壳体、其制备方法及电子设备与流程

1.本技术涉及电子领域，具体涉及一种壳体、其制备方法及电子设备。


背景技术：

2.随着技术的发展及生活水平的提高，人们对于电子设备的外观视觉效果提出了更高的要求，然而，现有的电子设备的外观较为单调，表现力不够，不能很好的满足消费者的需求。


技术实现要素：

3.针对上述问题，本技术实施例提供一种壳体，其具有闪耀的纹理，具有更好的视觉效果。
4.本技术实施例提供了一种壳体，其包括：
5.壳体本体，所述壳体本体包括第一表面，所述第一表面为粗糙表面，所述粗糙表面包括多个凸起结构，每个所述凸起结构包括一个或多个反射面；
6.所述壳体本体还包括图案化区，所述图案化区位于所述粗糙表面。
7.此外，本技术实施例还提供了一种壳体的制备方法，所述壳体包括壳体本体，所述方法包括：
8.提供壳体基材；
9.对所述壳体基材的表面进行表面粗化处理，以形成粗糙表面，所述粗糙表面包括多个凸起结构，每个所述凸起结构包括一个或多个反射面；以及
10.采用光刻蚀对所述粗糙表面进行图案化处理，以在所述粗糙表面上形成图案化区，得到所述壳体本体。
11.此外，本技术还实施例提供一种电子设备，其包括：
12.显示组件，用于显示；
13.本技术实施例所述的壳体，所述壳体用于承载所述显示组件；以及
14.电路板组件，所述电路板组件设置于所述显示组件与所述壳体之间，所述电路板组件且与所述显示组件电连接，用于控制所述显示组件进行显示。
15.本技术实施例壳体包括壳体本体，壳体本体具有粗糙表面，所述粗糙表面包括多个凸起结构，每个所述凸起结构包括一个或多个反射面，当光线照射到所述粗糙表面时，所述反射面可以对所述光线进行反射，且同一反射面及同一个方向的反射面对光的反射方向基本相同，从而使得粗糙表面具有星星闪闪的闪光或珠光效果。图案化区位于所述粗糙表面，被所述粗糙表面的凸起结构包围，从而使得壳体本体上的图案化区可以呈现星星闪闪的闪光或珠光环绕的纹理效果。此外，在粗糙表面制作图案化，图案化区手感柔和、没有凸点感，提高了壳体的手感。
附图说明
16.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
17.图1是本技术一实施例的壳体的结构示意图。
18.图2是本技术一实施例的设有图案化区的粗糙表面的电子显微镜图。
19.图3是本技术一实施例的粗糙表面(未包括图案化区时)的电子显微镜图。
20.图4是本技术又一实施例的壳体的结构示意图。
21.图5是图4虚线框i的放大图。
22.图6是图3虚线框ii的放大图。
23.图7是图3虚线框iii的放大图。
24.图8是本技术又一实施例的壳体的结构示意图。
25.图9是本技术又一实施例的壳体的结构示意图。
26.图10是本技术一实施例的炫彩膜的结构示意图。
27.图11是本技术一实施例的壳体的制备方法流程示意图。
28.图12是本技术一实施例的壳体的图案化处理的流程示意图。
29.图13是本技术又一实施例的壳体的制备方法流程示意图。
30.图14是本技术实施例的电子设备的结构示意图。
31.图15是本技术图14实施例的电子设备的部分爆炸结构示意图。
32.图16是本技术实施例的电子设备的电路框图。
33.附图标记说明：
34.100
‑
壳体
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13
‑
第二表面
35.101
‑
容置空间
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
12
‑
平面部/底板
36.10
‑
壳体本体
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
14
‑
弯折部/侧板
37.11
‑
第一表面/粗糙表面
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
101
‑
容置空间
38.111
‑
凸起结构
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
30
‑
防护层
39.1110
‑
反射面
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50
‑
胶粘层
40.1111
‑
第一反射面
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
70
‑
炫彩膜
41.1113
‑
第二反射面
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
71
‑
基材层
42.112
‑
非图案化区
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
73
‑
光固化纹理层
43.113
‑
图案化区
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
75
‑
光学镀膜层
44.1131
‑
纹理部
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
77
‑
遮蔽层
45.400
‑
电子设备
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
431
‑
处理器
46.410
‑
显示组件
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
433
‑
存储器
47.430
‑
电路板组件
具体实施方式
48.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是
本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
49.本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
50.下面将结合附图，对本技术实施例中的技术方案进行描述。
51.需要说明的是，为便于说明，在本技术的实施例中，相同的附图标记表示相同的部件，并且为了简洁，在不同实施例中，省略对相同部件的详细说明。
52.相关技术的壳体进行图案化时，采用以下步骤形成：1)在光面的壳体基材的表面涂布正性光刻胶；2)在正性光刻胶上设置掩膜板，采用平行光对光刻胶层进行曝光；3)进行显影；4)进行硬烤；5)进行化抛刻蚀(小于1min)形成预设图案。激光刻蚀时，光刻胶的厚度通常为5μm至10μm，相关技术中的光刻胶的耐酸性不够，因此，进行化抛刻蚀时，刻蚀时间不能超过1min，形成的图案刻蚀深度通常小于3μm，形成的图案较为模糊，不够清晰。再者，制得的图案没有闪光效果，且在光面上直接制作纹理，制作纹理的表面凸点感较强，影响壳体的手感。此外，由于平行光曝光需要采用掩膜板对未设置图案的区域进行保护，当壳体为2.5d结构或3d结构时，相较于平面区域，弯折的区域无法照射到平行光，也就是该区域的光刻胶无法被照射到，因此，弯折区没有办法进行图案制作，制得的壳体的图案需要内缩1mm至3mm，严重影响了使用该壳体的电子设备的外观效果。
53.请参见图1至图3，本技术实施例提供一种壳体100，其包括：壳体本体10，所述壳体本体10包括第一表面11，所述第一表面11为粗糙表面11，所述粗糙表面11包括多个凸起结构111，每个所述凸起结构111包括一个或多个反射面1110；所述壳体本体10还包括图案化区113，所述图案化区113位于所述粗糙表面11。可选地，所述粗糙表面11未进行图案化的区域形成非图案化区112，非图案化区112邻接图案化区113。
54.本技术实施例壳体100包括壳体本体10，壳体本体10具有粗糙表面11，所述粗糙表面11包括多个凸起结构111，每个所述凸起结构111包括一个或多个反射面1110，当光线照射到所述粗糙表面11时，所述反射面1110可以对所述光线进行反射，且同一反射面1110及同一个方向的反射面1110对光的反射方向基本相同，从而使得粗糙表面11具有星星闪闪的闪光或珠光效果。图案化区113位于所述粗糙表面11，被所述粗糙表面11的凸起结构111包围，从而使得壳体本体10上的图案化区113可以呈现星星闪闪的闪光或珠光环绕的纹理效果。此外，在粗糙表面11制作图案化，图案化区113手感柔和、没有凸点感，提高了壳体100的手感。
55.可选地，壳体本体10可以为玻璃本体、聚甲基丙烯酸酯本体(pmma)、聚碳酸酯本体(pc)、聚对苯二甲酸乙二醇酯本体(pet)中的一种或多种。可选地，壳体本体10的透光率(550nm波长)25％至35％；具体地，壳体本体10的透光率可以为但不限于为25％、28％、30％、32％、35％等。可选地，壳体本体10的雾度范围为80％至95％，具体地，可以为但不限于为80％、83％、85％、90％、92％、95％等。在一实施例中，壳体本体10为玻璃本体，粗糙表面11化学刻蚀表面，所述图案化区113为光刻蚀区，通过化学刻蚀，可以使玻璃本体具有珠
光或闪光效果，通过光刻蚀可以使得粗糙表面11的图案更为精细且更加多变，满足更多消费者的需求。可选地，壳体本体10的厚度为0.1mm至5mm，具体地，以为但不限于为0.1mm、0.3mm、0.5mm、0.6mm、0.8mm、1mm、2mm、3mm、4mm、5mm等。
56.本技术的壳体100可以应用于手机、平板电脑笔记本电脑、台式电脑、智能手环、智能手表、电子阅读器、游戏机等便携式电子设备。可选地，本技术的壳体100可以为电子设备的电池盖、外壳、中框、装饰件等。本技术实施例的壳体100可以为2d结构、2.5d结构、3d结构等。
57.请参见图4，在一些实施例中，所述壳体本体10为2.5d结构(图未示)或3d结构，所述壳体本体包括平面部12及弯折部14，所述平面部12与所述弯折部14连接，所述平面部12及所述弯折部14均设置有所述图案化区113。相较于仅在壳体本体10的平面部12进行图案化，所述弯折部14也进行图案化，可以使得这个壳体本体10的外观更为均一，整体更为美观。
58.请再次参见图4，在一具体实施例中，所述平面部为底板12，所述弯折部为侧板14(换言之，所述壳体本体10包括底板12及侧板14)，所述底板12与所述侧板14弯折相连并围合成容置空间101，所述底板12及所述侧板14背离所述容置空间101的表面连接形成所述粗糙表面11，所述底板12及所述侧板14背离所述容置空间101的表面均设有所述图案化区113。
59.在一些实施例中，所述底板12与所述侧板14为一体结构，在另一些实施例中，所述底板12与所述侧板14分别成型后，再连接到一起。可选地，所述底板12为电子设备的后盖，所述侧板14为电子设备的中框。
60.可选地，所述粗糙表面11的反射率大于所述图案化区113的反射率，换言之，非图案化区112的反射率大于图案化区113的反射率。换言之，凸起结构111的反射率大于纹理部1131的反射率。粗糙表面11的反射率大于图案化区113的反射率，从而可以使得粗糙表面11对光具有更高的反射作用，从而具有闪光或珠光效果，图案化区113的周围环绕着粗糙表面11，使得图案化区113具有星光闪闪环绕效果。也就是说，凸起结构111对光具有更高的反射作用，从而具有闪光或珠光效果，纹理部1131的周围环绕着凸起结构111，使得纹理部1131具有星光闪闪或珠光闪闪环绕的效果。
61.可选地，所述粗糙表面11的粗糙度ra为0.5μm至3.0μm；也就是说，非图案化区112的粗糙度ra为0.5μm至3.0μm。具体地，所述粗糙表面11的粗糙度ra可以为但不限于为0.5μm、0.8μm、1μm、1.5μm、2.0μm、2.5μm、3.0μm等。粗糙表面11的粗糙度越大，珠光或闪光效果越好，当粗糙表面11的粗糙度小于0.5μm时，会将降低壳体本体10的粗糙表面11的珠光或闪光效果；当粗糙表面11的粗糙度大于3.0μm时，则会影响粗糙表面11的触感，此外，粗糙表面11的凸起结构111肉眼可见，影响壳体本体10的外观效果。
62.在一些实施例中，凸起结构111可以为类长方体结构、类棱柱结构、类棱锥结构或类棱台结构。本技术的术语“类长方体结构”指该结构类似长方体的结构，但又不是标准的长方体结构，例如类长方体结构的一个或多个棱角具有弧度、或者夹角不是直角或者类长方体结构的一个或多个表面为曲面。本技术的术语“类棱柱结构”指该结构类似棱柱的结构，但又不是标准的棱柱结构，例如类棱柱结构的一个或多个棱角具有弧度、或者一个角缺失、或者棱具有弧度等。本技术的术语“类棱锥结构”指该结构类似棱锥的结构，但又不是标
准的棱锥结构，例如类棱锥结构的一个或多个棱角具有弧度、或者一个角缺失、或者棱具有弧度等。本技术的术语“类棱台结构”指该结构类似棱台的结构，但又不是标准的棱台结构，例如类棱台结构的一个或多个棱角具有弧度、或者一个角缺失、或者棱具有弧度等。
63.请参见图3，在一些实施例中，所述多个凸起结构111紧密排布于所述壳体本体10的第一表面11。所述凸起结构111在所述第一表面11的正投影所围区域的最长距离d1的范围为60μm至120μm。换言之，所述凸起结构111沿着所述第一表面11延伸方向的最大宽度d1为60μm至120μm；具体地，可以为但不限于为60μm、70μm、80μm、90μm、100μm、110μm、120μm等。当凸起结构111在粗糙表面11的正投影所围区域的最长距离小于60μm时，则凸起结构111上的反射面1110的面积较小，使得粗糙表面11的闪光或或珠光效果变弱，从而影响图案化区113的闪光或珠光效果。凸起结构111在粗糙表面11的正投影所围区域的最长距离越大珠光效果越好，但是，当凸起结构111在粗糙表面11的正投影所围区域的最长距离大于120μm时，凸起结构111人体肉眼可见，会影响壳体本体10的外观效果。
64.请参见图4和图5，在一些实施例中，沿垂直于所述第一表面11的方向上，所述凸起结构111的距离的最大高度h1范围为6μm至8μm。换言之，沿垂直于所述第一表面11的方向上，所述凸起结构111的高度为6μm至8μm；具体地，可以为但不限于为6μm、6.5μm、7μm、7.5μm、8μm等。
65.可选地，反射面1110可以为平面，或近似平面。当反射面1110为平面时，反射面1110对光线的反射方向更一致，壳体本体10的粗糙表面11的珠光或闪光效果更明显。
66.请参见图3和图6，在一些实施例中，所述多个凸起结构111包括多个第一反射面1111，多个第一反射面1111之间的夹角α处于第一预设范围内。所述第一预设范围为0
°
至5
°
；具体地，可以为但不限于0
°
、0.5
°
、1
°
、1.5
°
、2
°
、2.5
°
、3
°
、3.5
°
、4
°
、4.5
°
、5
°
。这样可多个第一反射面1111的反射角度接近，同一个方向的镜面反射面1110积更大，形成更大片区的珠光或闪光效果更强，更加闪耀。
67.请再次参见图3和图7，在一些实施例中，所述多个凸起结构111还包括多个第二反射面1113，所述第二反射面1113与所述第一反射面1111倾斜或垂直设置，多个第二反射面1113之间的夹角β处于第二预设范围内。所述第二预设范围为0
°
至5
°
；具体地，可以为但不限于0
°
、0.5
°
、1
°
、1.5
°
、2
°
、2.5
°
、3
°
、3.5
°
、4
°
、4.5
°
、5
°
。这样可多个第人反射面1110的反射角度接近，同一个方向的镜面反射面1110积更大，形成更大片区的珠光或闪光效果更强，更加闪耀。
68.可选地，凸起结构111可以包括但不限于包括3个、4个、5个、6个、7个、8个等反射面1110。凸起结构111的反射面1110越多，可以形成越多方向的一片片珠光或闪光效果，但是当反射面1110过多时，反射面1110的面积减小，从而使得凸起结构111各个方向的珠光或闪光效果减弱。
69.请再次参见图1和图4，在一些实施例中，所述壳体本体10还包括第二表面13，所述第二表面13与所述第一表面11相背设置，所述图案化区113包括多个纹理部1131，所述纹理部1131的表面上的点到所述第二表面13的距离s1的平均值小于所述凸起结构111的表面上的点到所述第二表面13的距离s2的平均值。进一步地，所述图案化区113的纹理部1131通过在凸起结构111上进一步刻蚀得到，粗糙表面11上被刻蚀的区域形成图案为图案化区113，换言之，所述纹理部1131凹陷于所述粗糙表面。这样使得凸起结构111的刻蚀程度与纹理部
1131的刻蚀程度不同，形成两个层次的图案，从而使得图案化区113的图案更为清晰、明显，具有更好的视觉效果。
70.可选地，图案化区113的粗糙度大于粗糙表面11的粗糙度，所述图案化区113的粗糙度ra为2μm至4μm；具体地，可以为但不限于为2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm等。图案化区113的粗糙度太小，则形成图案化区113的纹理不够明显、清晰，视觉效果不好，图案化区113的粗糙度太大，使得壳体本体10的手感不好。
71.请再次参见图2，在一些实施例中，所述纹理部1131在所述第二表面13的正投影所围区域的最短距离d2的范围为5μm至70μm；换言之，纹理部1131在第二表面13的正投影上相距最短的距离d2的范围为5μm至70μm；又换言之，所述纹理部1131的宽度或纹理部1131的线宽d2的范围为5μm至70μm；具体地，可以为但不限于为5μm、10μm、20μm、30μm、40μm、43μm、45μm、48μm、50μm、65μm、60μm、70μm等。当纹理部1131的宽度太小时，则难以实现，且粗糙表面11上的图案不明显，当纹理部1131的宽度太大时，纹理部1131肉眼可见，影响壳体本体10的视觉效果。进一步的，所述纹理部1131在所述第二表面13的正投影所围区域的最短距离的范围为40μm至50μm，这样可以使得形成的图案化区113域的纹理效果更明显，且具有较好的视觉效果。
72.请参见图4和图5，在一些实施例中，沿垂直于所述第一表面11的方向上，所述纹理部1131的最大深度h2的范围为6μm至10μm。换言之，所述纹理部1131的深度为6μm至10μm；具体地，可以为但不限于为6μm、6.5μm、7μm、7.5μm、8μm、8.5μm、9μm、9.5μm、10μm等。在粗糙表面11(闪光砂)制作纹理部1131，当纹理部1131的深度太浅时，则闪光砂上的纹理图案不够明显，当纹理部1131的深度太深，纹理图案更为明显，但是图案化区113的表面容易刮手，手感不好。
73.在一些实施例中，图案化区113可以由一个个的刻蚀纹理部1131(例如一个个长方形纹理)形成的线条或特定图案(例如螺旋线)组成，此外，还可以根据实际需求设计各种纹理图案，例如花纹图案、动物图案、产品logo、人物肖像的等。图案化区113的具体图案类型，本技术不作具体限定。
74.请参见图8，在一些实施例中，本技术实施例的壳体100还包括防护层30，所述防护层30设置于所述壳体本体10的第一表面11上，所述防护层30的水接触角大于105
°
，所述防护层30用于防油污、防指纹，以提高壳体100的用户体验。此外，还可以保护壳体100的粗糙表面11的凸起结构111及图案化区113的纹理部1131，防止粗糙表面11被磨损，降低壳体100的珠光或闪光效果。
75.在一些实施例中，防护层30的原料组分可以包括但不限于包括全氟聚醚、全氟聚醚衍生物等中的一种或多种，防护层30通过在壳体本体10表面蒸镀一层防护层30的原料组分组成的胶液形成。全氟聚醚及全氟聚醚衍生物具有优异的耐指纹性能，可以起到很好的防指纹及防油污作用。
76.在一些实施例中，防护层30的水接触角可以为但不限于为106
°
、110
°
、115
°
、120
°
、125
°
、130
°
、140
°
、150
°
等，水接触角越大，防护层30具有越好的防指纹作用。
77.可选地，防护层30是透光的，防护层30的光学透过率大于或等于80％，具体地，可以为但不限于为80％、82％、85％、88％、90％、92％、95％、96％、97％等。防护层30具有较高的透光率，这样不会遮挡壳体本体10的图案，也不会影响壳体本体10的珠光或闪光效果，从
而影响壳体100的外观效果。
78.可选地，防护层30的厚度为5nm至20nm，具体地，可以为但不限于为5nm、6nm、8nm、10nm、12nm、14nm、16nm、18nm、20nm等。防护层30厚度太薄，则起不到防油污和防指纹作用，防护层30太厚，则增加壳体100的制备成本，还影响壳体100的手感。
79.请参见图9，在一些实施例中，本技术实施例的壳体100还包括：胶粘层50，用于将炫彩膜70粘结于壳体100背离防护层30的表面；以及炫彩膜70，所述炫彩膜70通过所述胶粘层50粘接于所述壳体本体10远离所述防护层30的表面，用于使壳体100除了具有珠光纹理或闪光纹理之外，还具有炫彩纹理效果，多层纹理结合，使得壳体100的纹理更多变，可以更好的满足消费者的需求。
80.可选地，所述胶粘层50可以为光学胶(oca胶)、热熔胶、热固胶等具有高透光率的透明胶。胶粘层50的厚度为10μm至50μm，具体地，可以为但不限于为10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm等。
81.请参见图10，在一些实施例中，所述炫彩膜70包括：基材层71，通过所述胶粘层50粘接于所述壳体本体10远离所述防护层30的表面；光固化纹理层73，设置于所述基材层71远离所述胶粘层50的表面；光学镀膜层75，设置于所述光固化纹理层73远离所述胶粘层50的表面；以及遮蔽层77，设置于所述光学镀膜层75远离所述胶粘层50的表面。也就是说，所述基材层71相较于所述遮蔽层77靠近所述壳体本体10设置。
82.可选地，基材层71可以为但不限于为聚甲基丙烯酸酯层(pmma)、聚碳酸酯层(pc)、聚对苯二甲酸乙二醇酯层(pet)中的一种或多种。
83.可选地，光固化纹理层73可以为紫外光固化纹理层73(uv纹理层)。可选地，光固化纹理层73由光固化胶水(例如uv胶水)转印后，经光固化形成，例如在基材层71背离的表面转印uv胶水后，经光固化形成光固化纹理层73。可选地，光固化胶水包括聚氨酯丙烯酸酯低聚物、光引发剂、溶剂及助剂。可选地，光引发剂可以为但不限于为1
‑
羟基环己基苯基甲酮(1
‑
hydroxycyclohexyl phenyl ketone，光引发剂184)、二苯基
‑
(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰)氧磷(diphenyl(2,4,6
‑
trimethylbenzoyl)phosphine oxide，tpo)、二苯甲酮(benzophenone，bp)、丙基噻吨酮(itx)、2,4
‑
二乙基硫杂蒽酮(detx)、2
‑
羟基
‑2‑
甲基
‑1‑
苯基丙酮(光引发剂1173)、光引发剂1000(20wt％的1
‑
羟基环己基苯基甲酮与80wt％的2
‑
甲基
‑2‑
羟基
‑1‑
苯基
‑1‑
丙酮)、光引发剂1300(30wt％的光引发剂369与70wt％光引发剂651(二甲基苯偶酰缩酮，dmpa))、光引发剂1700(25wt％的光引发剂bapo(又称光引发剂819)与75wt％的光引发剂1173)、光引发剂500(50wt％的光引发剂1173与50wt％的bp)中的一种或多种。可选地，溶剂可以为但不限于为乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、环己酮，丙二醇甲醚，丙二醇甲醚醋酸酯，乙二醇单丁醚，乙二醇单甲醚，异丙醇，丁酮，甲基丁酮中的一种或多种。助剂包括消泡剂、流平剂等。消泡剂可以为有机硅消泡剂、聚醚型消泡剂中的一种或多种，流平剂可以为但不限于为有机硅流平剂等。具体地，光固化纹理层73由光固化胶水于固化能量为800mj/cm2至1000mj/cm2下固化形成。光固化纹理层73的厚度为10μm至20μm，具体地，可以为但不限于为10μm、11μm、12μm、13μm、14μm、15μm、17μm、9μm、18μm、19μm、20μm等。固化能量不能太高，当固化能量太高时，形成的光固化纹理层73的交联度过高，硬度过大，影响下述光学镀膜层75在光固化纹理层73上的附着性。
84.可选地，光学镀膜层75采用in/sn、tio2、nbo2、nb2o3、nb2o2、nb2o5、sio2、zro2或者其
他不导电氧化物中的一种或多种作为电镀材料，利用不导电真空镀膜技术(ncvm，non conductive vacuum metalization)形成。光学镀膜层75可以使得从壳体100的防护层30侧观看壳体100时，所述壳体100具有更炫、更亮的视觉效果。光学镀膜层75可以为一层或多层，当所述光学镀膜层75为多层时，多层光学镀膜层75依次层叠设置。光学镀膜层75的厚度可以为70nm至350nm，具体地，光学镀膜层75的厚度可以为但不限于为70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、150nm、160nm、180nm、200nm、220nm、250nm、280nm、300nm、320nm、330nm、350nm等。
85.可选地，遮蔽层77可以为但不限于为对光具有吸收或反射作用的遮光油墨。可选地，遮蔽层77可以为黑色、白色或灰色。当遮蔽层77为黑色时，可以反射出光学镀膜层75的颜色，当遮蔽层77为白色时，可以显现出光学镀膜层75的透射颜色。遮蔽层77的厚度为10μm至25μm，具体地，遮蔽层77的厚度可以为但不限于为10μm、12μm、15μm、18μm、20μm、22μm、25μm等。可选地，遮蔽层77可以为一层，也可以为多层，例如为2层、3层或4层层叠设置。当遮蔽层77为多层时、相较于一层具有更好的遮挡效果。每层遮蔽层77的厚度为8μm至12μm，具体地，可以为但不限于为8μm、9μm、10μm、11μm、12μm等。
86.请参见图11，本技术实施例提供一种壳体100的制备方法，本技术的壳体100的制备方法可以用于制备本技术实施例所述的壳体100，所述壳体100包括壳体本体10，所述壳体100的制备方法包括：
87.s201，提供壳体基材；
88.可选地，壳体基材可以为玻璃基材，pmma基材、pc基材、pet基材等中的一种或多种。可选地，所述壳体基材是透光的，壳体基材的透光率大于或等于80％，具体地，可以为但不限于为80％、85％、90％、93％、95％、97％、98％等。
89.s202，对所述壳体基材的表面进行表面粗化处理，以形成粗糙表面11，所述粗糙表面11包括多个凸起结构111，每个所述凸起结构111包括一个或多个反射面1110；
90.可选地，当壳体基材为pmma基材、pc基材、pet基材等塑料基材中的一种或多种时。可以采用纹理模具通过转印、注塑、浇注等方式，在壳体基材的表面形成粗糙表面11，所述粗糙表面11包括多个凸起结构111，每个所述凸起结构111包括一个或多个反射面1110。
91.可选地，当壳体基材为玻璃基材时，所述对所述壳体基材的表面进行表面粗化处理可以包括：
92.1)在壳体基材除待处理表面之外的表面上涂覆油墨保护层，油墨在蒙砂液中具有较佳的稳定性，不会与蒙砂液发生反应，可以以防止不需要做表面粗化处理的表面蒙砂液腐蚀，且油墨容易去除。
93.2)将被保护壳体基材放入氢氟酸(hf)溶液清洗，再放入强碱溶液中清洗，以去除壳体基材表面的油污等污渍，之后于25℃至35℃的清水(例如去离子水)中清洗10s至60s。具体地，强碱溶液可以为但不限于为氢氧化钾水溶液或氢氧化钠水溶液。更进一步地，强碱溶液包括表面活性剂，表面活性剂可以为但不限于为十二磺基苯磺酸钠。强碱的质量浓度为10wt％至50wt％，表面活性剂的浓度为1wt％至10wt％。清水清洗可以于超声波机中进行清洗。
94.3)于25℃至35℃下，将壳体基材放入蒙砂液(又称ag刻蚀药水)中，进行蒙砂处理4min至8min，以使壳体基材的待处理表面形成粗糙表面11。
95.可选地，蒙砂液可以为市售的蒙砂液，也可以自制。本技术具体实施例的蒙砂液采用郑州恒昊玻璃技术有限公司、型号为hhf003
‑
xm2的刻蚀药水。
96.具体地，蒙砂处理的温度可以为但不限于为25℃、28℃、30℃、32℃、35℃等。蒙砂处理的温度越低，蒙砂液与壳体基材表面的二氧化硅的反应速度越慢，这样使得氟硅酸盐(例如氟硅酸铵、氟硅酸铝、氟硅酸钾、氟硅酸镁等)具有更充足的时间进行结晶，形成具有规律性的凸起结构111(例如类棱锥结构)，但是当温度太低时，温度较难控制恒温，容易使壳体基材表面形成的晶体结构发生变化，从而使得晶体的排列变得不规整，不利于提高闪光砂的亮度。当温度过高时，蒙砂液与二氧化硅的反应速度越快，使得局部反应不均匀，容易形成团簇，使得壳体基材表面的颗粒大小不均匀，影响壳体本体10的外观及手感。当蒙砂处理的温度为25℃至35℃时，温度容易控制恒温，反应时温度的变化较小，同时，二氧化硅和蒙砂液的反应速度适中，可以使氟硅酸盐更好的在玻璃表面结晶，形成更规整凸起结构111，具有更亮、更闪的珠光或闪光效果。
97.具体地，蒙砂处理的时间可以为但不限于为4min、5min、6min、7min、8min等。当蒙砂处理的时间太短，二氧化硅与蒙砂液的反应还不够充分，难以形成类棱锥、类长方体等结构的晶体。当蒙砂处理时间太长，二氧化硅不会在进一步发生反应，对壳体基材的粗糙表面11不会有进一步的影响。
98.4)将蒙砂处理后的壳体基材于清水中进行超声波清洗60s至90s后，于85℃以上的强碱溶液中去除油墨保护层。
99.具体地，温度可以为但不限于为85℃、88℃、88℃、90℃、93℃、95℃、100℃等。强碱可以为氢氧化钾水溶液或氢氧化钠水溶液等具有强碱性的溶液。进一步地，氢氧化钾水溶液或氢氧化钠水溶液的浓度为8wt％至32wt％。
100.s203，采用光刻蚀对所述粗糙表面11进行图案化处理，以在所述粗糙表面11上形成图案化区113，得到所述壳体本体10。
101.请参见图12，可选地，当壳体基材为玻璃基材时，所述采用光刻蚀对所述粗糙表面11进行图案化处理，以在所述粗糙表面11上形成图案化区113，包括：
102.s2031，在所述壳体基材的粗糙表面11上形成光刻胶层；
103.可选地，采用光刻胶胶液在壳体基材的粗糙表面11上喷涂一层光刻胶胶液层，于80℃至120℃温度下进行软烤(soft bake)5min至10min中，以去除光刻胶胶液层中的溶剂，形成光刻胶层。
104.可选地，软烤的温度可以为但不限于为80℃、90℃、100℃、110℃、120℃等。软烤的温度不易过高，软烤温度过高容易使光刻胶胶液在未进行曝光显影之前就发生固化反应，从而影响壳体本体10上制作的图案化区113精确度及准确度。软烤的温度过低，则光刻胶胶液层中的溶剂未挥发干净，使得形成光刻胶层与壳体基材的粘附力不足，显影时容易脱落。
105.可选地，软烤的时间可以为但不限于为5min、6min、7min、8min、9min、10min等。软烤的时间太长光刻胶胶液未进行曝光显影之前就发生固化反应，影响制得的壳体本体10上图案化区113纹理的准确度。软烤是时间太短，则光刻胶胶液中的溶剂挥发干净，使得形成光刻胶层与壳体基材的粘附力不足，显影时容易脱落。
106.可选地，所述光刻胶层包括正性光刻胶层，所述光刻胶层包括树脂、光敏剂及交联剂(简称hmom
‑
tphap)，所述交联剂的化学式如下：
[0107][0108]
在一些实施例中，所述树脂包括线性酚醛树脂。进一步地，所述树脂包括高邻位线性酚醛树脂。可选地，在所述线性酚醛树脂中，间甲苯酚基团与对甲苯酚基团的摩尔比的范围为1:1至7:3，具体地，可以为但不限于为1:1、4:3：3:2、5:3、2:1、7:3等。当间甲苯酚基团与对甲苯酚基团的摩尔比大于7:3时(换言之，制备时，间甲苯酚与对甲苯酚的摩尔比大于7:3)，则生成的酚醛树脂的分子量过大，酚醛树脂的溶解速率偏低，会降低光刻胶层的显影速度。当间甲苯酚基团与对甲苯酚基团的摩尔比小于1:1时(换言之，制备时，间甲苯酚与对甲苯酚的摩尔比小于1:1)，则生成的酚醛树脂的分子量过小，耐氢氟酸(hf)腐蚀的能力差。
[0109]
可选地，所述线性酚醛树脂的分子链的端基包括二甲酚基作，可选地，二甲酚基可以为但不限于为2，4
‑
二甲酚、2，5
‑
二甲酚、2，6
‑
二甲酚、3，4
‑
二甲酚等中的一种或多种。以二甲酚基作为端基的线性酚醛树脂，可以提高酚醛树脂的耐热性及软化点，且使光刻胶具有良好的溶解性和感光速度，可以获得更好的分辨率。可选地，酚醛树脂的软化点可以大于160℃，这样可以使得光刻胶层具有更好的耐热性。本技术术语“软化点”指无定形聚合物开始变软时的温度。
[0110]
可选地，所述线性酚醛树脂的重均分子量mw为1.8万至3万；具体地，可以为但不限于为1.8万、2万、2.2万、2.5万、8.8万、3万等。当酚醛树脂的分子量过大，酚醛树脂的溶解速率偏低，会降低光刻胶层的显影速度。当酚醛树脂的分子量过小，耐氢氟酸(hf)腐蚀的能力差。将酚醛树脂的重均分子量控制在1.8万至3万之间，既可以时光刻胶具有较好的耐氢氟酸腐蚀的能力，又具有较高的显影速度。
[0111]
在一些实施例中，所述交联剂的重量为所述树脂重量的2％至7％；具体地，可以为但不限于为2％、2.5％、3％、4％、5％、6％、7％等。在进行硬烤时，交联剂中的甲基氧基与树脂的酚羟基发生反应，从而提高了树脂的交联度及分子量，进而提高了硬烤后的光刻胶层的耐酸性，从而使得相同厚度的光刻胶层可以在化抛刻蚀液中浸泡更长的时间，不会被腐蚀掉，提高了图案刻蚀的精度，此外，可以在壳体基材上刻蚀更深的纹理，使得形成的图案化区113上的纹理更为清晰、明显，提高制得的壳体本体10的视觉效果。交联剂含量太少，对于光刻胶耐酸性的提高较小，交联剂的含量过高，在进行软烤的时候，部分光刻胶与树脂发生交联反应，从而在显影时，曝光区域的部分光刻胶无法显影掉，影响光刻胶的显影准确性，此外，光刻胶耐酸性较弱，刻蚀的纹理深度较浅，使得粗糙表面11的图案化区113的纹理不明显，难以实现获得闪耀纹理的效果。当光刻胶胶液中，交联剂的重量为树脂重量的2％至7％时，可以使得光刻胶胶液形成的光刻胶掩膜耐酸性由1min提高至6min至8min，从而可以实现刻蚀深度为10μm的纹理。
[0112]
在一些实施例中，所述光敏剂包括重氮萘醌磺酸酯类，例如邻萘醌二叠氮磺酸酯类。所述重氮萘醌磺酸酯类包括2,3,4
‑
三羟基二苯甲酮2,1,5
‑
重氮萘醌磺酸酯及2,2’,4,4
’‑
四羟基二苯甲酮2,1,5
‑
重氮萘醌磺酸酯中的一种或多种。
[0113]
可选地，所述重氮萘醌磺酸酯类中羟基的酯化率为66％至88％；具体地，可以为但不限于为66％、70％、73％、78％、78％、80％、85％、88％等。重氮萘醌磺酸酯类中羟基的酯化率越高，进行显影时，对酚醛树脂的溶解抑制性越强，光刻胶的分辨率就越高，但是，重氮萘醌磺酸酯类中羟基的酯化率太高，则使得重氮萘醌磺酸酯类的光敏性降低、溶解性变差，壳体基材刻蚀完之后，光刻胶不易去除。
[0114]
可选地，所述光敏剂的重量为所述树脂的重量的16％至25％；具体地，可以为但不限于为16％、18％、20％、22％、25％等。光敏剂的含量太高，则提高壳体本体10的制备成本，光敏剂的含量过低，则对于酚醛树脂溶解性的抑制作用不够，进行显影时，非曝光区的酚醛树脂也会部分溶解，造成显影过渡，影响光刻胶的精度，从而影响制得的壳体本体10的图案化区113的纹理。
[0115]
在一些实施例中，所述光刻胶层还包括溶解促进剂、偶联剂及流平剂。溶解促进剂可以提高光刻胶在壳体基材上的粘附性，还可以提高光刻胶的光敏性。偶联剂可以提高光刻胶与玻璃的粘附性。溶解促进剂对于光刻胶曝光区溶解速度的增加大于非曝光区溶解速度的增加，提高了光刻胶高曝光区与非曝光区的溶解速率反差，提高了光刻胶的分辨率。流平剂可以提高光刻胶的流平性，防止光刻胶成膜时条痕的产生，提高光刻胶胶液层厚度的均匀性。
[0116]
可选地，溶解促进剂的添加量为树脂重量的5％至10％，具体地，可以为但不限于为5％、6％、7％、8％、9％、10％等。溶解促进剂可以为以下化学式的物质中的一种或多种：
[0117][0118]
[0119]
例如，溶解促进剂可以为日本旭有机材的paps
‑
20。
[0120]
可选地，偶联剂包括含有氨基、酰胺基、脲基、酮亚胺基、异氰酸酯基、巯基、异氰脲酸环骨架、(甲基)丙烯酰基及苯乙烯基中的一个或多个取代基的硅烷偶联剂。可选地，硅烷偶联剂可以为r
‑
环氧丙氧基三甲基硅烷(简称kbm
‑
403)。可选地，偶联剂的添加量为树脂重量的0.4％至2.5％；具体地，可以为但不限于为0.4％、1％、1.5％、2％、2.5％等。
[0121]
可选地，流平剂可以包括氟系表面活性剂、硅酮系表面活性剂、聚环氧烷烃系表面活性剂、聚(甲基)丙烯酸酯系表面活性剂中的一种或多种。当流平剂为氟系表面活性剂(例如巴斯夫埃夫卡efka
‑
3600助剂)时，流平剂具有更好的耐酸性。可选地，流平剂的添加量为树脂重量的0.4％至2.5％；具体地，可以为但不限于为0.4％、1％、1.5％、2％、2.5％等。
[0122]
可选地，所述光刻胶胶液除了包括酚醛树脂、光敏剂、交联剂、溶解促进剂、偶联剂及流平剂之外，所述光刻胶胶液还包括溶剂。可选地，溶剂可以为有机溶剂，有机溶剂可以为但不限于为丙二醇甲醚醋酸酯(pgmea)等酯类溶剂。可选地，溶剂的添加量以使得光刻胶胶液的粘度为0.5cp至20cp为宜；具体地，光刻胶胶液的粘度可以为但不限于为0.5cp、2cp、5cp、8cp、10cp、13cp、18cp、20cp等。可选地，溶剂的沸点可以为120℃至170℃；具体地，可以为但不限于为120℃、130℃、140℃、150℃、160℃、170℃等。溶剂的沸点太高，进行软烤时难以挥发掉，形成的光刻胶层残留有溶剂，容易变形；溶剂的沸点太低，挥发太快，不利于喷涂施工。
[0123]
可选地，光刻胶层的厚度为5μm至10μm；具体地，可以为但不限于为5μm、6μm、7μm、8μm、9μm、10μm等。
[0124]
s2032，根据预设图案采用激光直接成像对所述光刻胶层进行曝光；
[0125]
可选地，根据预设图案采用激光直接成像(laser direct imaging，ldi)对光刻胶层(对应壳体基材上需要进行图案化刻蚀的区域)进行紫外光(长波黑斑效应紫外线，uva)曝光，以使得经过曝光的光刻胶能够溶解于显影液。采用激光直接成像，不需要在非曝光区域设置掩膜板，在壳体基材为2.5d结构或3d结构(即包括弯折部14时)时，也可以对壳体基材的弯折部14进行曝光，从而使得壳体基材的弯折部14也可以进行图案化，不需要内缩，从而提高了壳体100的美观性。此外，采用激光直接成像进行曝光，可以使壳体基材进行图案化时，获得的图像更精细。
[0126]
可选地，紫外光的能量为200mj/cm2至500mj/cm2；具体地，可以为但不限于为200mj/cm2、250mj/cm2、300mj/cm2、400mj/cm2、450mj/cm2、500mj/cm2等。紫外光的能量太高，曝光效率低，且容易造成曝光过度，使得制得的纹理线宽(即纹理部1131的宽度)过大，影响制得的壳体本体10表面的图案化区113的纹理效果。紫外光的能量太低，光刻胶层的曝光不足，进行显影时，曝光区的光刻胶显影不干净，影响制得的壳体本体10表面的图案化区113的纹理效果。
[0127]
s2033，对经曝光后的所述光刻胶层进行显影，以形成图案化光刻胶层；
[0128]
可选地，于氢离子浓度指数(ph值)为8至14，温度为20℃至40℃的显影液中进行显影，以使光刻胶层上曝光区域的光刻胶溶解于显影液，非曝光区域的光刻胶保留，形成图案化光刻胶。其中，所述图案化光刻胶层具有所述预设图案，所述预设图案的区域是镂空的，或者说，所述图案化光刻胶层上具有与预设图案相同的镂空区域。
[0129]
可选地，ph值可以为但不限于为8、9、10、11、12、13、14等。当ph值太低，溶解光刻胶
的速度太慢，显影时间过长，影响生产效率；ph值太高，显影速度太快，显影过程较难控制，且容易显影过度。
[0130]
可选地，显影液的温度可以为但不限于为20℃、25℃、30℃、35℃、40℃。显影温度太低，溶解光刻胶的速度太慢，显影时间过长，影响生产效率；显影温度太高，显影速度太快，显影过程较难控制，且容易显影过度。
[0131]
可选地，显影液为氢氧化钾水溶液，氢氧化钾水溶液的电导率为30ms/m至40ms/m之间，具体地，可以为但不限于为30ms/m、32ms/m、35ms/m、38ms/m、40ms/m等。或者，氢氧化钾水溶液的质量浓度为0.6％至0.8％；具体地，可以为但不限于为0.6％、0.65％、0.7％、0.75％、0.8％等。氢氧化钾水溶液的电导率太低，则曝光区域的光刻胶难以全部溶解，甚至没法溶解，氢氧化钾水溶液的电导率太高则非曝光区域也会部分被溶解，不利于制备精细的图案。当氢氧化钾水溶液的电导率处于30ms/m至40ms/m或质量浓度为0.6％至0.8％时，既可以将曝光区域的光刻胶全部溶解，又不会溶解非曝光区域的光刻胶，从而提高了显影的精度及分辨率。
[0132]
可选地，显影时间为20s至60s；具体地，可以为但不限于为20s、30s、40s、50s、60s等。显影时间太短，曝光区域的光刻胶还未完全溶解，降低光刻胶的精度及分辨率，显影时间太长，非曝光区域的光刻胶也会部分被溶解，也会降低光刻胶的精度及分辨率。
[0133]
s2034，对图案化光刻胶层进行硬烤，形成图案化光刻胶掩膜；
[0134]
可选地，于温度为150℃至180℃，进行硬烤(hardbake)，以使得图案化光刻胶层中的组分发生固化、交联反应，以稳定图案化光刻胶层上的图形，形成图案化光刻胶掩膜。其中，所述图案化光刻胶掩膜具有预设图案，所述预设图案的区域是镂空的，或者说，所述图案化光刻胶层上具有与预设图案相同的镂空区域。
[0135]
可选地，硬烤的温度可以为但不限于为150℃、155℃、160℃、165℃、170℃、175℃、180℃等。硬烤的温度太低，则光刻胶发生交联反应不充分，交联度不足，耐酸性不好，硬烤的温度太高，则树脂容易发生软化，从而使得非曝光区的树脂回流至曝光区(即已显影掉的部分，或者说，需要进行化学刻蚀的镂空部分)，从而影响纹理图案制备的准确度。
[0136]
可选地，硬烤的时间为30min至60min；具体地，可以为但不限于为30min、35min、40min、45min、50min、55min、60min等。硬烤的时间太长，影响生产效率，硬烤的时间太短，光刻胶的交联反应不充分，交联度不足，耐酸性不好。
[0137]
s2035，进行化抛刻蚀，以在所述粗糙表面11上形成图案化区113，所述图案化区113具有所述预设图案；以及
[0138]
可选地，于常温下，采用强酸水溶液对所述表面覆盖有图案化光刻胶掩膜的壳体基材进行化抛刻蚀(etching)，以在所述粗糙表面11上形成图案化区113，所述图案化区113具有预设图案。
[0139]
可选地，所述强酸水溶液包括氢氟酸、硝酸及硫酸，所述强酸水溶液中氢氟酸的重量分数为2％至4％，硝酸的重量分数为3％至5％及硫酸的重量分数为3％至5％。
[0140]
可选地，所述化抛刻蚀的时间为3min至8min，具体地，可以为但不限于为3min、3.5min、4min、4.5min、5min、5.5min、6min、7min、8min等。化抛刻蚀的时间太短，图案化区113刻蚀的深度较浅，形成的图案清晰度不够，化抛刻蚀时间太长，图案化光刻胶掩膜会逐渐被腐蚀，影响制得的图案化区113上纹理的精度，同时，图案化区113的纹理部1131的深度
过深，影响制得的壳体本体10的手感。
[0141]
s2036，采用光刻胶剥离液去除所述图案化光刻胶掩膜，得到所述壳体本体10。
[0142]
可选地，采用光刻胶剥离液，例如：质量浓度为4％至6％的氢氧化钾水溶液，于温度为70℃至90℃下，去除所述图案化光刻胶掩膜，得到所述壳体本体10。
[0143]
可选地，所述氢氧化钾水溶液的浓度可以为但不限于为4％、4.5％、5％、5.5％、6％等。氢氧化钾水溶液浓度太低，则图案化光刻胶掩膜脱模速度较慢，氢氧化钾水溶液浓度太高，对人体的危险性增加。
[0144]
可选地，去除图案化光刻胶掩膜的温度可以为但不限于为70℃、75℃、80℃、85℃、90℃等。温度太低，脱模时间慢；温度太高，能耗太高，生产成本增加。
[0145]
在一些实施例中，当壳体基材为玻璃基材时，本技术实施例的壳体100的制备方法还包括：对所述壳体本体10进行化学强化。
[0146]
可选地，所述对所述壳体本体10进行化学强化，包括：第一强化，包括于温度为430℃至450℃的硝酸钠(nano3)熔融液中进行化学强化，时间为70min至180min；以及第二强化，包括于温度为410℃至450℃的硝酸钾(kno3)熔融液中进行化学强化，时间为70min至150min，以使玻璃基材变为钢化玻璃，提高壳体本体10的各项机械性能，例如硬度。可选地，第一强化的温度可以为但不限于为430℃、435℃、440℃、445℃、450℃等。第一强化的时间为70min、80min、100min、120min、140min、160min、180min等。可选地，第二强化的温度可以为但不限于为410℃、420℃、430℃、435℃、440℃、445℃、450℃等。第二强化的时间为70min、80min、100min、120min、140min、150min等。
[0147]
本实施例中与上述实施例相同且未展开描述特征部分请参见上述实施例，在此不再赘述。
[0148]
本技术实施例的壳体100的制备方法，进行光刻蚀时，采用激光直接成像进行曝光，使得当壳体100为2.5d结构或3d结构时，壳体100上的弯折部14也可以形成图案化区113，也具有闪光或珠光环绕的纹理，无需内缩，从而使得制得的壳体100具有更好的外观效果。此外，在光刻胶胶液中加入了交联剂，使得光刻胶具有更好的耐腐蚀性，进行化抛刻蚀时，光刻胶可以在强酸溶液中停留更长的时间，从而可以制作具有更深纹理的壳体100，使得闪光砂上的纹理图案更加清晰、纹理效果更好。
[0149]
请参见图13，本技术实施例提供一种壳体100的制备方法，本技术的壳体100的制备方法可以用于制备本技术实施例所述的壳体100，所述壳体100包括壳体本体10，具有粗糙表面11；防护层30，设置于所述壳体本体10的粗糙表面11上；胶粘层50；以及炫彩膜70，所述炫彩膜70通过所述胶粘层50粘接于所述壳体本体10远离所述防护层30的表面。所述壳体100的制备方法包括：
[0150]
s301，提供壳体基材；
[0151]
s302，对所述壳体基材的表面进行表面粗化处理，以形成粗糙表面11，所述粗糙表面11包括多个凸起结构111，每个所述凸起结构111包括一个或多个反射面1110；
[0152]
s303，采用光刻蚀对所述粗糙表面11进行图案化处理，以在所述粗糙表面11上形成图案化区113，得到所述壳体本体10；
[0153]
s304，在所述壳体本体10的粗糙表面11形成防护层30；以及
[0154]
可选地，采用全氟聚醚、全氟聚醚衍生物等中的一种或多种胶液，在壳体本体10的
粗糙表面11涂覆一层膜层，除去溶剂后，形成防护层30。
[0155]
s305，将炫彩膜70通过胶粘层50粘贴于所述壳体本体10远离所述防护层30的表面。
[0156]
可选地，在炫彩膜70上涂布oca胶水，并将涂布有oca胶水的炫彩膜70粘贴于壳体本体10远离防护层30的表面。
[0157]
炫彩膜70可以通过以下步骤形成：
[0158]
1)提供基材层71，例如pet基材；
[0159]
2)在基材层71的表面采用uv胶水转印一层uv胶水层，并进行固化，形成光固化纹理层73；
[0160]
3)利用不导电真空镀膜技术(ncvm，non conductive vacuum metalization)在光固化纹理层73表面电镀一层光学镀膜层75；以及
[0161]
4)采用遮光油墨，在光学镀膜层75表面喷涂一层油墨层作为遮蔽层77。
[0162]
本实施例中与上述实施例相同且未展开描述特征部分请参见上述实施例，在此不再赘述。
[0163]
以下通过具体实施方式对本技术的壳体100作进一步的描述。
[0164]
实施例1至实施例5及对比例1至对比例3
[0165]
各实施例和对比例的壳体100通过以下方法制备：
[0166]
1)在玻璃基材的待处理表面之外的表面上涂覆油墨层，并进行清洗；
[0167]
2)将玻璃基材放入hhf003
‑
xm2的刻蚀药水中，以使待处理表面形成粗糙表面11；
[0168]
3)在玻璃基材的粗糙表面11上涂布光刻胶胶液，软烤后形成光刻胶层；其中，所述光刻胶胶液包括(以下份数均指重量份)：20份线性酚醛树脂(间甲苯酚基团与对甲苯酚基团比为7:3)、71.6份丙二醇甲醚醋酸酯(溶剂)、5份2,2’,4,4
’‑
四羟基二苯甲酮2,1,5
‑
重氮萘醌磺酸酯(光敏剂，pca
‑
435，酯化率87.5％)、2份日本旭有机材paps
‑
20(溶解促进剂)、0.2份r
‑
环氧丙氧基三甲基硅烷(偶联剂kbm
‑
403)、0.2份efka
‑
3600(流平剂)、交联剂(hmom
‑
tphap)(交联剂的含量见以下表1)。
[0169]
4)根据预设图案采用激光直接成像对所述光刻胶层进行曝光；
[0170]
5)采用电导率为35ms/m的氢氧化钾水溶液进行显影40s，以形成图案化光刻胶层；
[0171]
6)于160℃进行硬烤50min，形成图案化光刻胶掩膜；
[0172]
7)采用强酸进行化抛刻蚀，其中，强酸包括2wt％的氢氟酸、3wt％的硝酸及3wt％的硫酸；
[0173]
8)去除图案化光刻胶掩膜，得到壳体本体10。
[0174]
上述实施例及对比例的图案化光刻胶掩膜经附着力、耐酸性(耐酸时间)及显影精度(纹理部线宽测试)测试，得各项性能参数如下表1所示。附着力测试(百格测试)：采用astm d3359
‑
17对壳体100进行百格测试，具体地，将壳体用百格刀均匀划出1mm
×
1mm的方格，通过评定方格内膜层的完整程度来评定膜层在壳体本体上的附着程度。
[0175]
表1实施例及对比例的各项参数
[0176][0177]
从表1中实施例1至实施例3、及对比例1可知，当交联剂的含量相同时，酚醛树脂的分子量过小，则会降低图案化光刻胶掩膜的耐酸性，从而降低制得的壳体100上图案化区113的纹理部1131的刻蚀深度，当酚醛树脂的分子量为1.8万至3万时，具有较好的耐酸性。从表1中实施例2、实施例4、实施例5、对比例2及对比例3可知，当未添加交联剂时，形成的图案化光刻胶掩膜的耐酸性小于1min,当交联剂的含量为10％(大于7％)时，则该光刻胶无法进行显影。当交联剂的含量为树脂重量的2％至7％时，则可以使得壳体100上图案化区113的纹理部1131具有较高的刻蚀深度(刻蚀深度可达6μm至10μm)。
[0178]
请参见图14至图16，本技术实施例还提供一种电子设备400，其包括：显示组件410，用于显示；本技术实施例所述的壳体100，所述壳体100用于承载所述显示组件410；以及电路板组件430，所述电路板组件430设置于所述显示组件410与所述壳体100之间，所述电路板组件430且与所述显示组件410电连接，用于控制所述显示组件410进行显示。在一些实施例中，所述壳体100具有容置空间101，电路板组件430位于所述容置空间101，所述显示组件410设置于所述容置空间101上，用于将所述容置空间101闭合。
[0179]
本技术实施例的电子设备400可以为但不限于为手机、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑、智能手环、智能手表、电子阅读器、游戏机等便携式电子设备。
[0180]
关于壳体100的详细描述，请参见上述实施例对应部分的描述，在此不再赘述。
[0181]
可选地，所述显示组件410可以为但不限于为液晶显示组件、发光二极管显示组件(led显示组件)、微发光二极管显示组件(microled显示组件)、次毫米发光二极管显示组件(miniled显示组件)、有机发光二极管显示组件(oled显示组件)等中的一种或多种。
[0182]
请一并参见图16，可选地，电路板组件430可以包括处理器431及存储器433。所述处理器431分别与所述显示组件410及存储器433电连接。所述处理器431用于控制所述显示组件410进行显示，所述存储器433用于存储所述处理器431运行所需的程序代码，控制显示组件410所需的程序代码、显示组件410的显示内容等。
[0183]
可选地，处理器431包括一个或者多个通用处理器431，其中，通用处理器431可以是能够处理电子指令的任何类型的设备，包括中央处理器(central processing unit,cpu)、微处理器、微控制器、主处理器、控制器以及asic等等。处理器431用于执行各种类型的数字存储指令，例如存储在存储器433中的软件或者固件程序，它能使计算设备提供较宽的多种服务。
[0184]
可选地，存储器433可以包括易失性存储器(volatile memory)，例如随机存取存
储器(random access memory，ram)；存储器433也可以包括非易失性存储器(non
‑
volatilememory，nvm)，例如只读存储器(read
‑
only memory，rom)、快闪存储器(flash memory，fm)、硬盘(hard disk drive，hdd)或固态硬盘(solid
‑
state drive，ssd)。存储器433还可以包括上述种类的存储器的组合。
[0185]
在本文中提及“实施例”“实施方式”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现所述短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0186]
最后应说明的是，以上实施方式仅用以说明本技术的技术方案而非限制，尽管参照以上较佳实施方式对本技术进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或等同替换都不应脱离本技术技术方案的精神和范围。