一种Caplayer层蚀刻优化方法与流程

技术特征：
1.一种cap layer层蚀刻优化方法，其特征在于：包括以下步骤：s1、准备全结构的外延片；s2、对所述外延片的n面进行翘曲补偿处理；s3、在所述外延片p面的cap layer层上沉积一层光学膜；s4、将沉积有光学膜的外延片进行欧姆接触光刻，使光刻胶边缘具有倾角；s5、利用干法刻蚀，刻蚀掉所述光刻胶覆盖范围以外的光学膜；s6、进行欧姆接触金属沉积，将金属沉积在刻蚀掉的区域内，使沉积后的金属与所述光刻胶边缘的倾角和cap layer层紧密接触；s7、使用sn830溶液去除所述光刻胶。2.根据权利要求1所述的一种cap layer层蚀刻优化方法，其特征在于：步骤s4中，使光刻胶边缘具有倾角的所述欧姆接触光刻的方法如下：s41、使用旋涂机在外延片上进行涂胶工艺，使光刻胶胶厚至少3um；s42、使用曝光机进行曝光，其曝光参数为曝光剂量2500、焦距0；s43、利用显影液对所述曝光后的外延片进行显影处理。3.根据权利要求2所述的一种cap layer层蚀刻优化方法，其特征在于：步骤s41中的所述涂胶工艺步骤如下：s411、使用旋涂机在高转速下在外延片上快速旋涂光刻胶，使光刻胶快速铺开；s412、将旋涂一层光刻胶后的所述外延片静止10s；s413、使用旋涂机在低转速下慢速旋转所述外延片，使外延片上的光刻胶均匀。4.根据权利要求3所述的一种cap layer层蚀刻优化方法，其特征在于：步骤s41中所述高转速为3500~4000r/s。5.根据权利要求3所述的一种cap layer层蚀刻优化方法，其特征在于：步骤s43中所述低转速为800~1200r/s。6.根据权利要求3所述的一种cap layer层蚀刻优化方法，其特征在于：所述光刻胶边缘的倾角为70~80度。7.根据权利要求1所述的一种cap layer层蚀刻优化方法，其特征在于：所述翘曲补偿的方式为生长一层应力膜，所述应力膜的材料为sio2、sin
x
或sio
x
n
y
。8.根据权利要求1所述的一种cap layer层蚀刻优化方法，其特征在于：所述光学膜的材料为si、n、o、al、f、mg形成的电介质中的一种或几种所形成的组合物。9.根据权利要求1
‑
8任一权利要求所述的一种cap layer层蚀刻优化方法，其特征在于：所述金属沉积所用的金属材料为金、钛、银、铜、铬、锰、锗中的一种或者几种。10.根据权利要求1
‑
8任一权利要求所述的一种cap layer层蚀刻优化方法，其特征在于：所述全结构的外延片从p面到n面一次包括cap layer层、p
‑
dbr层、氧化层、量子阱层、n
‑
dbr层以及衬底，其中所述衬底为gaas单晶衬底。

技术总结
本发明公开了一种Cap layer层蚀刻优化方法，包括以下步骤：S1、准备全结构的外延片；S2、对所述外延片的N面进行翘曲补偿处理；S3、在所述外延片P面的Cap layer层上沉积一层光学膜；S4、将沉积有光学膜的外延片进行欧姆接触光刻，使光刻胶边缘具有倾角；S5、利用干法刻蚀，刻蚀掉所述光刻胶覆盖范围以外的光学膜；S6、进行欧姆接触金属沉积，将金属沉积在刻蚀掉的区域内，使沉积后的金属与所述光刻胶边缘的倾角和Cap layer层紧密接触；S7、使用SN830溶液去除所述光刻胶。通过该工艺方法，使沉积后的金属与光刻胶紧密贴合，避免SN830溶液对Cap layer层造成蚀刻现象，增大了选择比，方便控制蚀刻角度，提升芯片的良率并且极大程度地保护了芯片的性能。了芯片的性能。了芯片的性能。


技术研发人员：王田瑞 王凤玲 成飞
受保护的技术使用者：威科赛乐微电子股份有限公司
技术研发日：2021.07.14
技术公布日：2021/11/21