属凸点的制造方法制造的金属凸点，包括：第一衬底、第一种子层、第一金属层；所述第一种子层沉积于所述第一衬底表面，所述第一金属层沉积于所述第一种子层表面；
21.所述第一金属层全部厚度为基于不规则结构的多孔状结构，或所述第一金属层部分厚度为基于所述不规则结构的多孔状结构。
22.根据本发明提供的一种金属凸点，所述第一金属层的所述多孔状结构内壁表面覆盖有不超过预设阈值的第二金属；所述第一金属的熔点高于所述第二金属的熔点。
23.根据本发明提供的一种金属凸点，所述第一金属的材料包括：铜；所述第二金属的材料包括：锡或银锡合金。
24.本发明提供的一种使用如上所述的金属凸点进行金属键合的方法，包括：
25.获取如如上所述的沉积于第一衬底表面的金属凸点；所述沉积于第一衬底表面的金属凸点的第一金属层全部厚度为基于不规则结构的多孔状结构，或所述第一金属层部分厚度为基于所述不规则结构的多孔状结构；
26.获取沉积于第二衬底表面的待键合金属凸点；
27.将所述第二衬底表面的待键合金属凸点与所述第一衬底表面的金属凸点对准并接触；
28.对所述第一衬底和所述第二衬底加热并施加键合压力，使所述第一衬底表面的金属凸点的第一金属层对应的多孔状结构被挤压变形，使所述第一衬底表面的金属凸点与所述第二衬底表面的待键合金属凸点紧密键合。
29.本发明提供的金属凸点及其制造方法和使用方法，通过使金属凸点的第一金属层表面形成不规则的多孔状结构，由于多孔状结构强度较低，在后续的键合过程中能够在较低的键合压力的作用下产生变形，补偿由于金属凸点的高度差异和芯片的厚度非均匀性导致的金属凸点无法接触的问题，从而在不需要cmp的情况下实现固态金属键合，并且不规则的多孔状结构可以有效地防止在键合压力下液态低熔点金属流动的问题，克服金属键合时中间层金属横向扩展的不足，实现小直径和高密度的金属凸点键合，无需化学机械抛光对金属凸点表面平整化，简化制造流程，降低制造成本。
附图说明
30.为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
31.图1是本发明提供的金属凸点的结构示意图；
32.图2是本发明提供的制造用于金属键合的金属凸点的方法的流程示意图；
33.图3是本发明提供的在第一衬底表面沉积第一种子层和第一模具层并开设第一通孔后的结构示意图；
34.图4是本发明提供的在第一通孔内沉积第一金属后的结构示意图；
35.图5是本发明提供的在第一通孔内第一金属层上沉积第二金属后的结构示意图；
36.图6是本发明提供的层叠的金属凸点的结构示意图；
37.图7是本发明提供的使用金属凸点进行金属键合的方法的流程示意图；
38.图8是本发明提供的沉积于第二衬底表面的待键合金属凸点的结构示意图之一；
39.图9是本发明提供的第一衬底与第二衬底的金属凸点对准的示意图之一；
40.图10是本发明提供的第一衬底与第二衬底的金属凸点键合后的结构示意图之一；
41.图11是本发明提供的沉积于第二衬底表面的待键合金属凸点的结构示意图之二；
42.图12是本发明提供的第一衬底与第二衬底的金属凸点对准示意图之二；
43.图13是本发明提供的第一衬底与第二衬底的金属凸点键合后的结构示意图之二。
具体实施方式
44.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
45.下面结合图1描述本发明的金属凸点的结构。
46.图1是本发明提供的金属凸点的结构示意图，如图1所示，用于金属键合的金属凸点包括：第一衬底100、第一种子层101、第一金属层102；其中：
47.所述第一种子层101沉积于所述第一衬底100表面，所述第一金属层102沉积于所述第一种子层101表面；
48.所述第一金属层102全部厚度为基于不规则结构的多孔状结构103，或所述第一金属层102部分厚度为基于不规则结构的多孔状结构103。
49.可选地，所述第一衬底100的类型可以包括：芯片、圆片或晶圆。本发明提供的金属凸点具体为用于晶圆级金属键合或芯片级金属键合的金属凸点。
50.可选地，所述第一金属层102的所述多孔状结构103内壁表面覆盖有不超过预设阈值的第二金属；所述第一金属的熔点高于所述第二金属的熔点。
51.可选地，所述第一金属的材料可以包括：铜。所述多孔状结构103是第一金属层102的一部分，由第一金属构成的，并且多孔状结构易于变形。
52.本发明提供的用于金属键合的金属凸点，通过使金属凸点的第一金属层表面形成不规则的多孔状结构，由于多孔状结构强度较低，在后续的键合过程中能够在较低的键合压力的作用下产生变形，补偿由于金属凸点的高度差异和芯片的厚度非均匀性导致的金属凸点无法接触的问题，从而在不需要cmp的情况下实现固态金属键合，并且不规则的多孔状结构可以有效地防止在键合压力下液态低熔点金属流动的问题，克服金属键合时中间层金属横向扩展的不足，实现小直径和高密度的金属凸点键合，无需化学机械抛光对金属凸点表面平整化，简化制造流程，降低制造成本。
53.下面对本发明提供的金属凸点的制造方法进行描述，本发明提供的金属凸点的制造方法可以用于制造上述实施例所述的金属凸点；下文描述的制造方法与上文描述的金属凸点的结构可相互对应参照。
54.图2是本发明提供的金属凸点的制造方法的流程示意图；如图2所示，本发明提供的金属凸点的制造方法，包括：
55.步骤210，在第一衬底表面制造第一金属薄膜并图形化，形成第一金属层；在第一金属层表面制造第二金属薄膜并图形化，形成第二金属层，第一金属层与第二金属层形成层叠的金属凸点；第一金属的熔点高于第二金属的熔点。
56.可选的，步骤210的实现方式可以包括：
57.步骤一，在第一衬底表面沉积第一种子层。
58.步骤二，在第一种子层表面沉积第一模具层，及在第一模具层上开设第一通孔。
59.具体地，图3是本发明提供的在第一衬底表面沉积第一种子层和第一模具层并开设第一通孔后的结构示意图。参见图3，衬底100可以是采用标准集成电路工艺和/或微加工技术制造的电路和/或微传感器芯片，也可以是其他包含任意合理结构的芯片，也可以是圆片或晶圆，本发明不对第一衬底100构成任何约束。第一种子层101为铜或其他导电金属，可以采用溅射等常规方法沉积在第一衬底100表面。在第一种子层101表面沉积第一模具层110，第一模具层110通常是可以通过光刻和刻蚀进行图形化的高分子材料，例如光刻胶、苯并环丁烯、聚酰亚胺等，或固体干膜高分子材料。光刻胶等液态前驱体采用悬涂的方式涂覆在第一种子层101表面，加热固化；干膜高分子采用膜压的方法压粘在第一种子层101表面。采用光刻或者反应离子刻蚀等方式，在第一模具层110上形成第一通孔，以将第一种子层
101暴露出来。
60.步骤三，在第一通孔内依次沉积第一金属和第二金属，分别形成第一金属层和第二金属层；第一金属的熔点高于第二金属的熔点。
61.具体地，图4是本发明提供的在第一通孔内沉积第一金属后的结构示意图。以所述第一金属的材料为铜，第一金属层为铜柱为例，参见图4，在第一衬底100表面的第一模具层110的第一通孔内电镀铜柱，以第一种子层101为电极，采用常规电镀方法，在第一种子层101表面上沉积铜柱102，铜柱102的横向形状受到第一模具层110的第一通孔的限制，厚度(即高度)由电镀时间决定，电镀后铜柱102的厚度低于第一模具层110的厚度。图5是本发明提供的在第一通孔内第一金属层上沉积第二金属后的结构示意图。以第二金属的材料为锡，第二金属层为锡层为例，参见图5，以第一种子层101和铜柱102为电极，采用常规电镀方法，在铜柱102表面电镀形成锡层109。电镀后锡层109的厚度由电镀时间决定，电镀后锡层109的厚度小于铜柱102的厚度。
62.步骤四，去除第一模具层，及去除第一种子层中未被第一金属层覆盖的区域，形成层叠的金属凸点。
63.具体地，图6是本发明提供的层叠的金属凸点的结构示意图。参见图6，根据第一模具层110的材料不同，可以采用湿法刻蚀或者干法刻蚀去除第一模具层110，然后采用湿法刻蚀去除电镀第一种子层101，将未被层叠的金属凸点覆盖的第一种子层全部去除，在第一衬底表面形成由铜柱102和锡层109构成的金属凸点。
64.步骤220，加热层叠的金属凸点，使第二金属层熔化且保持第一金属层未熔化，第一金属层表面向熔化后的第二金属层内扩散，进入熔化后的第二金属层内的第一金属形成不规则结构。
65.步骤230，采用流动的气体吹扫加热后的层叠的金属凸点，使熔化后的第二金属层挥发，制成由第一金属层构成的金属凸点，其中，第一金属层全部厚度为基于不规则结构的多孔状结构，或第一金属层部分厚度为基于不规则结构的多孔状结构。
66.可选地，所述气体包括：氮气、氮气与氢气的混合气体、或弱酸性气体。所述气体中还包括：氧气。在图6示出的层叠的金属凸点的结构基础上，在回流气体如氮气环境中，将第一衬底加热，使锡层109熔化但保持铜102未熔化，常规的回流温度设置为锡的熔点以上约20℃～30℃；锡层109熔化后，铜柱102接触锡层109的表面的铜迅速向液态的锡层109中扩散，在液态的锡层109中形成不规则的多孔状结构103；随后立即增加回流气体流速，使回流气体高速流动吹扫层叠的金属凸点，将液态的锡层109挥发去除。液态的锡层109被去除后，扩散进入液态的锡层109的那部分固态铜在铜柱102表面形成多孔状结构103，从而制备得到的由所述第一金属构成的、表面具有所述多孔状结构的金属凸点，具体结构参见图1。可选的，可以通过控制回流的加热温度、加热速度、加热时间、回流气体的流动速度、回流气体的组分等参数，控制多孔状结构103的形状和孔隙度，如形成孔隙度较大的树枝状结构或孔隙度较小的海绵状结构。由于高速气流流过层叠的金属凸点时会降低金属凸点的温度，为防止液态的锡层109凝固为固态，施加高速气流时应根据气流流速适当提高回流的加热温度。
67.可选的，所述采用流动的气体吹扫加热后的所述层叠的金属凸点，使所述熔化后的第二金属层挥发，包括：采用流动的气体吹扫加热后的所述层叠的金属凸点，并控制所述
气体的流速和吹扫时间，以控制所述熔化后的第二金属层的挥发程度，使所述第一金属层的所述多孔状结构内壁表面覆盖有不超过预设阈值的所述第二金属。例如，如果采用较短的回流时间和较低流速的回流气流，那么回流后第一衬底表面的铜柱所形成的多孔状结构103表面可能仍残存少量的锡；锡的残余量由回流时间和保护气流流速决定，回流时间越短、气流流速越低，残余的锡的量越多。
68.本发明提供的金属凸点的制造方法，通过加热所述层叠的金属凸点，使所述第一金属层表面向熔化后的所述第二金属层内扩散，形成不规则的多孔状结构，而采用流动的回流气体吹扫加热后的所述层叠的金属凸点，使所述熔化后的所述第二金属层挥发，制造得到由所述第一金属构成的、表面具有所述多孔状结构的金属凸点，由于多孔状结构强度较低，在后续的键合过程中能够在较低的键合压力的作用下产生变形，补偿由于金属凸点的高度差异和芯片的厚度非均匀性导致的金属凸点无法接触的问题，从而在不需要cmp的情况下实现固态金属键合，并且不规则的多孔状结构可以有效地防止在键合压力下液态低熔点金属流动的问题，克服金属键合时中间层金属横向扩展的不足，实现小直径和高密度的金属凸点键合，无需化学机械抛光对金属凸点表面平整化，简化制造流程，降低制造成本。
69.基于上述实施例，控制所述气体的流速和吹扫时间，以控制所述熔化后的所述第二金属层的挥发程度，使所述第一金属层表面所具有的所述多孔状结构内壁表面上覆盖有不超过预设阈值的第二金属。
70.具体地，采用较短的吹扫时间和较低流速的回流气体，使得回流后第一衬底表面的铜柱所形成的多孔状结构内壁表面面仍残存少量的锡；锡的残余量由吹扫时间和气体流速决定，吹扫时间越短、气体流速越低，残余的锡的量越多。
71.下面对本发明提供的使用上述实施例所述的金属凸点进行金属键合的方法进行描述，下文描述的使用方法与上文描述的金属凸点的结构可相互对应参照。
72.图7是本发明提供的使用金属凸点进行金属键合的方法的流程示意图；如图7所示，本发明提供的使用金属凸点进行金属键合的方法，包括：
73.步骤710，获取沉积于第一衬底表面的金属凸点；沉积于第一衬底表面的金属凸点的第一金属层全部厚度为基于不规则结构的多孔状结构，或第一金属层部分厚度为基于不规则结构的多孔状结构。
74.步骤720，获取沉积于第二衬底表面的待键合金属凸点。
75.步骤730，将第二衬底表面的待键合金属凸点与第一衬底表面的金属凸点对准并接触。
76.步骤740，对第一衬底和第二衬底加热并施加键合压力，使第一衬底表面的金属凸点表面的的第一金属层对应的多孔状结构被挤压变形，使第一衬底表面的金属凸点与第二衬底表面的待键合金属凸点紧密键合。
77.本发明提供的使用金属凸点进行金属键合的方法，由于多孔状结构强度较低，在键合过程中能够在较低的键合压力的作用下产生变形，补偿由于金属凸点的高度差异和芯片的厚度非均匀性导致的金属凸点无法接触的问题，从而在不需要cmp的情况下实现固态金属键合，并且不规则的多孔状结构可以有效地防止在键合压力下液态低熔点金属流动的问题，克服金属键合时中间层金属横向扩展的不足，实现小直径和高密度的金属凸点键合，
无需化学机械抛光对金属凸点表面平整化，简化制造流程，降低制造成本。
78.基于上述实施例，上述步骤720中沉积于第二衬底表面的待键合金属凸点的结构例如可以为结构1或结构2，其中：
79.结构1：待键合金属凸点是由第一金属和第二金属依次沉积的层叠的金属凸点，第一金属的熔点高于第二金属的熔点，第一金属例如铜，第二金属例如锡。
80.结构2：待键合金属凸点由第一金属构成。
81.可选的，针对基于结构1的待键合金属凸点，图8是本发明提供的沉积于第二衬底表面的待键合金属凸点的结构示意图之一；图8示出了基于结构1的待键合金属凸点。
82.采用本发明提供的如图1所示的第一衬底表面的金属凸点，与图8所示的基于结构1的待键合金属凸点进行金属键合。
83.关于制造基于结构1的待键合金属凸点的方式，可以采用上文中步骤一至步骤四的方案获取沉积于第二衬底表面的待键合金属凸点。如图8所示，在第二衬底200表面沉积第二种子层201；在第二种子层201表面沉积第二模具层，及在第二模具层上开设第二通孔；在所述第二通孔内依次沉积铜柱202和锡层203，锡层203的厚度小于铜柱202的厚度；去除第二模具层，及去除所述第二种子层中未被铜柱202覆盖的区域，形成第二衬底表面的层叠的金属凸点，也即形成第二衬底表面的、待键合金属凸点。
84.采用本发明提供的如图1所示的第一衬底表面的金属凸点，与图8所示的基于结构1的待键合金属凸点进行金属键合。
85.键合过程具体为：图9是本发明提供的第一衬底与第二衬底的金属凸点对准的示意图之一，图10是本发明提供的第一衬底与第二衬底的金属凸点键合后的结构示意图之一。如图9
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10所示，在基于上述步骤710
‑
720在第一衬底表面沉积具有多孔状结构的金属凸点，及在第二衬底表面沉积层叠的金属凸点之后，上述步骤730
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740的过程可以包括：在键合机中翻转第二衬底，将第二衬底表面的金属凸点与第一衬底表面的金属凸点对准；然后将第二衬底表面的锡层203与第一衬底表面的金属凸点表面的多孔状结构103接触；施加键合压力10mpa和键合温度250℃使锡层203熔化，多孔状结构103迅速扩散进入锡层203并接触铜柱202，在键合压力的作用下，多孔状结构103变形后被密实压紧，与第二衬底表面的铜柱202共同形成无空洞金属层301，实现金属键合。
86.可选的，针对基于结构2的待键合金属凸点，图11是本发明提供的沉积于第二衬底表面的待键合金属凸点的结构示意图之一；图11示出了基于结构2的待键合金属凸点，基于结构2的待键合金属凸点由第一金属构成；与图8相比，图11示出的待键合金属凸点仅有铜柱202，没有再沉积锡层203。
87.采用本发明提供的沉积于第一衬底表面的金属凸点，与图11所示的基于结构2的待键合金属凸点进行金属键合；此处所采用的本发明提供的沉积于第一衬底表面的金属凸点的第一金属层的多孔状结构内壁表面覆盖有不超过预设阈值的第二金属。
88.键合过程具体为：图12是本发明提供的第一衬底与第二衬底的金属凸点对准示意图之二，图13是本发明提供的第一衬底与第二衬底的金属凸点键合后的结构示意图之二。如图12
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13所示，在键合机中翻转第二衬底，将第二衬底表面的铜柱202与第一衬底表面的多孔状结构103对准，然后将第二衬底表面的铜柱202与第一衬底表面的多孔状结构103接触；施加键合压力15mpa和键合温度260℃，使多孔状结构上覆盖的少量第二金属熔化，在键
合压力的作用下，多孔状结构103变形后被密实压紧，与第二衬底表面的铜柱202紧密接触，形成无空洞金属层401，完成金属键合。
89.以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
90.通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如rom/ram、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
91.最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。