乙基香兰素羧甲基壳聚糖包埋紫杉醇的纳米粒子制备方法与流程

7.2)中，充分溶解以后，超声30min后静置12h，过0.45um 滤膜，得ev
‑
cmcs空白胶束。
12.本发明的优点如下：
13.发明是基于壳聚糖(cs)为起始原料，经过碱化处理得到羧甲基化壳聚糖 (cmcs),乙基香兰素(ev)与cmcs通过形成席夫碱反应制备乙基香兰素
ꢀ‑
壳聚糖(ev
‑
cmcs)复合物，该制备过程简单、成品率高、成本低，容易实现产业化推广。
附图说明
14.图1为本发明所述乙基香兰素羧甲基壳聚糖(ev
‑
cmcs)包埋紫杉醇的纳米粒子制备方法的ev/cmcs合成技术路线图((a)cs；(b)cmcs；(c)ev/cmcs)；
15.图2为本发明所述乙基香兰素羧甲基壳聚糖包埋紫杉醇的纳米粒子制备方法的ft
‑
ir光谱图(cmcs(a)，ev(b)，ev
‑
cmcs(c))；
16.图3为本发明所述乙基香兰素羧甲基壳聚糖包埋紫杉醇的纳米粒子制备方法的x
‑
射线衍射图谱(ev(a)、cmcs(b)、ev
‑
cmcs(c))；
17.图4为本发明所述乙基香兰素羧甲基壳聚糖包埋紫杉醇的纳米粒子制备方法的紫外
‑
可见光谱(cmcs(a)、ev(b)和ev
‑
cmcs(c))；
18.图5为本发明所述乙基香兰素羧甲基壳聚糖包埋紫杉醇的纳米粒子制备方法的tga图(cmcs(a)、ev(b)和ev
‑
cmcs(c))；
19.图6为本发明所述乙基香兰素羧甲基壳聚糖包埋紫杉醇的纳米粒子制备方法的的1hnmr图(ev(a)、cmcs(b)、ev
‑
cmcs(c))；
20.图7为本发明所述乙基香兰素羧甲基壳聚糖包埋紫杉醇的纳米粒子制备方法的ev
‑
cmcs(a)与ev
‑
cmcs包埋ptx(b)的sem图。
具体实施方式
21.下面对本发明作进一步的说明，但本发明并不局限于这些内容。
22.实施例
23.1、如图1所示，乙基香兰素羧甲基壳聚糖包埋紫杉醇的纳米粒子制备方法，包括以下步骤：
24.步骤一：cmcs的合成：称取3.0g壳聚糖，加入30ml 10mol/l的氢氧化钠，在室温下搅拌碱化6h；配制70ml 4mol/l的2
‑
氯乙酸/异丙醇溶液，在搅拌状态下逐滴加入到碱化后的壳聚糖混悬液中，在30℃水浴中搅拌反应5h；停止反应，用盐酸将反应液ph调至7.0，过滤，用70％乙醇洗3次，在60℃下烘箱干燥得终产物；
25.步骤二：ev
‑
cmcs的合成：取0.50gcmcs溶于40ml水溶液中，用乙酸溶液调ph至弱酸性，乙基香兰素(ev)与羧甲基壳聚糖(cs)单元摩尔比为 2:1；称取0.76g乙基香兰素(ev)溶解于10ml乙醇溶液中，在搅拌状态下将 ev/etoh溶液滴加到cmcs溶液中，将整个反应置于60℃的回流装置中搅拌5h；最后在搅拌状态下加入大量etoh，出现絮状物后停止加入，静置一段时间后抽滤，并分别用乙醇与丙酮洗涤滤渣，烘箱干燥，研磨成粉末，得到稳定的 ev
‑
cmcs样品；
26.步骤三：ev
‑
cmcs纳米载体的制备方法：称取30mgev
‑
cmcs溶于 10mlpbs缓冲液(ph 7.2)中，充分溶解以后，超声30min后静置12h，过0.45um 滤膜，得ev
‑
cmcs空白胶束。
27.2、表征
28.2.1合成表征
29.2.11 ft
‑
ir
30.如图2所示，cs谱图中，1134cm
‑1处为壳聚糖的一级醇羟基(c6‑
oh)特征吸收峰，890cm
‑1处为主链上的c2‑
nh2吸收峰。cmcs谱图中，壳聚糖的酰胺ⅰ带和酰胺ⅱ带缔合到了1630cm
‑1处，同时此处包含了
‑
coo
‑
的不对称伸缩振动峰。而1417cm
‑1处为
‑
coo
‑
的对称伸缩振动峰，920cm
‑1处为羧基中的o
‑
h 弯曲振动吸收峰，1255cm
‑1处的肩峰为羧基的c
‑
o振动峰，以上证明了羧基的存在。而1134cm
‑1处cs的c6‑
oh特征吸收峰消失，890cm
‑1处c2‑
nh2氨基吸收峰并未减弱，进一步证明了产物为发生在c6‑
oh端的羧甲基取代。ev
‑
cmcs 谱图中，壳聚糖主链上的酰胺ⅰ带和酰胺ⅱ带因分子间氢键的形成使电子云密度平均化，从而使伸缩振动频率降低，向低波数偏移至1616cm
‑1处，1519cm
‑1处为芳环的骨架振动，824cm
‑1处为三取代苯环的特征峰，而cmcs上890cm
‑1处的c2‑
nh2氨基吸收峰明显减弱，说明了乙基香兰素与羧甲基壳聚糖发生了席夫碱反应，ev成功接枝到了cmcs的nh2上。综上，成功合成ev
‑
cmcs。
31.2.1.2 xrd表征
32.如图3所示，ev改性的ev
‑
cmcs(c)在2θ＝20
°
处的峰偏移到了2θ＝22
°
处，同时衍射峰强度减弱，衍射峰变宽，证明乙基香兰素改性壳聚糖中的结晶形态发生了明显的改变。
33.2.1.3 uv
‑
vis表征
34.如图4所示，曲线b为ev的紫外吸收图谱，230nm处为k吸收带，由含有共轭双键的π
‑
π
*
跃迁所产生，284nm和309nm处为芳香化合物的两个特征吸收峰，分别为e1带和e2带。合成的ev
‑
cmcs紫外吸收峰分别红移到了231、 291、346nm。
35.2.1.4热重分析
36.如图5所示，第一阶段，从30～150℃左右，质量的损失主要为材料表面吸附的水分蒸发所致，cs、cmcs和ev
‑
cmcs分别损失14％、9％和10％；第二阶段，200～400℃，该阶段tga曲线迅速下降，这主要归因于吡喃环的热降解， cs、cmcs和ev
‑
cmcs分别损失53％、39％和34％；第三阶段，从400℃以后， cs、cmcs和ev
‑
cmcs将进一步发生分解并碳化，主要是残留碳的热降解。
37.2.1.5核磁分析
38.如图6所示，(b)显示了cmcs中质子的化学位移，δ＝4.4ppm附近为c1 上质子的信号峰；δ＝3.2～3.8ppm为c3、c4、c5和c6上质子的峰；δ＝4.3～4.5ppm 范围内为典型c6位被取代的羧甲基中质子的信号峰(
‑
och2cooh)；δ＝1.95ppm 处为乙酰氨基上的质子吸收峰。(c)显示了ev
‑
cmcs中质子的化学位移，δ＝4.5～ 3.5ppm处为壳聚糖骨架质子峰，δ＝6.5～7.5ppm处为乙基香兰素上苯环的特征吸收峰，δ＝1.96ppm处为乙酰氨基上的质子吸收峰，4.0ppm处和1.3ppm处为乙基香兰素上对位取代基上
‑
ch2和
‑
ch3的质子吸收峰。
39.2.2 ev
‑
cmcs纳米载体表征
40.如图7所示，ev
‑
cmcs纳米粒子的粒径在100
‑
150nm之间。当包埋ptx 后，其粒径反而降低到大约80
‑
120nm左右。
41.指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。