半导体器件的制作方法

技术特征：
1.一种半导体器件，包括：衬底，具有彼此相反的第一表面和第二表面，并且在所述第一表面处提供有有源区，其中所述有源区具有在第一方向上延伸的多个有源鳍；限定所述有源区的第一隔离区，其中所述第一隔离区的底表面低于所述衬底的所述第一表面的最高表面；限定所述多个有源鳍的第二隔离区，其中所述第二隔离区的底表面高于所述第一隔离区的所述底表面；掩埋导线，被掩埋在所述第二隔离区中并在所述第一方向上延伸；绝缘隔离膜，包括设置在所述第二隔离区和所述掩埋导线之间的第一部分；层间绝缘层，设置在所述第一隔离区和所述第二隔离区上，并覆盖所述掩埋导线；接触结构，穿透所述层间绝缘层并连接到所述掩埋导线；贯穿孔，从所述衬底的所述第二表面朝向所述衬底的所述第一表面延伸并暴露所述掩埋导线的一部分，其中所述掩埋导线的暴露部分朝向所述衬底的所述第二表面延伸超过所述第二隔离区的所述底表面；贯穿通路，设置在所述贯穿孔中并且接触所述掩埋导线的所述暴露部分的底表面和所述掩埋导线的所述暴露部分的侧表面，其中所述掩埋导线的所述暴露部分的所述侧表面与所述掩埋导线的所述暴露部分的所述底表面相邻；以及绝缘衬层，设置在所述贯穿孔的内侧壁和所述贯穿通路之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘隔离膜进一步包括第二部分，所述第二部分延伸超过所述第二隔离区的所述底表面，并限定所述掩埋导线的所述暴露部分的所述侧表面。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述绝缘隔离膜的所述第二部分具有比所述绝缘隔离膜的所述第一部分的厚度小的厚度。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述绝缘隔离膜的所述第二部分具有朝向所述第二隔离区增加的厚度。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述掩埋导线的所述暴露部分的所述侧表面与所述贯穿通路完全接触，以及其中所述掩埋导线的所述暴露部分不被所述绝缘隔离膜的所述第二部分覆盖。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述掩埋导线的所述暴露部分的所述底表面具有圆化边缘。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述贯穿孔从所述衬底的所述第二表面延伸到所述第二隔离区，以暴露所述第二隔离区的所述底表面的一部分，以及其中所述贯穿通路进一步接触所述第二隔离区的所述底表面的暴露部分。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述贯穿通路具有与所述有源区的上表面间隔开且低于所述有源区的所述上表面的上端，其中所述有源区的一部分插设在所述贯穿通路的所述上端和所述第二隔离区的所述
底表面之间，以及其中所述绝缘衬层插设在所述有源区的所述部分和所述贯穿通路之间，以使所述有源区与所述贯穿通路电绝缘。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在沿着与所述第一方向相交的第二方向截取的横截面中，所述掩埋导线的中心轴线偏离所述贯穿通路的中心轴线。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述掩埋导线的所述暴露部分的所述侧表面具有彼此相反的第一侧和第二侧，其中所述掩埋导线的所述第一侧与所述贯穿通路接触，以及其中所述掩埋导线的所述第二侧通过所述绝缘隔离膜与所述有源区电绝缘。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在沿着与所述第一方向相交的第二方向截取的横截面中，所述贯穿孔的上表面的第一宽度大于所述掩埋导线的上表面的第二宽度，以及其中所述第一宽度和所述第二宽度在所述第二方向上被测量。12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述掩埋导线的高度在从30nm至200nm的范围内，以及其中所述掩埋导线的与所述贯穿通路接触的侧部分的高度为至少3nm。13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述掩埋导线具有比所述有源区的上表面高且比所述多个有源鳍的上端低的上表面。14.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：设置在所述多个有源鳍上的源极/漏极，其中所述接触结构连接到所述源极/漏极。15.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：第一布线，设置在所述层间绝缘层上并电连接到所述接触结构；以及第二布线，设置在所述衬底的所述第二表面上并连接到所述贯穿通路。16.一种半导体器件，包括：衬底，具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，并且在所述第一表面处提供有有源区；掩埋导线，设置在所述有源区中并在第一方向上延伸，其中所述掩埋导线具有第一部分和第二部分，并且所述掩埋导线的所述第二部分被所述有源区围绕；绝缘层，设置在所述衬底的所述第一表面上并覆盖所述掩埋导线，其中所述掩埋导线的所述第一部分被掩埋在所述绝缘层中；接触结构，设置在所述绝缘层上并连接到所述掩埋导线；贯穿孔，从所述衬底的所述第二表面延伸到所述绝缘层并暴露所述掩埋导线的所述第二部分；绝缘隔离膜，设置在所述掩埋导线的侧表面上并围绕所述掩埋导线，所述绝缘隔离膜暴露所述掩埋导线的所述第二部分的底表面和所述掩埋导线的所述第二部分的侧表面，其中所述掩埋导线的所述第二部分的所述侧表面与所述掩埋导线的所述第二部分的所述底
表面相邻；贯穿通路，设置在所述贯穿孔中并接触所述掩埋导线的所述第二部分的所述底表面和所述掩埋导线的所述第二部分的所述侧表面；绝缘衬层，设置在所述贯穿孔的内侧壁和所述贯穿通路之间；以及背面布线，设置在所述衬底的所述第二表面上并连接到所述贯穿通路。17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中所述贯穿通路与所述绝缘层的底表面的通过所述贯穿孔暴露的部分接触。18.根据权利要求16所述的半导体器件，其中所述绝缘隔离膜具有朝向所述衬底的所述第二表面延伸超过所述绝缘层的底表面的部分，以及其中所述绝缘隔离膜的延伸部分具有朝向所述绝缘层的所述底表面增加的厚度。19.一种半导体器件，包括：衬底，具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，并且在所述第一表面处提供有有源区；贯穿通路，从所述衬底的所述第二表面朝向所述衬底的所述第一表面延伸；绝缘层，设置在所述衬底的所述第一表面上；掩埋导线，被掩埋在所述绝缘层和所述贯穿通路中并在第一方向上延伸；接触结构，设置在所述绝缘层上并连接到所述掩埋导线；绝缘隔离膜，设置在所述掩埋导线的侧表面上并围绕所述掩埋导线，所述绝缘隔离膜暴露所述掩埋导线的底表面和所述掩埋导线的侧表面的一部分，其中所述掩埋导线的所述侧表面的所述部分与所述掩埋导线的所述底表面相邻；绝缘衬层，设置在所述贯穿通路的侧表面上，并配置为使所述贯穿通路与所述衬底的所述有源区绝缘；以及背面布线，设置在所述衬底的所述第二表面上并连接到所述贯穿通路。20.根据权利要求19所述的半导体器件，其中所述绝缘衬层包括第一部分和第二部分，所述第一部分从所述衬底的所述第二表面朝向所述绝缘层的所述底表面延伸，所述第二部分将所述绝缘衬层的所述第一部分连接到围绕所述掩埋导线的所述绝缘隔离膜，以及其中所述绝缘衬层的所述第一部分和所述绝缘衬层的所述第二部分具有不同的厚度。

技术总结
本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，具有其上设置有有源区的第一表面和与第一表面相反的第二表面；掩埋导线，在一个方向上延伸并具有被掩埋在有源区中的部分；覆盖掩埋导线的绝缘部分；设置在绝缘部分上并连接到掩埋导线的接触结构；从第二表面延伸到绝缘部分并暴露掩埋导线的掩埋部分的贯穿孔；设置在掩埋导线的侧表面上并暴露掩埋部分的底表面和与底表面相邻的侧表面的绝缘隔离膜；接触掩埋导线的底表面和相邻的侧表面的贯穿通路；围绕贯穿通路的绝缘衬层。围绕贯穿通路的绝缘衬层。围绕贯穿通路的绝缘衬层。


技术研发人员：金镇南 金石镐 罗勋奏 文光辰
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.05.28
技术公布日：2021/12/3