半导体封装方法及半导体封装结构与流程

技术特征：
1.一种半导体封装方法，其特征在于，其包括：在第一待封装裸片的正面形成第一保护层；在第二待封装裸片的正面形成第二保护层，且将正面形成有所述第一保护层的所述第一待封装裸片通过所述第二保护层层叠固定在所述第二待封装裸片的正面，所述第二保护层远离所述第二待封装裸片的一面与所述第一保护层远离所述第一待封装裸片的一面平齐；将叠设的所述第一待封装裸片和所述第二待封装裸片贴装于载板上，所述第一待封装裸片和所述第二待封装裸片的背面均朝上，正面均朝向所述载板；形成包封层，所述包封层形成在所述第二待封装裸片的背面以及露出的所述载板上。2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述在第二待封装裸片的正面形成第二保护层，且将正面形成有所述第一保护层的所述第一待封装裸片通过所述第二保护层层叠固定在所述第二待封装裸片的正面中，所述半导体封装方法包括：在所述第二待封装裸片的正面施加所述第二保护层；初步加热所述第二保护层后，将正面形成有所述第一保护层的所述第一待封装裸片通过所述第二保护层施加到所述第二待封装裸片的正面的预定位置；继续加热所述第二保护层，所述第二保护层受热固化，所述第一待封装裸片随着所述第二保护层固化到所述第二待封装裸片的正面。3.如权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，所述初步加热的时间为30秒～60秒，温度为80度～120度；所述继续加热的时间为1小时～4小时，温度为190度～200度。4.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在将正面形成有所述第一保护层的所述第一待封装裸片通过所述第二保护层层叠固定在所述第二待封装裸片的正面之前，所述半导体封装方法包括：研磨所述第一待封装裸片的背面；和/或，在第二待封装裸片的正面形成第二保护层之前，所述半导体封装方法包括：研磨所述第二待封装裸片的背面。5.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成所述包封层之后，所述半导体封装方法包括：剥离所述载板，露出所述第一待封装裸片和所述第二待封装裸片的正面。6.如权利要求5所述的半导体封装方法，其特征在于，在露出所述第一待封装裸片和所述第二待封装裸片的正面之后，所述半导体封装方法包括：在所述第一保护层上形成第一保护层开口，所述第一保护层开口位于所述第一待封装裸片的焊垫处；在所述第二保护层上形成第二保护层开口，所述第二保护层开口位于所述第二待封装裸片的焊垫处；在所述第一待封装裸片和所述第二待封装裸片的正面形成再布线结构，所述再布线结构通过所述第一保护层开口与所述第一待封装裸片上的焊垫电连接、通过第二保护层开口与所述第二待封装裸片上的焊垫电连接。7.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在将正面形成有所述第一保护层的所述第一待封装裸片通过所述第二保护层层叠固定在所述第二待封装裸片的正面之后，将所述第一待封装裸片和所述第二待封装裸片贴装于载板上之前，所述半导体封装方法包
括：在所述第一保护层上与所述第一待封装裸片的焊垫相对应的位置处形成第一保护层开口、以及在所述第二保护层上与所述第二待封装裸片的焊垫相对应的位置处形成第二保护层开口。8.如权利要求7所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述第一保护层上与所述第一待封装裸片的焊垫相对应的位置处形成第一保护层开口、以及在所述第二保护层上与所述第二待封装裸片的焊垫相对应的位置处形成第二保护层开口之后，所述半导体封装方法包括：在所述第一保护层开口内填充第一导电介质，使得所述第一导电介质与所述第一待封装裸片的正面的焊垫电连接、以及在所述第二保护层开口内填充第二导电介质，使得所述第二导电介质与所述第二待封装裸片的正面的焊垫电连接。9.如权利要求8所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成所述包封层之后，所述半导体封装方法包括：剥离所述载板，露出所述第一待封装裸片和所述第二待封装裸片的正面；在所述第一待封装裸片和所述第二待封装裸片的正面形成再布线结构，所述再布线结构通过所述第一导电介质与所述第一待封装裸片上的焊垫电连接、通过所述第二导电介质与所述第二待封装裸片上的焊垫电连接。10.一种半导体封装结构，其特征在于，其包括：包封层，设有内凹的多个腔体；层叠设置的第一裸片和第二裸片，所述第一裸片和第二裸片均位于所述腔体内，且所述第二裸片的背面朝向所述腔体的底部，所述第一裸片的背面朝向所述第二裸片的正面；第一保护层，形成于所述第一裸片的正面，且所述第一保护层上形成有第一保护层开口，所述第一保护层开口位于所述第一裸片正面的焊垫对应位置处；第二保护层，形成于所述第二裸片的正面，且所述第二保护层上形成有第二保护层开口，所述第二保护层开口位于所述第二裸片正面的焊垫对应位置处，所述第一裸片通过所述第二保护层固定于所述第二裸片的正面，且所述第二保护层远离所述第二裸片的一面与所述第一保护层远离所述第一裸片的一面平齐；再布线结构，形成于所述第一裸片和所述第二裸片的正面，用于将所述第一裸片和所述第二裸片的正面的焊垫引出。11.如权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一裸片的投影位于所述第二裸片的外周缘之内。12.如权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一裸片的数量为多个，多个所述第一裸片平铺于所述第二裸片的正面，且多个所述第一裸片的投影均位于所述第二裸片的外周缘之内。13.如权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一裸片的厚度小于所述第二裸片的厚度。

技术总结
本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。该半导体封装方法包括：在第一待封装裸片的正面形成第一保护层；在第二待封装裸片的正面形成第二保护层，且将正面形成有第一保护层的第一待封装裸片通过第二保护层层叠固定在第二待封装裸片的正面，第二保护层远离第二待封装裸片的一面与第一保护层远离第一待封装裸片的一面平齐；将叠设的第一待封装裸片和第二待封装裸片贴装于载板上，第一待封装裸片和第二待封装裸片的背面均朝上，正面均朝向载板；形成包封层，包封层形成在第二待封装裸片的背面以及露出的载板上。本申请的半导体封装结构具有体积小，结构紧凑的优势，适合小型轻量电子设备。型轻量电子设备。型轻量电子设备。


技术研发人员：周辉星
受保护的技术使用者：矽磐微电子（重庆）有限公司
技术研发日：2020.03.27
技术公布日：2021/11/29