包括单有效鳍FINFET器件和电气无效鳍应力减小结构的IC产品的制作方法

技术特征：
1.一种器件，包括：半导体衬底；finfet晶体管，其定位在所述半导体衬底上方，所述finfet晶体管器件具有单个有效鳍结构；以及电气无效的虚设鳍结构，其邻近所述单个有效鳍结构定位，所述电气无效的虚设鳍结构对于具有所述单个有效鳍结构的所述finfet晶体管的电操作是电气无效的。2.根据权利要求1所述的器件，进一步包括隔离结构，所述隔离结构定位在所述半导体衬底中。3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述单个有效鳍结构具有相反的第一侧壁和第二侧壁，其中，所述第一侧壁比所述第二侧壁更靠近所述隔离结构，并且其中，所述电气无效的虚设鳍结构邻近所述第一侧壁定位，其中，当从上方观察时，所述电气无效的虚设鳍结构的至少一部分位于所述单个有效鳍结构与所述隔离结构之间。4.根据权利要求2所述的器件，其中，所述单个有效鳍结构具有相反的第一侧壁和第二侧壁，其中，所述第一侧壁比所述第二侧壁更靠近所述隔离结构，并且其中，所述电气无效的虚设鳍结构邻近所述第二侧壁定位。5.根据权利要求2所述的器件，其中，所述隔离结构在与所述finfet晶体管的栅极长度方向相对应的方向上具有第一长度，并且所述电气无效的虚设鳍结构在与所述finfet晶体管的所述栅极长度方向相对应的方向上具有第二长度，并且其中，所述第一长度和所述第二长度基本相同。6.根据权利要求2所述的器件，其中，所述隔离结构在与所述finfet晶体管的栅极长度方向相对应的方向上具有第一长度，并且所述电气无效的虚设鳍结构在与所述finfet晶体管的所述栅极长度方向相对应的方向上具有第二长度，并且其中，所述第一长度和所述第二长度不同。7.根据权利要求2所述的器件，其中，所述隔离结构在与所述finfet晶体管的栅极长度方向相对应的方向上具有第一长度，并且所述电气无效的虚设鳍结构在与所述finfet晶体管的所述栅极长度方向相对应的方向上具有第二长度，并且其中，所述第一长度大于所述第二长度。8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述单个有效鳍结构形成为具有第一鳍间距，并且其中，所述电气无效的虚设鳍结构被定位成与所述单个有效鳍结构相距等于单个第一鳍间距的距离。9.根据权利要求1所述的器件，进一步包括栅极结构，所述栅极结构定位在所述单个有效鳍和所述电气无效的虚设鳍结构周围。10.根据权利要求1所述的器件，进一步包括栅极结构，所述栅极结构定位在所述单个有效鳍周围，其中，所述栅极结构不定位在所述电气无效的虚设鳍结构周围。11.根据权利要求1所述的器件，其中，所述电气无效的虚设鳍结构不与任何导电结构接触。12.一种器件，包括：半导体衬底；finfet晶体管器件，其定位在所述半导体衬底上方，所述finfet晶体管器件具有单个
有效鳍结构；电气无效的虚设鳍结构，其中，所述电气无效的虚设鳍结构对于具有所述单个有效鳍结构的所述finfet晶体管的电操作是电气无效的；以及隔离结构，其定位在所述电气无效的虚设鳍结构与所述单个有效鳍结构之间的所述半导体衬底中。13.根据权利要求12所述的器件，其中，所述电气无效的虚设鳍结构定位在集成电路产品的第一单元中，并且所述单个有效鳍结构定位在所述集成电路产品的第二单元中。14.根据权利要求12所述的器件，其中，所述隔离结构在与所述finfet晶体管的栅极长度方向相对应的方向上具有第一长度，并且所述电气无效的虚设鳍结构在与所述finfet晶体管的所述栅极长度方向相对应的方向上具有第二长度，并且其中，所述第一长度和所述第二长度基本相同。15.根据权利要求12所述的器件，其中，所述隔离结构在与所述finfet晶体管的栅极长度方向相对应的方向上具有第一长度，并且所述电气无效的虚设鳍结构在与所述finfet晶体管的所述栅极长度方向相对应的方向上具有第二长度，并且其中，所述第一长度和所述第二长度不同。16.根据权利要求12所述的器件，其中，所述隔离结构在与所述finfet晶体管的栅极长度方向相对应的方向上具有第一长度，并且所述电气无效的虚设鳍结构在与所述finfet晶体管的所述栅极长度方向相对应的方向上具有第二长度，并且其中，所述第一长度大于所述第二长度。17.根据权利要求12所述的器件，其中，所述单个有效鳍结构形成为具有第一鳍间距，并且其中，所述电气无效的虚设鳍结构被定位成与所述单个有效鳍结构相距等于多个第一鳍间距的距离。18.根据权利要求12所述的器件，进一步包括栅极结构，所述栅极结构定位在所述单个有效鳍周围，其中，所述栅极结构不定位在所述电气无效的虚设鳍结构周围。19.一种器件，包括：半导体衬底；隔离结构，其定位在所述半导体衬底中；finfet晶体管器件，其定位在所述半导体衬底上方，所述finfet晶体管器件具有单个有效鳍结构，其中所述单个有效鳍结构具有相反的第一侧壁和第二侧壁，并且其中所述第一侧壁比所述第二侧壁更靠近所述隔离结构；以及电气无效的虚设鳍结构，其邻近所述单个有效鳍结构的所述第一侧壁定位，所述电气无效的虚设鳍结构对于具有所述单个有效鳍结构的所述finfet晶体管的电操作是电气无效的。20.根据权利要求19所述的器件，其中，当从上方观察时，所述电气无效的虚设鳍结构的至少一部分位于所述单个有效鳍结构与所述隔离结构之间。

技术总结
本发明涉及包括单有效鳍FinFET器件和电气无效鳍应力减小结构的IC产品。本文公开的示例性器件包括半导体衬底以及定位在半导体衬底上方的FinFET晶体管器件，其中FinFET晶体管器件具有单个有效鳍结构。该器件还包括邻近单个有效鳍结构定位的电气无效的虚设鳍结构，其中电气无效的虚设鳍结构对于具有单个有效鳍的FinFET晶体管的电操作是电气无效的。的FinFET晶体管的电操作是电气无效的。的FinFET晶体管的电操作是电气无效的。


技术研发人员：A
受保护的技术使用者：格芯（美国）集成电路科技有限公司
技术研发日：2021.04.19
技术公布日：2021/11/23