射频功率放大电路的制作方法

1.本实用新型涉及射频技术领域，尤其涉及一种射频功率放大电路。


背景技术：

2.射频功率放大器是移动通信系统的重要组成部分，作为发射通道最后的放大单元，其作用是将小功率的射频输入信号进行放大后送往天线发射。
3.目前除了对射频功率放大器的线性度和效率有较高的要求之外，还需要保证射频功率放大器中的谐波分量尽可能地小，以避免对其他频道产生干扰。而射频功率放大器在工作过程中不可避免地会产生谐波信号，导致射频功率放大器的aclr(adjacent channel leakage ratio，相邻频道泄漏比，简称aclr)无法满足实际的需求。因此如何使射频功率放大器的aclr符合实际的需求成为亟待解决的技术问题。


技术实现要素：

4.本实用新型实施例提供一种射频功率放大电路，以解决射频功率放大器的aclr较高的问题。
5.一种射频功率放大电路，包括谐波抑制节点和第一供电电源端，在所述谐波抑制节点和所述第一供电电源端之间设有第一谐波抑制电路，所述第一谐波抑制电路被配置为对所述谐波抑制节点上的谐波信号进行抑制。
6.进一步地，所述第一供电电源端被配置为接收第一供电电源提供的第一馈电电源信号，并将所述第一馈电电源信号提供至所述射频功率放大电路的射频信号输入路径，所述谐波抑制节点设置在所述射频功率放大电路的射频信号输入路径上。
7.进一步地，所述射频功率放大电路还包括功率放大器，所述第一供电电源端被配置为接收第一供电电源提供的第一馈电电源信号，并将所述第一馈电电源信号提供至所述功率放大器的输出节点，所述谐波抑制节点设置在所述射频功率放大电路的射频信号输出路径上。
8.进一步地，所述射频功率放大电路还包括第一偏置电路，所述第一偏置电路包括第一偏置晶体管，所述第一偏置晶体管的第一端和第一偏置电源端口相连，所述第一偏置晶体管的第二端与所述第一供电电源端相连，所述第一偏置晶体管的第三端通过第一电阻耦合所述射频功率放大电路的射频信号输入路径上。
9.进一步地，所述射频功率放大电路还还包括第二偏置电路，所述第二偏置电路包括第二偏置晶体管，所述第二偏置晶体管的第一端和第二偏置电源端口相连，所述第二偏置晶体管的第二端与第二供电电源端相连，所述第二偏置晶体管的第三端通过第二电阻耦合所述射频功率放大电路的射频信号输入路径上；
10.在所述谐波抑制节点和所述第二供电电源端之间设有第二谐波抑制电路，所述第二谐波抑制电路被配置为对所述谐波抑制节点上的谐波信号进行抑制。
11.进一步地，所述第二谐波抑制电路的谐振频率点和所述第一谐波抑制电路的谐振
频率点不同。
12.进一步地，所述功率放大器通过输入端、射频信号输入路径以及输入节点接收输入的射频输入信号，并将放大后的射频输入信号通过输出节点、射频信号输出路径以及输出端输出；所述第一供电电源端还通过负载电路提供馈电电源信号至所述功率放大器的输出节点。
13.进一步地，所述第一谐波抑制电路被配置为对所述谐波抑制节点上的二次谐波信号进行抑制。
14.进一步地，所述第一谐波抑制电路包括串联连接的第一电感和第一电容。
15.进一步地，所述第二谐波抑制电路包括串联连接的第二电感和第二电容。
16.上述射频功率放大电路，射频功率放大电路包括谐波抑制节点和第一供电电源端，在谐波抑制节点和第一供电电源端之间设有第一谐波抑制电路，第一谐波抑制电路被配置为对谐波抑制节点上的谐波信号进行抑制，本技术通过将谐波抑制节点上的谐波信号通过第一谐波抑制电路释放到第一供电电源端，从而降低了射频功率放大电路的aclr，使射频功率放大电路的aclr达到标准的需求，以保证射频功率放大电路的整体性能。
附图说明
17.为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对本实用新型实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
18.图1是本实用新型一实施例中射频功率放大电路的一电路示意图；
19.图2是本实用新型一实施例中射频功率放大电路的另一电路示意图；
20.图3是本实用新型一实施例中射频功率放大电路的另一电路示意图；
21.图4是本实用新型一实施例中射频功率放大电路的另一电路示意图。
22.图中：10、谐波抑制节点；20、第一供电电源端；30、第一谐波抑制电路；40、功率放大器；50、第一偏置电路；51、第一分压单元；60、第二偏置电路；61、第二分压单元；70、负载电路；80、第二谐波抑制电路；90、第二供电电源端。
具体实施方式
23.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
24.应当理解的是，本实用新型能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本实用新型的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。
25.应当明白，当元件或层被称为“在
…
上”、“与
…
相邻”、“与
…
相连”、“相连到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、相连或耦合到其它元
件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在
…
上”、“与
…
直接相邻”、“直接相连到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本实用新型教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
26.空间关系术语例如“在
…
下”、“在
…
下面”、“下面的”、“在
…
之下”、“在
…
之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在
…
下面”和“在
…
下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
27.在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本实用新型的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
28.为了彻底理解本实用新型，将在下列的描述中提出详细的结构及步骤，以便阐释本实用新型提出的技术方案。本实用新型的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本实用新型还可以具有其他实施方式。
29.如图1所示，本实施例提供一种射频功率放大电路，包括谐波抑制节点10和第一供电电源端20，在谐波抑制节点10和第一供电电源端20之间设有第一谐波抑制电路30，第一谐波抑制电路30被配置为对谐波抑制节点10上的谐波信号进行抑制。
30.其中，谐波抑制节点10为射频功率放大电路中可能会存在谐波信号的节点。在一具体实施例中，谐波抑制节点10可以为射频功率放大电路的射频信号输入路径上的节点，也可以为射频功率放大电路的射频信号输出路径上的节点，或者等任意可能会产生谐波信号的节点。
31.具体地，将谐波抑制节点10中的谐波信号通过第一谐波抑制电路30释放到第一供电电源端20。可选地，第一供电电源端20通常会有一个电容值较大的旁路电容到接地端(图中未示出)，该旁路电容能够对谐波信号进行吸收，从而对功率放大器40的输入端上的谐波抑制节点10中的谐波信号进行抑制，进而降低射频功率放大电路的aclr。需要说明的是，第一供电电源端20可以是射频功率放大电路中的任意供电端，只需要保证谐波抑制节点10与第一供电电源端20之间通过第一谐波抑制电路30连接即可。在本实施例中，第一谐波抑制电路30可以对谐波抑制节点10上的任意阶次的谐波信号进行抑制。例如：该谐波信号可以是低次谐波信号或高次谐波信号。低次谐波信号例如可以是二次谐波信号或三次谐波信号等。高次谐波信号例如可以是四次谐波信号、五次谐波信号或六次谐波信号等。
32.在一具体实施例中，第一谐波抑制电路30为由电容和电感组成的谐振电路。优选
地，第一谐波抑制电路30为由电容和电感串联形成的谐振电路。根据谐振频率计算公式：其中。fo为第一谐波抑制电路30所需抑制的谐波信号的谐振频率，l为第一谐波抑制电路30中电感的电感值，c为第一谐波抑制电路30中电容的电容值可知，当第一谐波抑制电路30的谐振频率与谐波抑制节点10中所需抑制的谐波信号的频率相同时，便能够实现将谐波抑制节点10中对应频率的谐波信号释放到第一供电电源端20。
33.如图2所示，在一具体实施例中，射频功率放大电路包括功率放大器40，功率放大器40被配置为对射频输入信号进行放大，输出射频放大信号。作为一示例，射频功率放大电路还包括输入端和输出端。输入端通过射频信号输入路径与功率放大器40的输入节点相连。功率放大器40的输出节点通过射频信号输出路径与输出端相连。优选地，为了对射频输入信号中的直流信号进行阻隔，在射频功率放大电路的输入端和功率放大器40的输入节点相连的射频信号输入路径上还设有第三电容c3，该第三电容c3被配置对射频输入信号中的直流信号进行阻隔，以提高输入至功率放大器40的输入节点中的射频入信号的质量。
34.如图1所示，在一具体实施例中，谐波抑制节点10设置在射频信号的传输路径上，例如图1中的a点，a点可以是射频信号输入路径，射频信号输入路径上的谐波波抑制节点10通过第一谐波抑制电路30与第一馈电电源端相连，以将射频信号输入路径上的谐波抑制节点10中的谐波信号，通过第一谐波抑制电路30释放到第一供电电源端20，从而对射频信号输入路径上的谐波抑制节点10中的谐波信号进行抑制，降低射频功率放大电路的aclr。
35.如图1所示，具体地，谐波抑制节点10也可以设置在射频信号输出路径，例如图1中的a点，即a点也可以是射频信号输出路径，第一馈电电源端与谐波抑制节点10相连，第一谐波抑制电路30一端连接至谐波抑制节点10，另一端与第一馈电电源端相连，射频信号输出路径上的谐波抑制节点10中的谐波信号通过第一谐波抑制电路30释放到第一供电电源端20，从而对射频信号输出路径上的谐波抑制节点10中的谐波信号进行抑制，从而降低射频功率放大电路的aclr。
36.作为一示例，由于谐波信号会导致功率放大器40的输出端的aclr较高，从而影响射频功率放大电路的整体性能。本技术将谐波抑制节点10中的谐波信号通过第一谐波抑制电路30释放到第一供电电源端20，实现对谐波信号的抑制，从而降低了射频功率放大电路的aclr，使射频功率放大电路的aclr达到标准的需求，以保证射频功率放大电路的整体性能。
37.可以理解地，本实施例通过将谐波抑制节点10上的谐波信号通过第一谐波抑制电路30释放到第一供电电源端20，而不需要考虑在射频功率放大电路中额外设置接地端，从而还能减少电路成本和提高射频功率放大电路的灵活性和集成度。
38.在本实施例中，射频功率放大电路包括谐波抑制节点10和第一供电电源端20，在谐波抑制节点10和第一供电电源端20之间设有第一谐波抑制电路30，第一谐波抑制电路30被配置为对谐波抑制节点10上的谐波信号进行抑制，从而降低对射频功率放大电路的aclr，使射频功率放大电路的aclr达到标准的需求，以保证射频功率放大电路的整体性能。
39.如图1所示，在一实施例中，第一供电电源端20被配置为接收第一供电电源(图中未示出)提供的第一馈电电源信号，并将第一馈电电源信号提供至射频功率放大电路的射频信号输入路径，谐波抑制节点10设置在射频功率放大电路的射频信号输入路径上。
40.在一具体实施例中，由于输入端接收的射频输入信号需经过射频信号输入路径输入至功率放大器40中进行放大处理，因此，射频信号输入路径中会不可避免地存在一些谐波信号。因此，本技术中的谐波抑制节点10设置在射频功率放大电路的射频信号输入路径上。
41.其中，第一供电电源端20接收外部的第一供电电源输出的第一馈电电源信号，并将第一馈电电源信号提供至射频功率放大电路的射频信号输入路径。可以理解地，本实施例中的第一供电电源端20与射频功率放大电路的射频信号输入路径直接或间接相连，以实现将第一馈电电源信号提供至射频功率放大电路的射频信号输入路径。
42.如图3所示，优选地，在一具体实施例中，第一供电电源端20为设置在偏置电路中的供电电源端。第一供电电源端20将第一供电电源(图中未示出)提供的第一馈电电源信号通过偏置电路中的偏置晶体管提供至射频功率放大电路的射频信号输入路径上，以实现偏置电路为射频功率放大电路中的功率放大器40提供偏置信号，确保射频功率放大电路中的功率放大器40能正常工作。
43.可选地，第一供电电源端20一端与第一供电电源相连，第一供电电源端20另一端连接至射频功率放大电路的射频信号输入路径，被配置为接收第一供电电源提供的第一馈电电源信号，并将第一馈电电源信号提供至射频功率放大电路的射频信号输入路径。优选地，第一谐波抑制电路30一端与第一供电电源端20相连，另一端与设置射频信号输入路径上的谐波抑制节点10相连，如图3所示中的a点，该谐波抑制节点10上的谐波信号便通过第一谐波抑制电路30释放至第一供电电源端20。
44.在本实施例中，第一供电电源端20被配置为接收第一供电电源提供的第一馈电电源信号，并将第一馈电电源信号提供至射频功率放大电路的射频信号输入路径，谐波抑制节点10设置在射频功率放大电路的射频信号输入路径上，从而对射频功率放大电路的射频信号输入路径上的谐波抑制节点10中的谐波信号进行抑制，进而降低射频功率放大电路的aclr，保证射频功率放大电路的整体性能。
45.如图2所示，在一实施例中，射频功率放大电路还包括功率放大器40，第一供电电源端20被配置为接收第一供电电源提供的第一馈电电源信号，并将第一馈电电源信号提供至功率放大器40的输出节点，谐波抑制节点10设置在射频功率放大电路的射频信号输出路径上。
46.在一具体实施例中，射频功率放大电路包括功率放大器40。可选地，该功率放大器40包括放大晶体管m41。可选地，该放大晶体管m41可以是bjt晶体管(例如，hbt晶体管)或者场效应晶体管。
47.作为一示例，第一供电电源端20的一端与第一供电电源相连，第一供电电源端20的另一端通过负载电路70连接至功率放大器40的输出节点，第一供电电源端20接收第一供电电源提供的第一馈电电源信号，并将第一馈电电源信号提供至功率放大器40的输出节点。其中，负载电路70优选为负载电感。
48.在一具体实施例中，谐波抑制节点10设置在射频功率放大电路的射频信号输出路径，如图2所示的b点。
49.在一具体实施例中，功率放大器40包括放大晶体管m41，放大晶体管m41的基极(栅极)通过射频信号输入路径与输入端相连，放大晶体管m41的集电极(源极)通过射频信号输
出路径与输出端相连，且通过负载电路7020与第一供电电源相连，放大晶体管m41的发射极(漏极)与接地端相连，被配置为对射频输入信号进行放大，输出射频放大信号；第一供电电源端20一端与第一供电电源相连，第一供电电源端20的另一端通过负载电路70连接至放大晶体管m41的集电极(源极)，被配置为接收第一供电电源提供的第一馈电电源信号，并将第一馈电电源信号提供至功率放大器40的集电极(源极)；谐波抑制节点10设置在射频功率放大电路的射频信号输出路径上，第一谐波抑制电路30的一端与该谐波抑制节点10相连，另一端与第一供电电源端20相连，从而实现对谐波信号的抑制，降低功率放大器40的输出端的的aclr，使射频功率放大电路的aclr达到标准的需求，以保证射频功率放大电路的整体性能。
50.在本实施例中，射频功率放大电路还包括功率放大器40，第一供电电源端20被配置为接收第一供电电源提供的第一馈电电源信号，并将第一馈电电源信号提供至功率放大器40的输出节点，谐波抑制节点10设置在射频功率放大电路的射频信号输出路径上，对谐波信号的抑制，降低功率放大器40的输出端的的aclr，使射频功率放大电路的aclr达到标准的需求，以保证射频功率放大电路的整体性能。
51.在一实施例中，所述射频功率放大电路还包括第一偏置电路50，所述第一偏置电路50包括第一偏置晶体管m51，所述第一偏置晶体管m51的第一端和第一偏置电源端口相连，所述第一偏置晶体管m51的第二端与所述第一供电电源端20相连，所述第一偏置晶体管m51的第三端通过第一电阻耦合所述射频功率放大电路的射频信号输入路径上。其中，第一偏置电源端口为用于接收偏置电源信号的端口。
52.如图3所示，在一实施例中，射频功率放大电路还包括第一偏置电源端s1，第一偏置电源端s1通过第一分压单元51与接地端相连，第一偏置电源端s1通过第一偏置电源端口与第一偏置晶体管m51的第一端相连，第一偏置晶体管m51的第二端与第一供电电源端20相连，第一偏置晶体管m51的第三端通过第一电阻r51耦合射频功率放大电路的射频信号输入路径上。
53.优选地，第一偏置电源端s1可以是恒流源，提供恒定电流作为输入电流，保证输出的偏置电流的稳定性。可选地，第一偏置晶体管m51可以是bjt晶体管(例如，hbt晶体管)或者场效应晶体管。
54.在一具体实施例中，第一偏置电源端s1通过第一分压单元51与接地端相连，第一偏置电源端s1通过第一偏置电源端口与第一偏置晶体管m51的基极(栅极)相连，第一偏置晶体管m51的集电极(源极)与第一供电电源端20相连，第一偏置晶体管m51的发射极(漏极)通过第一电阻r51耦合射频功率放大电路的射频信号输入路径上，以使第一偏置电源端s1输出的偏置电流经过第一分压单元51进行分压之后，再加载于第一偏置晶体管m51的基极(栅极)，以使第一偏置晶体管m51的发射极(漏极)向射频功率放大电路的输入路径输入偏置电流。可理解地，通过第一分压单元51的分压，可稳定偏置电流的的静态工作点。可选地，第一分压电路51包括串联连接的第一二极管d511和第二二极管d512，以实现对第一偏置电源端s1输出的偏置电流进行分压。
55.在一具体实施例中，第一偏置晶体管m51的发射极(漏极)与第一电阻r51的第一端相连，第一电阻r51的第二端连接至射频功率放大电路的射频信号输入路径，谐波抑制节点10设置在第一电阻r51的第二端，第一谐波抑制电路30一端与该谐波抑制节点10相连，另一
端与第一供电电源端20相连。需要说明的是，将谐波抑制节点10设置在第一电阻r51的第二端，相比于将谐波抑制节点10设置在第一电阻r51的第一端，能够避免第一电阻r51阻碍谐波信号的释放，从而保证对谐波信号进行更有效抑制。
56.在本实施例中，所述射频功率放大电路还包括第一偏置电路50，所述第一偏置电路50包括第一偏置晶体管，所述第一偏置晶体管的第一端和第一偏置电源端口相连，所述第一偏置晶体管的第二端与所述第一供电电源端20相连，所述第一偏置晶体管的第三端通过第一电阻耦合所述射频功率放大电路的射频信号输入路径上，通过利用与第一偏置电路50中的第一供电电源端20对谐波信号进行抑制，而不需要重新设置接地端，便能够在降低谐波信号对射频功率放大电路的aclr的影响，保证射频功率放大电路的整体性能的同时，减少射频功率放大电路成本，提高电路设计的灵活度和集成度。
57.在一实施例中，所述射频功率放大电路还还包括第二偏置电路60，所述第二偏置电路60包括第二偏置晶体管，所述第二偏置晶体管的第一端和第二偏置电源端口相连，所述第二偏置晶体管的第二端与第二供电电源端90相连，所述第二偏置晶体管的第三端通过第二电阻耦合所述射频功率放大电路的射频信号输入路径上。其中，第二偏置电源端口为用于接收偏置电源信号的端口。
58.在所述谐波抑制节点10和所述第二供电电源端90之间设有第二谐波抑制电路80，所述第二谐波抑制电路80被配置为对所述谐波抑制节点10上的谐波信号进行抑制。
59.如图4所示，射频功率放大电路还还包括第二偏置电源端s2，第二偏置电源端s2通过第二分压单元61与接地端相连，第二偏置电源端s2通过第二偏置电源端口与第二偏置晶体管m61的第一端相连，第二偏置晶体管m61的第二端与第二供电电源端90相连，第三端通过第二电阻r61耦合射频功率放大电路的射频信号输入路径上；在谐波抑制节点10和第二供电电源端90之间设有第二谐波抑制电路80，第二谐波抑制电路80被配置为对谐波抑制节点10上的谐波信号进行抑制。
60.优选地，第二偏置电源端s2可以是恒流源，提供恒定电流作为输入电流，保证输出的偏置电流的稳定性。可选地，第二偏置晶体管m61可以是bjt晶体管(例如，hbt晶体管)或者场效应晶体管。
61.在一具体实施例中，第二偏置电源端s2通过第二分压单元61与接地端相连，第二偏置电源端s2与第二偏置晶体管m61的基极(栅极)相连，第二偏置晶体管m61的集电极(源极)与第二供电电源端90相连，第二偏置晶体管m61的发射极(漏极)通过第二电阻r61耦合射频功率放大电路的射频信号输入路径上，以使第二偏置电源端s2输出的偏置电流经过第二分压单元61进行分压之后，再加载于第二偏置晶体管m61的基极(栅极)，以使第二偏置晶体管m61的发射极(漏极)向射频功率放大电路的输入路径输入偏置电流。可理解地，通过第二分压单元61的分压，可稳定偏置电流的的静态工作点。可选地，第二分压电路61包括串联连接的第三二极管d611和第四二极管d612，以实现对第二偏置电源端s2输出的偏置电流进行分压。
62.在一具体实施例中，第二偏置晶体管m61的发射极(漏极)与第二电阻r61的第一端相连，第二电阻r61的第二端连接至射频功率放大电路的射频信号输入路径，谐波抑制节点10设置在第二电阻r61的第二端，第二谐波抑制电路80一端与该谐波抑制节点10相连，另一端与第二供电电源端90相连。需要说明的是，将谐波抑制节点10设置在第二电阻r61的第二
端，相比于将谐波抑制节点10设置在第二电阻r61的第一端，能够避免第二电阻r61阻碍谐波信号的释放，从而保证对谐波信号进行抑制。
63.在本实施例中，射频功率放大电路还包括第二偏置电路60，第二偏置电路60包括第二偏置晶体管m61，第第二偏置晶体管m61的第一端与第二偏置电源端口相连，第二偏置晶体管m61的第二端与第二供电电源端90相连，第二偏置晶体管m61的第三端通过第二电阻r61耦合射频功率放大电路的射频信号输入路径上，通过利用与第二偏置电路60中的第二供电电源端90对谐波信号进行抑制，而不需要重新设置接地端，便能够在降低谐波信号对射频功率放大电路的aclr的影响，保证射频功率放大电路的整体性能的同时，减少射频功率放大电路成本，提高电路设计的集成度。
64.在一实施例中，第二谐波抑制电路80的谐振频率点和第一谐波抑制电路30的谐振频率点不同。
65.在本实施例中，第二谐波抑制电路80的谐振频率点和第一谐波抑制电路30的谐振频率点不同，第一谐波抑制电路30和第二谐波抑制电路80便能够分别对不同频率的谐波信号进行抑制，从而提高射频功率放大电路对谐波信号的抑制能力，进一步降低谐波信号对射频功率放大电路的aclr的影响，保证射频功率放大电路的整体性能。
66.在一实施例中，功率放大器40通过输入端、射频信号输入路径以及输入节点接收输入的射频输入信号，并将放大后的射频输入信号通过输出节点、射频信号输出路径以及输出端输出；第一供电电源端20还通过负载电路70提供馈电电源信号至功率放大器40的输出节点。
67.在一具体实施例中，功率放大器40可以通过输入端、射频信号输入路径以及输入节点输入的射频输入信号，在功率放大器40的输入端、射频信号输入路径以及输入节点均能够设置谐波抑制节点10，通过在该谐波抑制节点10与第一供电电源端20之间的第一谐波抑制电路30将该谐波抑制节点10上的谐波信号释放至第一供电电源端20。
68.在一具体实施例中，功率放大器40将放大后的射频输入信号通过输出节点、射频信号输出路径以及输出端输出，在输出节点、射频信号输出路径以及输出端均能够设置谐波抑制节点10，通过该谐波抑制节点10与第一供电电源端20之间的第一谐波抑制电路30将该谐波抑制节点10上的谐波信号释放至第一供电电源端20。
69.在一具体实施例中，第一供电电源端20还通过负载电路70提供馈电电源信号至功率放大器40的输出节点，优选地，该负载电路70包括第三电感l71。本示例中，第一供电电源端20通过第三电感l71与功率放大器40的输出节点相连，提供馈电电源信号至功率放大器40的输出节点。
70.在本实施例中，功率放大器40通过输入端、射频信号输入路径以及输入节点接收输入的射频输入信号，并将放大后的射频输入信号通过输出节点、射频信号输出路径以及输出端输出，由于功率放大器40为非线性元件，因此功率放大器40在通过输入端、射频信号输入路径以及输入节点接收输入的射频输入信号，并将放大后的射频输入信号通过输出节点、射频信号输出路径以及输出端输出的过程中均可能产生谐波信号，通过在功率放大器40的射频信号输入路径或射频信号输出路径中设置谐波抑制节点10，并在该谐波抑制节点10与第一供电电源端20之间设置第一谐波抑制电路30，第一谐波抑制电路30将该谐波抑制节点10上的谐波信号释放至第一供电电源端20，从而实现对谐波信号的抑制。
71.在一实施例中，第一谐波抑制电路30被配置为对谐波抑制节点10上的二次谐波信号进行抑制。
72.在本实施例中，由于射频功率放大电路的aclr主要是由射频功率放大电路中的二次谐波信号影响的，因此，通过合理设置第一谐波抑制电路30的谐振频率点，即使第一谐波抑制电路30的谐振频率点与射频功率放大电路中的二次谐波信号的频率相同，从而实现对谐波抑制节点10上的二次谐波信号进行抑制。
73.在一实施例中，第一谐波抑制电路30包括串联连接的第一电感l31和第一电容c31。
74.如图4所示，在本实施例中，第一谐波抑制电路30包括串联连接的第一电感l31和第一电容c31，通过合理设置第一电感l31的电感值和第一电容c31的电容值，将第一谐波抑制电路30的谐振频率点与谐波信号的频率相一致，实现对谐波信号的抑制。
75.如图4所示，在一实施例中，第二谐波抑制电路80包括串联连接的第二电感l81和第二电容c81。
76.在本实施例中，第二谐波抑制电路80包括串联连接的第二电感l81和第二电容c81，通过合理设置第二电感l81的电感值和第二电容c81的电容值，将第二谐波抑制电路80的谐振频率点与谐波信号的频率相一致，实现对谐波信号的抑制。
77.以上所述实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本实用新型的保护范围之内。