测试系统及方法与流程

技术特征：
1.一种测试系统，其特征在于，所述系统包括：发射装置，所述发射装置包括驱动组件和vcsel芯片，所述驱动组件用于向所述vcsel芯片输入驱动信号，以使所述vcsel芯片输出纳秒级短脉冲光信号；接收装置，用于接收所述纳秒级短脉冲光信号，并对所述纳秒级短脉冲光信号进行光电转换，以输出与所述纳秒级短脉冲光信号对应的脉冲电信号；显示装置，用于接收来自所述接收装置的脉冲电信号，并对所述脉冲电信号进行显示，以便读取所述纳秒级短脉冲光信号的测试参数。2.根据权利要求1所述的测试系统，其特征在于，所述驱动组件包括驱动板、直流电源、信号发生器和控制器，其中，所述直流电源、所述信号发生器均与所述驱动板连接，所述驱动板与所述vcsel芯片连接，所述控制器与所述驱动板、所述直流电源和所述信号发生器分别连接，用于控制所述直流电源向所述驱动板供电，以及控制所述驱动板向所述vcsel芯片输入所述驱动信号。3.根据权利要求2所述的测试系统，其特征在于，所述发射装置还包括温度控制组件，所述温度控制组件包括测试夹具和温度控制模块，其中，所述测试夹具用于夹持所述vcsel芯片，所述温度控制模块用于调节所述vcsel芯片所处环境的温度。4.根据权利要求1所述的测试系统，其特征在于，所述接收装置包括积分球和光电探测器，其中，所述积分球用于接收所述纳秒级短脉冲光信号，并对所述纳秒级短脉冲光信号进行反复反射，所述光电探测器用于接收所述积分球输出的光信号，并将所述光信号转换为所述脉冲电信号。5.根据权利要求4所述的测试系统，其特征在于，所述光电探测器具体用于利用预先标定好的参数将所述光信号转换为所述脉冲电信号，其中，所述预先标定好的参数包括光功率与光电压值。6.根据权利要求1
‑
5中任一项所述的测试系统，其特征在于，所述驱动组件还与所述显示装置连接，用于驱动所述显示装置进行显示工作。7.根据权利要求3所述的测试系统，其特征在于，所述vcsel芯片封装在氮化铝陶瓷基板上，其中，所述测试夹具夹持封装后的vcsel芯片。8.根据权利要求3所述的测试系统，其特征在于，所述温度控制模块用于使所述vcsel芯片所处环境在20
‑
110℃范围内变化。9.根据权利要求1所述的测试系统，其特征在于，所述驱动信号包括电流、频率、占空比中的至少一者。10.一种测试方法，其特征在于，所述方法用于如权利要求1
‑
9中任一项所述的测试系统，所述方法包括以下步骤：向所述vcsel芯片输入驱动信号，以使所述vcsel芯片输出纳秒级短脉冲光信号；将所述纳秒级短脉冲光信号转换为对应的脉冲电信号；接收并显示所述脉冲电信号，以便读取所述纳秒级脉冲光信号的测试参数。

技术总结
本发明公开了一种测试系统及方法，系统包括：发射装置，发射装置包括驱动组件和VCSEL芯片，驱动组件用于向VCSEL芯片输入驱动信号，以使VCSEL芯片输出纳秒级短脉冲光信号；接收装置，用于接收纳秒级短脉冲光信号，并对纳秒级短脉冲光信号进行光电转换，以输出与纳秒级短脉冲光信号对应的脉冲电信号；显示装置，用于接收来自接收装置的脉冲电信号，并对脉冲电信号进行显示，以便读取纳秒级短脉冲光信号的测试参数。该系统实现了对工作在短脉冲、大电流条件下的VCSEL芯片性能的评估。条件下的VCSEL芯片性能的评估。条件下的VCSEL芯片性能的评估。


技术研发人员：吕朝晨 庞晓林 王青 江蔼庭 李文亮 金晶
受保护的技术使用者：华芯半导体科技有限公司
技术研发日：2021.07.06
技术公布日：2021/11/21