一种超低功率半导体功率器件的制作方法

技术特征：
1.一种超低功率半导体功率器件，其结构包括金属靶片(1)、硅框架(2)、合金片(3)、散热片(4)、铜底座(5)，其特征在于：所述的金属靶片(1)设于硅框架(2)内且贴合连接硅框架(2)，所述的硅框架(2)连接有合金片(3)，所述的合金片(3)底端贴合散热片(4)且二者相互连接，所述的散热片(4)设于铜底座(5)上方位置。2.根据权利要求1所述的一种超低功率半导体功率器件，其特征在于：所述的合金片(3)包括有片套(30)、阳极(31)、阴极(32)、隔磁环(33)、铁氧磁芯(34)，所述的片套(30)贯穿连接有阳极(31)与阴极(32)，所述的阳极(31)与阴极(32)相互间隔设立且在片套(30)内设有隔磁环(33)，所述的隔磁环(33)之间分布排列有铁氧磁芯(34)。3.根据权利要求2所述的一种超低功率半导体功率器件，其特征在于：所述的隔磁环(33)包括有导磁块(330)、引磁管(331)、永磁体(332)，所述的导磁块(330)顶端位置成环形状设有引磁管(331)，所述的引磁管(331)中端位置包围连接有永磁体(332)。4.根据权利要求2所述的一种超低功率半导体功率器件，其特征在于：所述的铁氧磁芯(34)包括有铁氧体(340)、气隙架(341)、陶瓷板(342)，所述的铁氧体(340)呈阶梯状分布贴合连接气隙架(341)，所述的陶瓷板(342)设于铁氧体(340)底部末端位置。5.根据权利要求4所述的一种超低功率半导体功率器件，其特征在于：所述的气隙架(341)包括有一号气隙层(3410)、树脂层(3412)、二号气隙层(3413)，所述的一号气隙层(3410)底端间隔设有树脂层(3412)，所述的树脂层(3412)与二号气隙层(3413)之间相互间隔分布。

技术总结
本发明公开了一种超低功率半导体功率器件，其结构包括金属靶片、硅框架、合金片、散热片、铜底座，金属靶片设于硅框架内且贴合连接硅框架，硅框架连接有合金片，合金片底端贴合散热片且二者相互连接，本发明具有的效果：通过铁氧体结合采用聚脂薄膜树脂材料充当填充物的气隙架结构对磁场进行分隔，通过分布式气隙的全新几何形状可减少电磁辐射及发热状况，通过在中间位置布置多个气隙，功率损失显著减少，降低功率损耗，从而解决现有半导体功率器件电流容量小，电量损耗大且耐压低的问题。电量损耗大且耐压低的问题。电量损耗大且耐压低的问题。


技术研发人员：林静修
受保护的技术使用者：林静修
技术研发日：2021.09.27
技术公布日：2021/11/24