一种兰姆波器件及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种兰姆波器件，其特征在于，包括由下至上依次设置的支撑衬底(1)、布拉格反射层(2)、压电薄膜(3)和叉指电极结构(4)；所述布拉格反射层(2)包括交替层叠的低声阻抗层(21)和高声阻抗层(22)；所述叉指电极结构(4)包括第一总线(41)、第二总线(42)、第一叉指电极(43)和第二叉指电极(44)；所述第一总线(41)的第一端与所述第二总线(42)的第一端相对，且存在预设距离；所述第一叉指电极(43)设于所述第一总线(41)上；所述第二叉指电极(44)设于所述第二总线(42)上；所述第一叉指电极(43)的形状和所述第二叉指电极(44)的形状为弧形。2.根据权利要求1所述的兰姆波器件，其特征在于，所述第一叉指电极(43)包括至少两个间隔设置的上叉指电极；所述第二叉指电极(44)包括至少两个间隔设置的下叉指电极；相邻的两个所述上叉指电极之间置有一个所述下叉指电极；相邻的所述上叉指电极与所述下叉指电极之间的距离相等。3.根据权利要求2所述的兰姆波器件，其特征在于，所述第一叉指电极(43)包括第一上叉指电极(431)和第二上叉指电极(432)；所述第一上叉指电极(431)设于所述第一总线(41)的第一端，且所述第一上叉指电极(431)的形状为圆环；所述第二上叉指电极(432)的形状为具有开口的圆环，所述第二上叉指电极(432)的开口形成放置所述第二总线(42)的通道；所述第二上叉指电极(432)的直径大于所述第一上叉指电极(431)的直径，且所述第一上叉指电极(431)位于所述第二上叉指电极(432)内；所述第二叉指电极(44)包括第一下叉指电极(441)和第二下叉指电极(442)；所述第一下叉指电极(441)设于所述所述第二总线(42)的第一端，且所述第一下叉指电极(441)的形状和所述第二下叉指电极(442)的形状为具有开口的圆环，所述第一下叉指电极(441)的开口和所述第二下叉指电极(442)的开口形成放置所述第一总线(41)的通道；所述第二下叉指电极(442)的直径大于所述第一下叉指电极(441)的直径，且所述第一下叉指电极(441)位于所述第二下叉指电极(442)内；所述第一下叉指电极(441)位于所述第一上叉指电极(431)和第二上叉指电极(432)之间；所述第一上叉指电极(431)、所述第二上叉指电极(432)、所述第一下叉指电极(441)和所述第二下叉指电极(442)共圆心。4.根据权利要求2所述的兰姆波器件，其特征在于，所述压电薄膜(3)的厚度小于0.5p，所述p为相邻的所述上叉指电极与所述下叉指电极之间的距离。5.根据权利要求1所述的兰姆波器件，其特征在于，所述压电薄膜(3)的晶体切型为z切；所述压电薄膜(3)的材料包括铌酸锂或者钽酸锂。6.根据权利要求1所述的兰姆波器件，其特征在于，所述压电薄膜(3)上设有间隔设置的两个凹槽(8)，一个所述凹槽(8)内设有所述第一叉指电极(43)；另一个所述凹槽(8)内设有所述第二叉指电极(44)。
7.根据权利要求1所述的兰姆波器件，其特征在于，还包括介质层；所述介质层位于所述衬底与所述压电薄膜(3)之间，或者，所述介质层位于所述叉指电极结构(4)上。8.根据权利要求4所述的兰姆波器件，其特征在于，所述第一叉指电极(43)的金属化率小于35％，和/或，所述第二叉指电极(44)的金属化率小于35％。9.根据权利要求1所述的兰姆波器件，其特征在于，所述支撑衬底(1)的材料包括硅、氧化硅
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硅、绝缘体上硅(silicon
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on
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insulator，soi)、锗、石英、蓝宝石、铌酸锂、钽酸锂中的至少一种；所述第一叉指电极(43)的材料包括铝、钨、铬、钛、铜、银和金中至少一种金属材料；所述第二叉指电极(44)的材料包括铝、钨、铬、钛、铜、银和金中至少一种金属材料。10.一种兰姆波器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一压电薄膜(3)结构，所述压电薄膜(3)结构包括由下至上依次设置的支撑衬底(1)、布拉格反射层(2)和压电薄膜(3)；所述布拉格反射层(2)包括交替层叠的低声阻抗层(21)和高声阻抗层(22)；在所述压电薄膜(3)上制备叉指电极结构(4)，得到所述兰姆波器件，所述叉指电极结构(4)包括第一总线(41)、第二总线(42)、第一叉指电极(43)和第二叉指电极(44)；所述第一总线(41)的第一端与所述第二总线(42)的第一端相对，且存在预设距离；所述第一叉指电极(43)设于所述第一总线(41)上；所述第二叉指电极(44)设于所述第二总线(42)上；所述第一叉指电极(43)的形状和所述第二叉指电极(44)的形状为弧形。

技术总结
本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种兰姆波器件及其制备方法。该兰姆波器件包括由下至上依次设置的支撑衬底、布拉格反射层、压电薄膜和叉指电极结构；该布拉格反射层包括交替层叠的低声阻抗层和高声阻抗层；该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对，且存在预设距离；该第一叉指电极设于该第一总线上；该第二叉指电极设于该第二总线上；该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。该第二叉指电极的形状为弧形。该第二叉指电极的形状为弧形。


技术研发人员：欧欣 房晓丽 郑鹏程 张师斌 张丽萍
受保护的技术使用者：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
技术研发日：2021.08.26
技术公布日：2021/11/21