一种微镜阵列、OLED显示屏及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种微镜阵列，其特征在于，包括：基底芯片，所述基底芯片内部设有多个像素电极，所述多个像素电极排列成矩阵；多个第一曲面凹槽，设置在所述基底芯片上，所述第一曲面凹槽与所述像素电极一一对应，并且所述像素电极暴露于所述第一曲面凹槽；第一导电层，设置在所述第一曲面凹槽的表面，并与所述像素电极电连接；发光层，设置在所述第一导电层上，并且相邻第一导电层上的发光层相互连接；以及，第二导电层，设置在所述发光层上。2.一种oled显示屏，其特征在于，包括：如权利要求1所述的微镜阵列；以及，封装层，设置在所述微镜阵列的第二导电层上。3.根据权利要求2所述的oled显示屏，其特征在于，所述oled显示屏还包括：设置在所述封装层上的彩膜基板。4.一种微镜阵列制作方法，其特征在于，包括：提供一基底芯片，其中，所述基底芯片内部设有多个像素电极，所述多个像素电极排列成矩阵；在所述基底芯片上制作与所述像素电极一一对应的第一曲面凹槽，并使所述像素电极暴露于所述第一曲面凹槽；在所述第一曲面凹槽的表面制作第一导电层，并且所述第一导电层与所述像素电极电连接；在所述第一导电层上制作发光层，相邻第一导电层上的发光层相互连接；在所述发光层上制作第二导电层。5.根据权利要求4所述的微镜阵列制作方法，其特征在于，所述在所述基底芯片上制作与所述像素电极一一对应的第一曲面凹槽，并使所述像素电极暴露于所述第一曲面凹槽，包括：在所述基底芯片的表面制作第一光刻胶层；在所述第一光刻胶层制作与所述像素电极一一对应的第二曲面凹槽；通过灰化和干刻工艺对所述第二曲面凹槽进行加工，将所述第二曲面凹槽的弧形槽底沿所述光刻胶层的厚度方向推进至所述基底芯片，在所述基底芯片上形成所述第一曲面凹槽，并使所述像素电极暴露于所述第一曲面凹槽；去除所述基底芯片上的第一光刻胶层。6.根据权利要求5所述的微镜阵列制作方法，其特征在于，所述在所述第一光刻胶层制作与所述像素电极一一对应的第二曲面凹槽，包括：通过第一曝光显影工艺在所述第一光刻胶层制作与所述像素电极一一对应的矩形槽；通过热处理回流工艺将所述矩形槽加工成所述第二曲面凹槽。7.根据权利要求5所述的微镜阵列制作方法，其特征在于，所述在所述第一光刻胶层制作与所述像素电极一一对应的第二曲面凹槽，包括：提供一掩模板，所述掩模板上设有与所述第一曲面凹槽一一对应的曲面凸起；将所述掩模板的曲面凸起压至所述第一光刻胶层内部，成型后取出所述掩模板，使所述第一光刻胶层中形成所述第二曲面凹槽。
8.根据权利要求4所述的微镜阵列制作方法，其特征在于，所述在所述基底芯片上制作与所述像素电极一一对应的第一曲面凹槽，并使所述像素电极暴露于所述第一曲面凹槽，包括：在所述基底芯片的表面制作第二光刻胶层；通过第二曝光显影工艺在所述第二光刻胶层制作与所述像素电极一一对应的通孔，使所述基底芯片的表面暴露于所述通孔中；通过湿法蚀刻工艺对暴露于所述通孔中的基底芯片进行刻蚀，形成所述第一曲面凹槽，并使所述像素电极暴露于所述第一曲面凹槽；去除所述基底芯片上的第二光刻胶层。9.根据权利要求4所述的微镜阵列制作方法，其特征在于，所述在所述基底芯片上制作与所述像素电极一一对应的第一曲面凹槽，并使所述像素电极暴露于所述第一曲面凹槽，包括：通过激光直写工艺，在所述基底芯片上制作与所述像素电极一一对应的第一曲面凹槽，并使所述像素电极暴露于所述第一曲面凹槽。10.一种oled显示屏制作方法，其特征在于，包括：根据权利要求4
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9任一项所述的方法制作微镜阵列；在所述微镜阵列的第二导电层上制作封装层；将彩膜基板组装至所述封装层上。

技术总结
本申请公开了一种微镜阵列、OLED显示屏及其制作方法，微镜阵列，包括：基底芯片，所述基底芯片内部设有多个像素电极，所述多个像素电极排列成矩阵；多个第一曲面凹槽，设置在所述基底芯片上，所述第一曲面凹槽与所述像素电极一一对应，并且所述像素电极暴露于所述第一曲面凹槽；第一导电层，设置在所述第一曲面凹槽的表面，并与所述像素电极电连接；发光层，设置在所述第一导电层上，并且相邻第一导电层上的发光层相互连接；以及第二导电层，设置在所述发光层上。本申请的微镜阵列，可增强发光层发出的光的强度，从而能够显著提升显示屏的亮度，提高了发光层发出的光的利用率。提高了发光层发出的光的利用率。提高了发光层发出的光的利用率。


技术研发人员：马鑫 韩孝勇 张建安
受保护的技术使用者：深圳市芯视佳半导体科技有限公司
技术研发日：2021.08.16
技术公布日：2021/11/24