防止阻焊层离子迁移方法与流程

技术特征：
1.一种防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于，包括以下步骤：前期处理步骤：将pcb工件进行前期工序处理，生成待处理工件；初次水洗步骤：将待处理工件水洗处理，清洁表面；微蚀步骤：将待处理工件微蚀处理，生成蚀后工件；二次水洗步骤：将蚀后工件水洗处理，清洁表面；酸洗步骤：将蚀后工件进行酸洗处理；抗氧化步骤：在蚀后工件加工抗氧化涂层，水洗处理并烘干；阻焊印刷步骤：进行阻焊印刷；预烤步骤：一次预烤后，生成预烤工件；复合光处理步骤：采用平行光与散射光相结合的复合光照射预烤工件的表面；显影步骤：将工件进行曝光、显影处理，进行后烤，然后进行化学镍金处理；后续加工步骤：水洗处理并烘干。2.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述前期处理步骤中，检验待处理工件是否符合质量要求，若是，执行下一步，若否，进行返工处理。3.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述初次水洗步骤中，检验待处理工件的表面光洁度和清洁度是否符合要求，若是，执行下一步，若否，进行返工处理。4.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述微蚀步骤中，采用规格为cz8100的药水进行处理。5.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述酸洗步骤中，采用盐酸进行酸洗处理。6.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述抗氧化步骤中，加工cl
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8300有机保护抗氧化涂层。7.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述阻焊印刷步骤中，完成阻焊印刷之后，检验工件是否符合阻焊要求，若是，进行下一步；若否，返工处理。8.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述复合光处理步骤中，采用规格为mms808c的曝光机进行照射。9.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述复合光处理步骤中，采用10～11级的曝光等级进行处理。10.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述显影步骤中，调整显影时间为60s,显影温度为30℃，显影压力为1.3bar。

技术总结
本发明公开了一种防止阻焊层离子迁移方法，将PCB工件进行前期工序处理，生成待处理工件；将待处理工件水洗处理，清洁表面；将待处理工件微蚀处理，生成蚀后工件；将蚀后工件水洗处理，清洁表面；将蚀后工件进行酸洗处理；在蚀后工件加工抗氧化涂层，水洗处理并烘干；进行阻焊印刷；一次预烤后，生成预烤工件；采用平行光与散射光相结合的复合光照射预烤工件的表面；将工件进行曝光、显影处理，进行后烤，然后进行化学镍金处理；水洗处理并烘干。在蚀后工件加工抗氧化涂层可以有效防止油墨后烤高温时铜面氧化的问题，防止油墨与铜面结合力变差，解决了阻焊层离子迁移失效时间短的问题。解决了阻焊层离子迁移失效时间短的问题。解决了阻焊层离子迁移失效时间短的问题。


技术研发人员：彭浪祥 彭智新 梁俊业
受保护的技术使用者：广州美维电子有限公司
技术研发日：2021.07.02
技术公布日：2021/11/19