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一种低插损高频声表面波滤波器的制作方法

2021-11-22 13:37:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种低插损高频声表面波滤波器,其特征在于,包括:四个依次串联的谐振器s1、谐振器s2、谐振器s3、谐振器s4,和四个结构参数相同的并联谐振器p1

p4,并联谐振器p1

p4的接地端口相互连接后接地,其中p1的另一端口与串联谐振器s1的端口一相连接,作为声表面波滤波器的端口1,p4的另一端口端与串联谐振器s4的端口二相连接,作为声表面波滤波器的端口2;p2和p3的另一端口均设置在串联的s2和s3之间,s1的端口二与s2的端口一相连接,s3的端口二和s4的端口一相连接。串联谐振器s1、s2和并联谐振器p1、p2构成”π”型结构,串联谐振器s3、s4和并联谐振器p3、p4构成”π”型结构,并联谐振器p2、p3和串联谐振器s1、s2,s3、s4构成”t”型结构,整体级联组合成”t π”型结构。2.根据权利要求1所述的一种低插损高频声表面波滤波器,其特征在于,所有谐振器均使用厚金属膜插指电极结构。3.根据权利要求2所述的一种低插损高频声表面波滤波器,其特征在于,所述厚金属膜插指电极结构的电极材料为金属铝,电极相对厚度设置在33%~36%之间,以提高机电耦合系数和瑞利波强度并削弱乐甫波波速。4.根据权利要求2所述的一种低插损高频声表面波滤波器,其特征在于,通过提高谐振器s1、谐振器s2、谐振器s3、谐振器s4的占空比,η=a/b,a为插指宽度,b为插指间隙,并减小反射栅周期;占空比为插指宽度除以插指间隙,对于均指,占空比为1,反射栅周期通常为插指周期的一半,这里同样是根据插指周期λ的0.5倍往下调小,通过模拟结果就可以看出随着反射栅周期的变小,干扰在变小,调整串联谐振器插指对数以改变谐振器横向模式频率点的位置。横向模式对应于不同模saw模式,有着不同的波速,横向模式只是一些干扰模式,是杂模信号,改变插指对数会改变横向模式的谐振频率点。5.根据权利要求4所述的一种低插损高频声表面波滤波器,其特征在于,提高串联谐振器s1

s4的占空比到5:1,其反射栅周期均小于中心频率所对应的波长的0.5倍。6.根据权利要求3所述的一种低插损高频声表面波滤波器,其特征在于,所述厚金属膜插指电极结构的压电材料为128
°
y

x linbo3,串谐振器的波长λ为1.1μm,并联谐振器的波长为1.2μm,串、并联谐振器的插指厚度均为0.4μm,相对波长厚度分别为36.4%和33.3%。7.根据权利要求6所述的一种低插损高频声表面波滤波器,其特征在于,通过调整串联谐振器s1~s4的插指对数改变通带内横向模式的谐振点,使得级联谐振器时,横向模式可以错位叠加从而降低带内波动和插入损耗,并联谐振器均采用均指结构。

技术总结
本发明请求保护一种高频低插损声表面波滤波器,属于声表面波滤波器技术领域,其包括滤波器的结构设计和减小带内波动、减小插入损耗,提高带外抑制性能的优化方法。其中滤波器的结构设计包括4个结构参数相同的并联谐振器P1


技术研发人员:王巍 周杨春 黎淼
受保护的技术使用者:重庆中易智芯科技有限责任公司
技术研发日:2021.08.13
技术公布日:2021/11/21
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