有机发光显示设备的制作方法

技术特征：
1.一种有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备包括：基底，所述基底包括第一区域；第一像素半导体层，所述第一像素半导体层设置在所述基底上，并且包括位于所述第一区域中的第一像素漏极区域；层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述第一像素半导体层；第一像素连接金属，所述第一像素连接金属设置在所述层间绝缘层上，并且通过被限定在所述层间绝缘层中的第一像素层间接触孔与所述第一像素漏极区域接触；保护绝缘层，所述保护绝缘层覆盖所述第一像素连接金属；第一像素桥接电极，所述第一像素桥接电极设置在所述保护绝缘层上，并且通过被限定在所述保护绝缘层中的第一像素保护接触孔与所述第一像素连接金属接触；平坦化层，所述平坦化层覆盖所述第一像素桥接电极；以及第一像素电极，所述第一像素电极设置在所述平坦化层上，并且通过被限定在所述平坦化层中的第一像素接触孔连接到所述第一像素桥接电极，其中，当在垂直于所述基底的方向上观察时，所述第一像素接触孔被限定在所述第一像素保护接触孔的外部。2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，当在垂直于所述基底的所述方向上观察时，所述第一像素接触孔被限定在所述第一像素连接金属的外部。3.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述保护绝缘层包括无机材料。4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述基底包括第二区域，并且所述有机发光显示设备还包括：第二像素半导体层，所述第二像素半导体层设置在所述基底上，并且包括位于所述第二区域中的第二像素漏极区域；第二像素连接金属，所述第二像素连接金属设置在所述层间绝缘层上，并且通过被限定在所述层间绝缘层中的第二像素层间接触孔与所述第二像素漏极区域接触，所述层间绝缘层覆盖所述第二像素半导体层；第二像素桥接电极，所述第二像素桥接电极设置在所述保护绝缘层上，并且通过被限定在所述保护绝缘层中的第二像素保护接触孔与所述第二像素连接金属接触，所述保护绝缘层覆盖所述第二像素连接金属；以及第二像素电极，所述第二像素电极设置在覆盖所述第二像素桥接电极的所述平坦化层上，并且通过被限定在所述平坦化层中的第二像素接触孔连接到所述第二像素桥接电极，其中，当在垂直于所述基底的方向上观察时，所述第二像素接触孔被限定在所述第二像素保护接触孔的外部。5.根据权利要求4所述的有机发光显示设备，其中，当在垂直于所述基底的方向上观察时，所述第二像素接触孔被限定在所述第二像素连接金属的外部。6.根据权利要求4所述的有机发光显示设备，其中，所述第二像素接触孔被限定在所述第一区域中。7.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中，所述第二像素电极的面积大于所述第一像素电极的面积。8.根据权利要求4所述的有机发光显示设备，其中，所述基底包括第三区域，并且
所述有机发光显示设备还包括：第三像素半导体层，所述第三像素半导体层设置在所述基底上，并且包括位于所述第三区域中的第三像素漏极区域；第三像素连接金属，所述第三像素连接金属设置在所述层间绝缘层上，并且通过被限定在所述层间绝缘层中的第三像素层间接触孔与所述第三像素漏极区域接触，所述层间绝缘层覆盖所述第三像素半导体层；第三像素桥接电极，所述第三像素桥接电极设置在所述保护绝缘层上，并且通过被限定在所述保护绝缘层中的第三像素保护接触孔与所述第三像素连接金属接触，所述保护绝缘层覆盖所述第三像素连接金属；以及第三像素电极，所述第三像素电极设置在所述平坦化层上，并且通过被限定在所述平坦化层中的第三像素接触孔连接到所述第三像素桥接电极，所述平坦化层覆盖所述第三像素桥接电极，其中，当在垂直于所述基底的方向上观察时，所述第三像素接触孔被限定在所述第三像素保护接触孔的外部。9.根据权利要求8所述的有机发光显示设备，其中，当在垂直于所述基底的方向上观察时，所述第三像素接触孔被限定在所述第三像素连接金属的外部。10.根据权利要求8所述的有机发光显示设备，其中，所述第二像素接触孔和所述第三像素接触孔被限定在所述第一区域中。11.根据权利要求8所述的有机发光显示设备，其中，所述第二像素接触孔被限定在所述第一区域中，并且所述第三像素接触孔被限定在所述第二区域中。12.根据权利要求10所述的有机发光显示设备，其中，所述第二像素电极的面积大于所述第一像素电极的面积，并且所述第三像素电极的面积大于所述第二像素电极的所述面积。13.一种有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备包括：基底，所述基底包括第一区域和第二区域；第一像素半导体层，所述第一像素半导体层设置在所述基底上，并且包括位于所述第一区域中的第一像素漏极区域；第二像素半导体层，所述第二像素半导体层设置在所述基底上，并且包括位于所述第二区域中的第二像素漏极区域；层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述第一像素半导体层和所述第二像素半导体层；第一像素连接金属，所述第一像素连接金属设置在所述层间绝缘层上，并且通过被限定在所述层间绝缘层中的第一像素层间接触孔与所述第一像素漏极区域接触；第二像素连接金属，所述第二像素连接金属设置在所述层间绝缘层上，并且通过被限定在所述层间绝缘层中的第二像素层间接触孔与所述第二像素漏极区域接触；保护绝缘层，所述保护绝缘层覆盖所述第一像素连接金属和所述第二像素连接金属；第二像素桥接电极，所述第二像素桥接电极设置在所述保护绝缘层上，并且通过被限定在所述保护绝缘层中的第二像素保护接触孔与所述第二像素连接金属接触；平坦化层，所述平坦化层覆盖所述第二像素桥接电极；第一像素电极，所述第一像素电极设置在所述平坦化层上，并且通过被限定在所述平
坦化层中的第一像素接触孔和被限定在所述保护绝缘层中的第一像素保护接触孔与所述第一像素连接金属接触；以及第二像素电极，所述第二像素电极设置在所述平坦化层上，并且通过被限定在所述平坦化层中的第二像素接触孔与所述第二像素桥接电极接触。14.根据权利要求13所述的有机发光显示设备，其中，当在垂直于所述基底的方向上观察时，所述第二像素接触孔被限定在所述第二像素连接金属的外部。15.根据权利要求13所述的有机发光显示设备，其中，所述第二像素接触孔设置在所述第一区域中。16.根据权利要求15所述的有机发光显示设备，其中，所述第二像素电极的面积大于所述第一像素电极的面积。17.根据权利要求13所述的有机发光显示设备，其中，所述基底包括第三区域，并且所述有机发光显示设备还包括：第三像素半导体层，所述第三像素半导体层设置在所述基底上，并且包括位于所述第三区域中的第三像素漏极区域；第三像素连接金属，所述第三像素连接金属设置在所述层间绝缘层上，并且通过被限定在所述层间绝缘层中的第三像素层间接触孔与所述第三像素漏极区域接触，所述层间绝缘层覆盖所述第三像素半导体层；第三像素桥接电极，所述第三像素桥接电极设置在所述保护绝缘层上，并且通过被限定在所述保护绝缘层中的第三像素保护接触孔与所述第三像素连接金属接触，所述保护绝缘层覆盖所述第三像素连接金属；以及第三像素电极，所述第三像素电极设置在所述平坦化层上，并且通过被限定在所述平坦化层中的第三像素接触孔连接到所述第三像素桥接电极，所述平坦化层覆盖所述第三像素桥接电极。18.根据权利要求17所述的有机发光显示设备，其中，当在垂直于所述基底的方向上观察时，所述第三像素接触孔被限定在所述第三像素保护接触孔的外部。19.根据权利要求17所述的有机发光显示设备，其中，当在垂直于所述基底的方向上观察时，所述第三像素接触孔被限定在所述第三像素连接金属的外部。20.根据权利要求17所述的有机发光显示设备，其中，所述第二像素接触孔和所述第三像素接触孔被限定在所述第一区域中。21.根据权利要求17所述的有机发光显示设备，其中，所述第二像素接触孔被限定在所述第一区域中，并且所述第三像素接触孔被限定在所述第二区域中。22.根据权利要求20所述的有机发光显示设备，其中，所述第二像素电极的面积大于所述第一像素电极的面积，并且所述第三像素电极的面积大于所述第二像素电极的所述面积。

技术总结
一种有机发光显示设备，包括：半导体层，所述半导体层包括漏极区域；层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述半导体层；连接金属，所述连接金属位于所述层间绝缘层上，并且通过位于所述层间绝缘层中的层间接触孔与所述漏极区域接触；保护绝缘层，所述保护绝缘层覆盖所述连接金属；桥接电极，所述桥接电极位于所述保护绝缘层上，并且通过位于所述保护绝缘层中的保护接触孔与所述连接金属接触；平坦化层，所述平坦化层覆盖所述桥接电极；以及像素电极，所述像素电极位于所述平坦化层上，并且通过位于所述平坦化层中的像素接触孔连接到所述桥接电极。在平面图中，所述像素接触孔被限定在所述保护接触孔的外部。述保护接触孔的外部。述保护接触孔的外部。


技术研发人员：金志允
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.05.18
技术公布日：2021/12/2