具有双截断金字塔结构的超宽带太赫兹吸收材料及吸收器的制作方法

技术特征：
1.具有双截断金字塔结构的超宽带太赫兹吸收材料，其特征在于，包括吸收单元，所述吸收单元包括石墨烯层和设置在石墨烯层上的金属结构；所述石墨烯层与金属结构位于同一平面；若干吸收单元从上至下依次间隔排列，且若干吸收单元的尺寸从上至下呈阶梯状逐渐增大。2.根据权利要求1所述的具有双截断金字塔结构的超宽带太赫兹吸收材料，其特征在于，包括5层吸收单元，5层吸收单元的上方设置有电介质层（1），5层吸收单元的下方设置有金属基底（7）。3.根据权利要求2所述的具有双截断金字塔结构的超宽带太赫兹吸收材料，其特征在于，所述金属基底（7）为金。4.根据权利要求2所述的具有双截断金字塔结构的超宽带太赫兹吸收材料，其特征在于，所述电介质层（1）的折射率为1.3
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1.5。5.根据权利要求1所述的具有双截断金字塔结构的超宽带太赫兹吸收材料，其特征在于，若干吸收单元从上至下等间距排列，间距为3
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7μm。6.根据权利要求1所述的具有双截断金字塔结构的超宽带太赫兹吸收材料，其特征在于，所述石墨烯层由单层或多层石墨烯材料组成，以通过调整石墨烯层化学势能实现不同的太赫兹吸收带宽。7.根据权利要求1所述的具有双截断金字塔结构的超宽带太赫兹吸收材料，其特征在于，所述金属结构为铬、镍、锌中的任意一种。8.根据权利要求1所述的具有双截断金字塔结构的超宽带太赫兹吸收材料，其特征在于，所述石墨烯层和金属结构均为正方形结构，金属结构位于石墨烯层中心。9.根据权利要求1所述的具有双截断金字塔结构的超宽带太赫兹吸收材料，其特征在于，电场增强的位置首先从底层的石墨烯层位置开始移动到顶层，随后在从底层的金属结构位置开始往上移动。10.一种具有如权利要求1
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9任意一项所述的超宽带太赫兹吸收材料的吸收器。

技术总结
本发明提供了具有双截断金字塔结构的超宽带太赫兹吸收材料及吸收器，属于太赫兹吸波技术领域；吸收材料包括若干吸收单元，吸收单元包括石墨烯层和设置在石墨烯层上的金属结构；石墨烯层与金属结构位于同一平面；若干吸收单元从上至下依次间隔排列，且干吸收单元的尺寸从上至下呈阶梯状逐渐增大；所述双截断金字塔结构利用平面结构的复合结构与少层的垂直结构结合，实现超宽带太赫兹吸收；解决超宽带太赫兹吸收的平面结构空间限制和竖向结构层数过多的问题。层数过多的问题。层数过多的问题。


技术研发人员：冯光 陈智辉 王晓伟 刘啸 孙非 杨毅彪
受保护的技术使用者：太原理工大学
技术研发日：2021.08.19
技术公布日：2021/11/21