鳍式半导体器件的制备方法与流程

技术特征：
1.一种鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括pmos区域和nmos区域，所述pmos区域用于形成pmos管，所述nmos区域用于形成nmos管，在所述pmos区域的基底上形成第一鳍片材料层；在所述基底上形成第二鳍片材料层，所述第二鳍片材料层保形地覆盖所述nmos区域的基底及所述第一鳍片材料层；在所述第二鳍片材料层上保形地形成掩模层；以所述第二鳍片材料层为研磨停止层，研磨以去除部分厚度的所述掩模层；刻蚀以去除所述掩模层、所述pmos区域的第二鳍片材料层及所述nmos区域的部分厚度的第二鳍片材料层，以使所述nmos区域的第二鳍片材料层的顶面和所述pmos区域的第一鳍片材料层的顶面齐平，且刻蚀所述掩模层的速率与刻蚀所述第二鳍片材料层的速率相等；以及，刻蚀所述nmos区域的第二鳍片材料层和所述pmos区域的第一鳍片材料层，以在所述nmos区域形成所述nmos管的鳍片及在所述pmos区域形成所述pmos管的鳍片。2.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一鳍片材料层的材质包括锗硅；和/或，所述第二鳍片材料层的材质包括硅。3.如权利要求2所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀以去除所述掩模层、所述pmos区域的第二鳍片材料层及所述nmos区域的部分厚度的第二鳍片材料层时，所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括cf4和chf3，所述cf4和所述chf3的流量比例为5:1～10:1。4.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述pmos区域的基底上形成第一鳍片材料层时，所述第一鳍片材料层的厚度为5.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述基底上形成第二鳍片材料层时，所述nmos区域的第二鳍片材料层的顶面比所述pmos区域的第一鳍片材料层的顶面高6.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述第二鳍片材料层上保形地形成掩模层时，所述掩模层的厚度为7.如权利要求6所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，所述掩模层的材质包括氧化硅或氮化硅。8.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述pmos区域的基底上形成第一鳍片材料层的步骤包括：在所述pmos区域和所述nmos区域的基底上形成所述第一鳍片材料层；刻蚀以去除所述nmos区域的基底上的所述第一鳍片材料层。9.如权利要求8所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，在刻蚀以去除所述nmos区域的基底上的所述第一鳍片材料层之前，在所述第一鳍片材料层上形成氧化层；在刻蚀以去除所述nmos区域的基底上的所述第一鳍片材料层之后，去除所述氧化层，并清洗所述第一鳍片材料层的表面。10.如权利要求9所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为

技术总结
本发明提供了一种鳍式半导体器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括PMOS区域和NMOS区域，在所述PMOS区域的基底上形成第一鳍片材料层；在所述基底上形成第二鳍片材料层，所述第二鳍片材料层保形地覆盖所述NMOS区域的基底及所述第一鳍片材料层；在所述第二鳍片材料层上保形地形成掩模层；研磨以去除部分厚度的所述掩模层；刻蚀以去除所述掩模层、所述PMOS区域的第二鳍片材料层及所述NMOS区域的部分厚度的第二鳍片材料层；在所述NMOS区域形成所述NMOS管的鳍片及在所述PMOS区域形成所述PMOS管的鳍片；本发明减小了NMOS管的鳍片与PMOS管的鳍片的高度差。PMOS管的鳍片的高度差。PMOS管的鳍片的高度差。


技术研发人员：耿金鹏 刘洋 杨渝书
受保护的技术使用者：上海集成电路研发中心有限公司
技术研发日：2021.09.07
技术公布日：2021/12/7