技术特征：
1.一种太阳能电池，包括：在基板之上的第一发射极区，所述第一发射极区具有围绕所述基板的一部分的周边；以及第一导电触点，所述第一导电触点在所述第一发射极区的所述周边之外的位置处电联接至所述第一发射极区。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，还包括：在所述基板之上的第一半导体层，其中所述第一发射极区在所述第一半导体层的第一部分中，并且所述第一发射极区的所述周边之外的位置在所述第一半导体层的第二部分上。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第一半导体层的第一部分与所述第一半导体层的第二部分是连续的。4.根据权利要求2所述的太阳能电池，还包括：在所述基板上方的第一绝缘体层，所述第一绝缘体层具有第一开口，其中所述第一半导体层的第一部分在所述第一绝缘体层的所述第一开口中，并且所述第一半导体层的第二部分在所述第一绝缘体层的一部分之上。5.根据权利要求4所述的太阳能电池，还包括：在所述第一半导体层之上的第二绝缘体层，所述第二绝缘体层具有开口，其中所述第一发射极区的所述周边之外的位置在所述第二绝缘体层的所述开口下方。6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中所述第一导电触点的第一部分在所述第二绝缘体层的所述开口中，所述第一导电触点的第二部分在所述第一绝缘体层之上的所述第二绝缘体层的一部分上，并且所述第一导电触点的第三部分在所述第一发射极区之上的所述第二绝缘体层的一部分上。7.根据权利要求4所述的太阳能电池，还包括：在所述第一绝缘体层与所述基板之间的第二半导体层，所述第二半导体层具有与所述第一半导体层的导电类型相反的导电类型，并且所述第二半导体层包括在所述太阳能电池的第二发射极区中。8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中所述第一绝缘体层具有第二开口，所述太阳能电池还包括：第二导电触点，所述第二导电触点在所述第一绝缘体层的所述第二开口下方的位置处电联接至所述第二半导体层。9.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第一半导体层包括多晶硅，并且所述基板包括单晶硅。10.根据权利要求9所述的太阳能电池，还包括：在所述第一半导体层与所述基板之间的电介质层。11.一种太阳能电池，包括：在基板上方的第一绝缘体层，所述第一绝缘体层具有第一开口和第二开口；在所述基板上方的第一半导体层，其中所述第一半导体层的第一部分在所述第一绝缘体层的所述第一开口中，并且所述第一半导体层的第二部分在所述第一绝缘体层的一部分之上；
在所述基板上方的第二半导体层，所述第二半导体层在所述第一绝缘体层与所述基板之间，所述第二半导体层具有与所述第一半导体层的导电类型相反的导电类型；在所述第一半导体层之上的第二绝缘体层，所述第二绝缘体层具有在所述第一半导体层的第二部分之上的开口；在所述第二绝缘体层的所述开口中的第一导电触点，所述第一导电触点在所述第二绝缘体层的所述开口下方的位置处电联接至所述第一半导体层的第二部分；以及在所述第一绝缘体层的所述第二开口中的第二导电触点，所述第二导电触点在所述第一绝缘体层的所述第二开口下方的位置处电联接至所述第二半导体层。12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中所述第一半导体层的第一部分与所述第一半导体层的第二部分是连续的。13.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中所述第一半导体层包括多晶硅，并且所述基板包括单晶硅。14.根据权利要求13所述的太阳能电池，还包括：在所述第一半导体层与所述基板之间的电介质层。15.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中所述第一导电触点进一步在所述第一绝缘体层之上的所述第二绝缘体层的一部分上，并且所述第一导电触点进一步在所述第一半导体层的第一部分之上的所述第二绝缘体层的一部分上。16.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：在基板上方形成第一绝缘体层、第一半导体层和第二半导体层，所述第一绝缘体层具有第一开口，其中所述第一半导体层的第一部分在所述第一绝缘体层的所述第一开口中，并且所述第一半导体层的第二部分在所述第一绝缘体层的一部分之上，并且其中所述第二半导体层在所述第一绝缘体层与所述基板之间，所述第二半导体层具有与所述第一半导体层的导电类型相反的导电类型；在所述第一半导体层之上形成第二绝缘体层；在所述第二绝缘体层中形成开口，所述开口在所述第一半导体层的第二部分之上，并且在所述第一绝缘体层中形成第二开口；在所述第二绝缘体层的所述开口中形成第一导电触点，所述第一导电触点在所述第二绝缘体层的所述开口下方的位置处电联接至所述第一半导体层的第二部分；以及在所述第一绝缘体层的所述第二开口中形成第二导电触点，所述第二导电触点在所述第一绝缘体层的所述第二开口下方的位置处电联接至所述第二半导体层。17.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述第一半导体层包括形成与所述第一半导体层的第二部分连续的所述第一半导体层的第一部分。18.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述第一半导体层包括在单晶硅基板上方形成多晶硅。19.根据权利要求18所述的方法，还包括：在所述第一半导体层与所述基板之间形成电介质层。20.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述第一导电触点包括在所述第一绝缘体层之上的所述第二绝缘体层的一部分上以及在所述第一半导体层的第一部分之上的所述第二绝缘体层的一部分上进一步形成所述第一导电触点。
技术总结
本发明公开了一种太阳能电池以及制造所述太阳能电池的方法。所述太阳能电池可包括基板之上的第一发射极区，所述第一发射极区具有围绕所述基板的一部分的周边。第一导电触点在所述第一发射极区的所述周边之外的位置处电联接至所述第一发射极区。联接至所述第一发射极区。联接至所述第一发射极区。
技术研发人员：戴维
受保护的技术使用者：太阳电力公司
技术研发日：2020.03.27
技术公布日：2021/12/3
再多了解一些
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