一种晶圆调平方法、芯片键合方法、芯片键合设备及光刻系统与流程

1.本发明涉及光刻技术领域，尤其涉及一种晶圆调平方法、芯片键合方法、芯片键合设备及光刻系统。


背景技术：

2.芯片-晶圆(chip-to-wafer，c2w)键合技术是mems技术发展和实用化的关键技术之一，其能通过化学和物理作用将多个芯片键合在整张晶圆上，以制备形成高级程度及小体积的微型控制器、微型传感器等。
3.现有技术提供的芯片键合设备通常采用键合头垂直吸取待键合芯片后移送至晶圆的上方，使芯片与晶圆通过键合胶键合呈一体。芯片键合完成后，后续需要再次进行光刻生产其他图形。由于光刻机的焦深一般有限，因此，芯片键合后的高度一致性直接影响光刻机的光刻精度，在有些工艺情况下，单个芯片的高度差要求不超过1微米甚至更低。
4.影响芯片贴合后的高度偏差的因素非常多，包括键合胶的厚度一致性、晶圆形貌以及晶圆表面和键合头的垂直度等，其中，键合胶的厚度一致性及晶圆形貌受来料影响较大，在键合过程中难以控制，从而使键合头与晶圆表面的垂直度控制成为调控高度偏差的重要因素。而现有技术调节键合头与晶圆表面垂直度的方法操作麻烦，成本较高，且效率较低，难以实现对晶圆表面平整度的快速调节。


技术实现要素：

5.本发明的一个目的在于提供一种晶圆调平方法，能够实现对晶圆的快速调平，操作简单，成本低，效率高。
6.本发明的另一个目的在于提供一种芯片键合方法，提高键合质量，降低键合成本。
7.本发明的又一目的在于提供一种芯片键合设备，提高芯片键合质量，降低芯片键合成本。
8.本发明的再一目的在于提供一种光刻系统，提高光刻质量和光刻效率。
9.为实现上述目的，本发明采用下述技术方案：
10.一种晶圆调平方法，包括如下步骤：
11.在晶圆的调平区域中选择至少三个不在同一直线上的调平检测点；
12.对每一所述调平检测点，键合头正对所述调平检测点，获取所述调平检测点的x坐标和y坐标，所述键合头沿z坐标方向靠近所述调平检测点的过程中，实时检测所述键合头内部流量变化，当所述内部流量的检测值保持不变或在预设范围内上下波动时，记录所述键合头的当前高度位置为z坐标；
13.根据所述至少三个调平检测点的所述x坐标、所述y坐标及所述z坐标，拟合得到拟合调平平面，求得所述调平区域的整体倾斜度；
14.根据所述整体倾斜度，对晶圆台上端面进行绕x轴和/或绕y轴调节
15.作为一种晶圆调平方法的优选技术方案，所述z坐标方向为所述键合头的竖直升
降方向，所述xy平面与所述键合头的吸附面平行。
16.作为一种晶圆调平方法的优选技术方案，所述晶圆调平方法还包括：根据所述晶圆的上表面状态，确定所述晶圆上的所述调平区域的个数。
17.作为一种晶圆调平方法的优选技术方案，确定所述晶圆上的所述调平区域的个数具体包括：
18.在所述晶圆的上表面确定三个以上不在同一直线上的预检测点；
19.对每一所述预检测点，键合头正对所述预检测点，获取所述预检测点的x坐标和y坐标，所述键合头沿z坐标方向靠近所述预检测点的过程中，实时检测所述键合头内部流量变化，当所述内部流量的检测值保持不变或在预设范围内上下波动时，记录所述键合头的当前高度位置为所述预检测点的z坐标；
20.根据所有预检测点的坐标，拟合得到预检测平面；
21.当所述预检测平面的拟合误差大于预设值时，在所述晶圆上表面设置至少两个调平区域。
22.作为一种晶圆调平方法的优选技术方案，当所述预检测平面的拟合误差小于或等于所述预设值时，将所述预检测平面作为所述拟合调平平面。
23.作为一种晶圆调平方法的优选技术方案，所述调平区域为圆形、扇形、弧形、扇环形、弓形或矩形。
24.一种芯片键合方法，包括如下步骤：
25.采用如上所述的晶圆调平方法对所述晶圆的调平区域进行调平；
26.采用所述键合头吸取芯片并将所述芯片键合至已调平的所述调平区域中。
27.作为一种芯片键合方法的优选技术方案，当所述调平区域的数量大于1时，对每一所述调平区域进行调平后，将所述调平区域内需要键合的所述芯片键合至所述调平区域中，当前所述调平区域内所需键合的芯片全部键合完成后，进行下一所述调平区域的调平及键合。
28.一种芯片键合设备，包括键合头及用于检测所述键合头内部流量的流量传感器，其特征在于，采用如上所述的芯片键合方法实现所述芯片与所述晶圆的键合。
29.一种光刻系统，包括如上所述的芯片键合设备。
30.本发明的有益效果在于：
31.本发明提供的晶圆调平方法，通过键合头内部自带的流量传感器检测键合头内部的流量变化确定调平检测点的高度坐标值，无需额外的检测设备，检测方法简单方便，成本较低，效率较高；且检测调平完毕后即可对芯片进行键合，需要进行结构拆装，能够提高键合效率。
32.本发明提供的芯片键合方法，由于采用上述的晶圆调平方法，在芯片键合之前，先对芯片需要键合的调平区域进行调平，能够保证芯片键合的高度一致性，提高芯片键合的质量，同时降低芯片键合成本。
33.本发明提供的芯片键合设备，由于采用上述的芯片键合方法进行芯片键合，能够提高芯片键合的高度一致性，提高芯片键合质量，降低芯片键合成本。
34.本发明提供的光刻机，由于采用上述的芯片键合设备，能够提高光刻质量，降低光刻成本。
附图说明
35.图1是本发明实施例一提供的芯片键合设备的结构示意图；
36.图2是本发明实施例一提供的键合头组件的结构示意图；
37.图3是本发明实施例一提供的流量传感器读值与键合头下降高度的关系图；
38.图4是本发明实施例一提供的晶圆调平方法的流程图；
39.图5是本发明实施例一提供的晶圆上调平检测点的示意图；
40.图6是本发明实施例二提供的晶圆调平方法的流程图；
41.图7是本发明实施例二提供的晶圆上调平区域及调平检测点的示意图；
42.图8是本发明实施例三提供的芯片键合方法的流程图；
43.图9是本发明实施例四提供的芯片键合设备的结构示意图。
44.图中标记如下：
45.1-芯片键合区；11-晶圆台；12-吸盘；13-晶圆；131-调平检测点；132-调平区域；14-键合胶；
46.2-芯片对准区；21-基座；22-芯片暂存台；23-第二视觉检测装置；
47.3-芯片剥离区；31-蓝膜台；32-蓝膜片；33-芯片拾取机构；
48.4-键合头组件；41-键合头；411-吸附面；412-吸附气道；42-第一视觉检测装置；43-过滤器；44-压力传感器；45-流量传感器；46-电磁阀；47-调压阀；48-气源；49-气管；
49.5-芯片。
具体实施方式
50.下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
51.在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
52.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
53.在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
54.实施例一
55.图1为本发明实施例提供的芯片键合设备的结构示意图，如图1所示，本实施例提供了一种芯片键合设备，其应用于光刻系统中，用于实现芯片5与晶圆13之间的键合，以实现芯片5的集成化设置。芯片键合设备包括晶圆台11、设置在晶圆台11上的吸盘12、吸附在吸盘12上表面的晶圆13以及用于拾取芯片5进行键合的键合头组件4。
56.晶圆13上表面设置有键合胶14，在芯片5与晶圆13键合过程中，键合头41拾取芯片5并带动芯片5向下运动至键合位置，将芯片5通过键合胶14附着在晶圆13上。键合胶14在一定温度下融化后再固结，实现芯片5与晶圆13的稳固连接。
57.键合胶14的设置及芯片5通过键合胶14与晶圆13键合的方式为本领域的常规技术手段，本实施例不再赘述。但可以理解的是，本发明的技术方案中，晶圆13与芯片5的键合不一定通过键合胶14进行，还可以通过热压等方式进行。
58.图2为本发明实施例提供的键合头组件4的结构示意图，如图2所示，键合头组件4包括键合头41、带动键合头41水平运动的水平驱动单元(未示出)及带动键合头41竖直升降的升降驱动单元(未示出)。键合头41采用负压吸附的方式对芯片5进行吸附和移载，键合头41朝下的一端具有吸附面411，用于对芯片5进行面吸合，键合头41内部开设有吸附气道412。键合头组件4还包括用于对键合头41进行供气的气管49及气源48，气管49连通于键合头41的上端并与吸附气道412密封连接；气源48用于向键合头41供气或抽真空，使键合头41对芯片5进行负压吸附或卸载。
59.优选地，键合头41内的吸附气道412竖直设置且与吸附面411垂直。在键合头组件4安装过程中，通过安装调节吸附面411水平设置，以保证键合头41竖直升降的方向与吸附面411方向垂直。
60.为实现键合头41对芯片5的准确吸附，键合头41上设置有第一视觉检测装置42，第一视觉检测装置42随键合头41同步运动，以识别芯片5的位置。
61.为检测键合过程中及芯片5吸附过程中，检测键合头41内的真空条件是否稳定及键合头41上是否吸附有芯片5，键合头组件4还包括用于检测气管49内部流量的流量传感器45，流量传感器45选择为能够检测细微流量变化且高精度的微流量传感器。
62.进一步地，气管49上还设置有压力传感器44，用于检测气流压力和真空压力，从而控制吸附力和键合力的大小。气管49上还设置有电磁阀46和调压阀47，电磁阀46用于控制气管49内气路的通断，以实现键合头41对芯片5的吸附或卸下；调压阀47用于调节气流压力大小，从而通过真空压力实现对芯片5吸附力的调节。
63.由于芯片5采用晶圆13切割形成，且芯片5外露于外部环境，为避免键合头41吸附芯片5的过程中，芯片5表面的灰尘或杂质经过吸附气道412和气管49流入气源48中对气源48造成污染，优选地，气管49上设置有过滤器43，过滤器43的设置同时能够避免气源48中的杂质对芯片5造成污染。进一步地，过滤器43设置在压力传感器44和流量传感器45靠近键合头41的一端。
64.在对芯片5进行键合前，需要对晶圆13进行调平，以保证晶圆13上表面与键合头41的竖直运动方向垂直，即晶圆13上表面与键合头41的吸附面411平行，以保证芯片5键合至晶圆13上时的高度一致性。为对晶圆13的姿态进行调节，晶圆台11上设置有调节机构，用于至少实现晶圆13的z方向(竖直方向)的位移调节及绕x轴和绕y轴转动调节。在晶圆台11上设置调节机构是本领域的常规技术手段，本实施例对键合头41及晶圆台11上调节机构的结
构、设置方式及调节操作不做具体限制。
65.在键合头41竖直运动的过程中，随着键合头41与晶圆13距离之间的改变，键合头41内气流的路径和流阻也会发生变化，从而影响流量的变化。图3为本发明实施例提供的流量传感器45的读数值与键合头41下降高度关系示意图，如图3所示，图3中横坐标为键合头41下降高度，键合头41下降高度的增加表明键合头41与晶圆13之间距离的减小，图3中纵轴为流量传感器的读值。由图3可知，随着键合头41与晶圆13之间的间距的减小(即图3中键合头下降高度的增加)，且键合头41距离晶圆13之间的距离大于一定距离时(如图3中当键合头下降高度小于10.58mm时)，流量传感器45的竖直基本呈线性下降；当键合头41与晶圆13之间的距离小于一定高度且两者未接触时，流量传感器45的读数值呈对数变化；当键合头41与晶圆13即将接触时，流量传感器45的读数值保持不变或在微小范围内跳动；当键合头41与晶圆13接触时，流量传感器45的数值变为0。
66.由此，基于键合头41内部流量变化与键合头41与晶圆13之间的距离的关系，本实施例提供了一种晶圆调平方法，以调整晶圆13与键合头41的垂直度，提高芯片5与晶圆13键合质量。
67.具体地，图4为本发明实施例提供的晶圆调平方法的流程图，图5是本发明实施例一提供的晶圆上调平检测点的示意图；参考图4及图5，本实施例提供的晶圆调平方法包括以下步骤：
68.步骤s101：确定调平坐标系及调平基准面；
69.根据键合头41的安装位置确定调平基准面，调平基准面为与键合头41的吸附相平行的面。且通过键合头41的安装调节，键合头41的吸附面411与键合头41的竖直升降方向垂直。
70.调平坐标系的确定可以根据晶圆13设置位置进行确定，如以晶圆13中心为坐标原点，以调平基准面为xy平面，以与调平基准面垂直的轴为z轴。优选地，以键合头41的运动坐标系作为调平坐标系，即，以键合头41的升降方向为z方向，以与键合头41的吸附面411相平行的面为xy平面。键合头41运动坐标系的具体设置方式为现有技术，且为芯片键合设备的内置坐标系，其可以根据需求进行具体设置。
71.通过采用键合头41的运动坐标系作为调平坐标系，能够避免调平坐标系与运动坐标系之间的转换，方便对键合头41的运动进行控制的同时，也能较快地获得检测点的坐标。
72.步骤s102：在晶圆13的调平区域132中选取至少三个不在同一直线的调平检测点131；
73.不在同一直线上的三点以上坐标可以拟合形成一个拟合调平平面，通过判断该拟合调平平面与调平基准面之间的倾斜度，即可获得晶圆13需要调节的调平参数。
74.优选地，如图5所示，在同一调平区域中选择三个调平检测点131，三点均能够落入拟合调平平面上，且测量所需时间短，检测效果高。但可以理解的是，调平区域132中的调平检测点131也可以多于三个，当调平检测点131的个数大于三个时，可能存在部分点未落入拟合调平平面上。优选地，为降低时间成本，提高效率，同一调平区域中的调平检测点131的个数不大于6个。
75.优选地，调平检测点131在调平区域132上尽可能分散分布，以更好地使调平检测点131拟合调平平面与晶圆13上表面的形态相一致，本实施例中，调平检测点131为三个时，
三个调平检测点131优选沿晶圆13的周向均匀间隔分布。当调平检测点131的个数大于三个时，可在晶圆13的中部区域和外环区域各设置调平检测点131。在其他实施例中，调平检测点131的位置选择可以根据需求进行设置。
76.步骤s103：根据调平坐标系获取调平检测点131的x坐标和y坐标；
77.步骤s104：通过键合头41正对调平检测点131竖直下降过程中的内部流量变化测得调平检测点131的z坐标；
78.具体包括如下步骤：
79.步骤s1041：将键合头41移动至调平检测点131的正上方；
80.当采用键合头41的运动坐标系内置坐标系作为调平坐标系时，根据调平检测点131的x坐标和y坐标值控制键合头41移动至调平检测点131的上方，且当调平坐标系与内置坐标系一致时，此时键合头41的xy位置即为调平检测点131的x坐标和y坐标。
81.当内置坐标系与调平坐标系不一致时，根据调平检测点131在调平坐标系中的x坐标和y坐标进行坐标换算后得到调平检测点131在内置坐标系下的xy坐标值，即键合头41需要运行至的xy位置。
82.步骤s1042：控制键合头41竖直下降，且在键合头41下降过程中，采用流量传感器45实时检测键合头41的内部流量变化；
83.在键合头41竖直下降过程中，保持气源38的供气压力恒定，以消除供气端对键合头41内部流量变化的影响。
84.步骤s1043：当流量传感器45的数值保持不变或在预设范围内上下波动时，控制器控制键合头41停止向下运动，且记录此时键合头41的当前高度位置；
85.步骤s1044：根据键合头41的当前高度位置计算调平检测点131的z坐标；
86.当采用内置坐标系作为调平坐标系时，键合头41的当前高度位置即调平检测点131的z坐标；当内置坐标系不同于调平坐标系时，通过坐标换算，从键合头41的当前高度位置换算得到调平检测点131的z坐标。
87.重复步骤s1041～步骤s1044，获得每个调平检测点131的x坐标、y坐标及z坐标。
88.步骤s105：根据调平检测点131的x坐标、y坐标及z坐标拟合得到拟合调平平面z＝ax by c；
89.由三点或多点获得拟合调平平面的方法为常规数学算法，本实施例不再赘述。
90.步骤s106：根据拟合调平平面确定调平区域132的整体倾斜度rx＝b，ry＝-a；
91.步骤s107：根据调平区域132的整体倾斜度，计算获得调平区域132的调平参数；
92.晶圆13的调平参数主要包括晶圆13需要绕x轴转动的角度及晶圆13需要绕y轴转动的角度。
93.晶圆13需要绕x轴的转动的角度θ
x
＝tan-1
(-rx)＝tan-1
(-b)，晶圆13需要绕y轴的转动角度为θ
y
＝tan-1
(-ry)＝tan-1
a。
94.步骤s108：根据调平参数，对晶圆台上端面进行绕x轴和/或绕y轴调节，使拟合调平平面调整至与调平基准面平行。
95.本实施例提供的调平方法，通过键合头41内部自带的流量传感器45检测键合头41内部的流量变化确定调平检测点131的高度坐标值，无需额外的检测设备，检测方法简单方便，成本较低，效率较高；且检测调平完毕后即可对芯片5进行键合，需要进行结构拆装，能
够提高键合效率。
96.本实施例还提供一种光刻机，包括上述的芯片键合设备。
97.实施例二
98.受晶圆13来料质量影响，当晶圆13上表面整体平整度较好时，可以将整个晶圆13做表面作为一个调平区域132进行调平处理，当晶圆13翘曲或凹凸程度比较大时，需要将晶圆13上表面划分为若干个调平区域132进行分区依次调平，保证每一调平区域132中的芯片5与晶圆13键合的高度一致性。
99.由此，图6是本发明实施例提供的调平方法的流程图，如图6所示，本实施例提供了一种晶圆调平方法，其能够通过检测，判断选择全局调平还是进行分区调平，从而提高调平效果。具体地，本实施例提供的调平方法包括以下步骤：
100.步骤s201：确定检测坐标系；
101.在本实施例中，检测坐标系与调平坐标系一致，其确定方式可参考实施例一中的步骤s101；
102.步骤s202：在晶圆13上表面选取三个以上不在同一直线上的预检测点；
103.采用多个预检测点能够更好地判断晶圆13上表面的凹凸或翘曲程度，优选地，预检测点的个数大于5个，且预检测点在晶圆13上表面尽可能分散分布。
104.步骤s203：对每一所述预检测点，根据检测坐标系获取预检测点的x坐标和y坐标，通过键合头41正对预检测点竖直下降过程中的内部流量变化测得预检测点的z向坐标；
105.具体操作可参考步骤s104。
106.步骤s204：根据所有预检测点的坐标，拟合得到预检测平面；
107.根据所有预检测点的坐标，采用最小二乘法或其他现有拟合方法拟合得到预检测平面及其函数，该种拟合方式为现有技术，本实施例不再赘述。
108.步骤s205：计算获得预检测平面的拟合误差；
109.在本实施例中，拟合误差采用方差值体现，即所有预检测点的z向坐标值与其在预检测平面上的z向投影坐标值之间的差的平方和。在其他实施例中，也可以采用其他参数判断预检测平面的拟合误差。
110.步骤s206：判断拟合误差是否大于预设值，若拟合误差大于预设值时，执行步骤s207；若拟合误差小于等于预设值时，执行步骤s208；
111.步骤s207：在晶圆13上表面划分至少两个调平区域132；
112.如图7所示，在本实施例中，将晶圆13上表面划分为呈九宫格形式的九个调平区域132，在其他实施例中，调平区域132的个数和划分方式可以根据晶圆13的来料质量进行判断，且每个调平区域132的面积可以相同也可以不相同，每个调平区域的形状可以优选为规则的形状，如圆形、矩形、扇形或弓形等。
113.步骤s208：将晶圆13上表面整体区域作为调平区域132。
114.步骤s209：对调平区域132进行调平。
115.该步骤可参考实施例一的步骤s101～步骤s108，且由于在步骤s201中已确定检测坐标系，可以将检测坐标系作为调平坐标系，而省略对调平坐标系的确定。
116.进一步地，当晶圆13不需要进行分区调平时，可以将预检测平面作为拟合调平平面，直接计算预检测平面相对基准平面的倾斜度而获得调平参数，从而省略步骤s102-步骤
s105的重复操作，提高调平效率。
117.实施例三
118.本实施例提供了一种芯片键合方法，其在芯片5键合之前采用如实施例一或实施例二中的晶圆调平方法进行晶圆13调平，以提高芯片5与晶圆13键合的质量。
119.如图8所示，本实施例提供的芯片键合方法主要包括如下步骤：
120.步骤s301：对当前调平区域132进行调平，当前调平区域132调平完成后，执行步骤s302；
121.采用实施例一中的步骤s101-步骤s108中的晶圆调平方法对晶圆13进行调平；
122.步骤s302：键合头41吸取当前调平区域132内需键合的芯片5键合至当前调平区域132中；
123.步骤s303：判断当前调平区域132内所需键合的芯片5是否全部被键合，若否，则返回步骤s302，若是，则执行步骤s304；
124.当存在若干调平区域132时，在对每个调平区域132进行调平后，对当前调平区域132内需键合的芯片5进行键合，即可保证当前调平区域132内所有芯片5的高度一致性，提高芯片5键合效率。在对下一个调平区域132进行调平时，由于上一个调平区域132内的芯片5已键合完成，后续调平区域132的调平操作虽会造成已调平区域132水平度的变化，但不会改变已调平区域132内芯片5与晶圆13的位置关系，即芯片5的高度一致性不会发生变化。
125.步骤s304：判断所有调平区域132是否均以被调平，若是，则执行步骤s305，若否，则选择未调平区域132作为当前调平区域132，并返回步骤s301；
126.步骤s305：结束键合。
127.所有芯片5均键合完成后，键合完成的晶圆13移入下一工序。
128.本实施例提供的芯片键合方法，通过采用实施例一或实施例二中的晶圆调平方法在芯片5键合前先对晶圆13进行调平操作，键合精度高，能够较好地保证芯片5键合高度的一致性。
129.本实施例还提供了一种芯片键合设备，采用上述芯片键合方法进行芯片与晶圆的键合。
130.本实施例还提供了一种光刻系统，包括上述的芯片键合设备。
131.实施例四
132.如图9所示，本实施例提供了一种芯片键合设备，其采用实施例三中的芯片键合方法进行芯片5键合。且芯片键合设备主要包括芯片剥离区3、芯片对准区2和键合区10及用于实现芯片5在芯片剥离区3、芯片对准区2和键合区中移动的键合头组件4，其中键合头组件4和键合区的设置可参考实施例一中的设置，本实施例不再赘述。
133.芯片剥离区3用于将晶圆13上切割下的芯片5从蓝膜上剥离，其包括芯片拾取机构33、蓝膜台31、设置在蓝膜台31上的蓝膜片32以及附着在蓝膜片32上的若干个芯片5。蓝膜台31内部设置有顶针机构，当芯片5反面需要键合到晶圆13上时，键合头41向下运动对芯片5进行真吸附，同时，蓝膜台31内部顶针机构向上顶动待键合芯片5，以使芯片5与蓝膜片32脱离，减小芯片5向下的附着力，实现键合头41对芯片5的吸附。当芯片5正面需要键合到晶圆13上时，芯片拾取机构33配合蓝膜台31内部顶针机构对芯片5进行拾取，并将芯片5翻转180
°
后，将芯片5背面贴附在键合头41上，同时，键合头41真空吸附芯片5。
134.芯片对准区2用于测量芯片5表面的标记在芯片5上的位置，从而计算芯片5在晶圆13上的对准位置，其主要包括基座21、设置在基座21上的芯片暂存台22及第二视觉检测装置23。芯片5的对准操作为本领域的常规设置，本实施例不再进行赘述。
135.芯片键合区1主要用于芯片5与晶圆13的键合，其主要包括实施例一中的晶圆台11、设置在晶圆台11上的吸盘12以及吸附在吸盘12上表面的晶圆13。
136.在本实施例中，通过分别芯片剥离区3、芯片对准区2和芯片键合区1实现芯片5剥离、对准和键合的分别操作，流程性强。在其他实施例中，也可以将芯片键合区1与芯片对准区2合二为一设置，即本发明提供的芯片键合方法不仅能够适用于现有技术中的各类芯片键合设备，且本实施例提供的芯片键合设备的结构仅为示例性结构。
137.本实施例还提供了一种光刻系统，包括上述的芯片键合设备。
138.注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。