用于单芯片micro-LED全彩显示的多量子阱外延生长方法与流程

技术特征：
1.一种用于单芯片micro
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led全彩显示的多量子阱外延生长方法，其特征在于，在同一个晶圆上生长包含多发射波长的多量子阱结构；再按照显示要求制备对应尺寸的micro
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led芯片阵列；并通过pwm方式改变驱动电流占空比来调制单芯片的显示亮度，从而实现单芯片多波长亮度均一的micro
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led显示；具体步骤为：步骤一：在外延衬底上生长u
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gan缓冲层以及si掺杂的n
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gan层；步骤二：在生长完n
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gan层后，根据不同显示要求，继续生长包含不同in组分的in
x
ga1‑
x
n/gan多量子阱结构；下标 x 的取值范围：0 ＜x ＜1 ；其中，所述生长不同in组分的in
x
ga1‑
x
n/gan多量子阱结构，包括：首先生长低in组分的in
x
ga1‑
x
n/gan多量子阱结构，然后生长高in组分的in
x
ga1‑
x
n/gan多量子阱结构；或者首先生长高in组分的in
x
ga1‑
x
n/gan多量子阱结构，然后生长低in组分的in
x
ga1‑
x
n/gan多量子阱结构；或者首先生长低in组分的in
x
ga1‑
x
n/gan多量子阱结构，然后过渡生长高in组分的in
x
ga1‑
x
n/gan多量子阱结构；步骤三：在生长包含多种in
x
ga1‑
x
n/gan结构的多量子阱后，继续生长p型电子阻挡层、p
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gan层以及沉积ito层；步骤四：采用micro
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led制备工艺，进行光刻、刻蚀、蒸镀金属步骤，制备得到micro
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led阵列；步骤五：将micro
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led阵列与驱动电路电路板焊接，然后采用pwm调控注入电流的占空比来控制发光像素亮度，实现显示内容。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤一中所述衬底选自蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底以及gan衬底。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤二中所述低in组分的多量子阱结构为能够发射蓝光或青光的波长，高in组分的多量子阱结构为能够发射绿光、黄光、橙红光或红光的波长。

技术总结
本发明属于半导体光电器件技术领域，具体为一种用于单芯片micro


技术研发人员：田朋飞 汪舟 袁泽兴 崔旭高 顾而丹
受保护的技术使用者：复旦大学
技术研发日：2021.08.17
技术公布日：2021/11/24