发光器件、发光装置、发光模块、电子设备以及照明装置的制作方法

技术特征：
1.一种发光器件，包括：依次层叠的第一电极、第一发光层、第一层、第二层、第三层、第二发光层以及第二电极，其中，所述第一层包含第一有机化合物及第一物质，所述第二层包含第二有机化合物，所述第三层包含第二物质，所述第一有机化合物是电子传输材料，所述第一物质是金属、金属盐、金属氧化物或有机金属盐，所述第二有机化合物是电子传输材料，所述第二物质是电子注入材料，并且，所述第一物质在所述第二层中的浓度低于在所述第一层中的浓度。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二层不包含所述第一物质。3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中所述第一有机化合物与所述第二有机化合物相同。4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第三层还包含第三有机化合物，并且所述第三有机化合物是电子传输材料。5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第三有机化合物与所述第一有机化合物及所述第二有机化合物中的至少一个相同。6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件，其中所述第一物质为包含碱金属或碱土金属的有机金属配合物。7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其中所述第一物质为含有包含氮及氧的配体和碱金属或碱土金属的有机金属配合物。8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，其中所述第一物质为包含羟基喹啉配体和碱金属或碱土金属的有机金属配合物。9.根据权利要求1至8中任一项所述的发光器件，其中所述第二物质包含碱金属、碱土金属或稀土金属。10.根据权利要求1至9中任一项所述的发光器件，其中所述第一有机化合物的homo能级为
‑
6.0ev以上，并且电场强度[v/cm]的平方根为600时的电子迁移率为1
×
10
‑7cm2/vs以上且5
×
10
‑5cm2/vs以下。11.根据权利要求1至10中任一项所述的发光器件，其中所述第一层包括所述第一发光层一侧的第一区域及所述第二发光层一侧的第二区域，并且所述第一区域及所述第二区域中的所述第一有机化合物与所述第一物质的浓度比各自不同。12.根据权利要求1至10中任一项所述的发光器件，
其中所述第一层包括所述第一发光层一侧的第一区域及所述第二发光层一侧的第二区域，并且所述第二区域中的所述第一物质的浓度低于所述第一区域中的所述第一物质的浓度。13.根据权利要求1至12中任一项所述的发光器件，其中所述发光器件还包括空穴注入层，所述空穴注入层位于所述第一电极与所述第一发光层之间，所述空穴注入层包含第一化合物及第二化合物，所述第一化合物对所述第二化合物具有电子受体性，并且所述第二化合物的homo能级为
‑
5.7ev以上且
‑
5.4ev以下。14.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述发光器件还包括第一空穴传输层，所述第一空穴传输层位于所述空穴注入层与所述第一发光层之间，所述第一空穴传输层包含第三化合物，所述第三化合物的homo能级为所述第二化合物的homo能级以下的值，并且所述第三化合物的homo能级和所述第二化合物的homo能级的差异在0.2ev以内。15.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述第二化合物及所述第三化合物各自包含咔唑骨架、二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架以及蒽骨架中的至少一个。16.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述发光器件还包括第二空穴传输层，所述第二空穴传输层位于所述第一空穴传输层与所述第一发光层之间，所述第二空穴传输层包含第四化合物，并且所述第四化合物的homo能级低于第三化合物的homo能级。17.根据权利要求16所述的发光器件，其中所述第二化合物、所述第三化合物以及所述第四化合物各自包含咔唑骨架、二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架以及蒽骨架中的至少一个。18.根据权利要求1至17中任一项所述的发光器件，其中所述第一发光层包含发射蓝色光的发光物质。19.根据权利要求1至18中任一项所述的发光器件，其中所述第一发光层包含发射蓝色光的荧光发光物质。20.一种发光装置，包括：权利要求1至19中任一项所述的发光器件；以及晶体管和衬底中的至少一个。21.一种发光模块，包括：权利要求20所述的发光装置；以及连接器和集成电路中的至少一个。22.一种电子设备，包括：权利要求21所述的发光模块；以及
天线、电池、框体、照相机、扬声器、麦克风和操作按钮中的至少一个。23.一种照明装置，包括：权利要求1至19中任一项所述的发光器件；以及框体、覆盖物和支架中的至少一个。

技术总结
提供一种寿命长的发光器件。提供一种可靠性高的发光器件。该发光器件中依次层叠有第一电极、第一发光层、第一层、第二层、第三层、第二发光层以及第二电极。第一层包含第一有机化合物及第一物质。第二层包含第二有机化合物。第三层包含第二物质。第一有机化合物是电子传输材料。第一物质是金属盐、金属氧化物或有机金属盐。第二有机化合物是电子传输材料。第二物质是电子注入材料。第一物质在第二层中的浓度低于在第一层中的浓度。低于在第一层中的浓度。低于在第一层中的浓度。


技术研发人员：山冈谅平 桥本直明 铃木恒德 濑尾哲史
受保护的技术使用者：株式会社半导体能源研究所
技术研发日：2020.04.01
技术公布日：2021/11/21