一种发光二极管芯片及发光装置的制作方法

技术特征：
1.一种发光二极管芯片，包括外延结构层和形成于外延结构层上的第一电极、第二电极，其特征在于：所述外延结构层包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；外延结构层包括局部缺陷区域，局部缺陷区域是通过外延结构层的部分区域的第二导电型半导体层、有源层和部分厚度的第一导电类型半导体层被去除以使部分第一导电型半导体层被暴露，局部缺陷区域的底部为第一导电型半导体层，局部缺陷区域的侧壁为第一导电类型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的侧壁；所述第一电极具有形成于第二导电型半导体层表面上方的第一部分以及延伸至局部缺陷区域的侧壁以及底部的第二部分，第一电极接触局部缺陷区域的侧壁的第一导电型半导体层以及底部的第一导电型半导体层；第二电极与第二导电型半导体层电性连接。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第一部分为第一电极的第一焊盘，第二部分为第一电极的第一扩展条。3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：第一电极与第二导电型半导体层的表面之间有绝缘层，并且所述绝缘层延伸至局部缺陷区域的侧壁实现第一电极不与第二导电型半导体层和发光层接触。4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述的第二电极包括第二焊盘和第二扩展条，第二焊盘和第二扩展条均位于第二导电型半导体层的表面上方。5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第二导电型半导体层上还覆盖有电流扩展层。6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述局部缺陷区域为凹坑，所述凹坑位于外延结构层的中间区域。7.根据权利要求6所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述的凹坑为条状或者点状。8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述局部缺陷区域为台面，所述台面位于外延结构层的边缘区域。9.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第一扩展条为u型或者直线型或者曲线型。10.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于：在局部缺陷区域的底部，所述第一扩展条与第一导电类型半导体层之间部分区域被绝缘隔离。11.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述的发光二极管芯片为正装结构芯片。12.一种发光装置，其包括权利要求1
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11任一所述的发光二极管芯片。13.根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于：所述的发光装置为显示装置。

技术总结
本实用新型涉及一种发光二极管芯片及发光装置，发光二极管芯片包括外延结构层和形成于外延结构层上的第一电极、第二电极，外延结构层包括局部缺陷区域，局部缺陷区域的底部为第一导电型半导体层，局部缺陷区域的侧壁为第一导电类型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的侧壁；所述第一电极形成于第二导电型半导体层表面上方的第一部分以及延伸至局部缺陷区域的侧壁以及底部的第二部分，第一电极接触局部缺陷区域的侧壁的第一导电型半导体层以及底部的第一导电型半导体层；第二电极与第二导电型半导体层电性连接，以解决现有发光二极管芯片存在局部强电场和发光面积小的问题。极管芯片存在局部强电场和发光面积小的问题。极管芯片存在局部强电场和发光面积小的问题。


技术研发人员：杨人龙 张平 张丽明 邓有财 张中英 林宗民
受保护的技术使用者：厦门三安光电有限公司
技术研发日：2021.06.17
技术公布日：2021/12/7