显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年5月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2020
‑
0057189号的优先权和权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
3.一个或多个实施例涉及显示装置。


背景技术：

4.通常，显示装置具有其中各种层被堆叠的配置。例如，有机发光显示装置包括有机发光器件，有机发光器件包括像素电极、包括有机发射层的中间层以及对电极。另外，用于驱动有机发光器件的电路单元也具有其中多个布线层被堆叠并且用于防止多个布线层之间的短路的绝缘层可以布置在多个布线层之间的配置。绝缘层可以包括无机材料或有机材料。另一方面，因为从有机材料产生的气体在显示装置的制造过程期间可能没有全部排出并且可能部分地残留在包括有机材料的绝缘层中，所以在显示装置正被使用时，在包括有机材料的绝缘层中可能会发生脱气。另外，当显示装置长时间在户外使用时，阳光可分解包括有机材料的绝缘层，并且在分解过程中可产生气体。如上所述，当包括有机材料的绝缘层产生气体时，产生的气体会使有机发射层劣化，并且可能发生诸如像素收缩的缺陷，从而降低了显示装置的可靠性。因此，已经积极地进行了研究，以防止由于从包括有机材料的绝缘层产生的气体而导致的诸如像素收缩的缺陷。
5.在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对本发明背景的理解，并且因此它可能包含不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

6.本公开的实施例的各方面涉及一种能够显著减少来自包括有机材料的绝缘层等的脱气的显示装置。然而，这些问题是示例性的，并且本公开的范围不限于此。
7.另外的方面将部分地在下面的描述中阐述并且部分地将根据该描述是明显的，或者可以通过实践本公开所呈现的实施例而获知。
8.根据本公开的一些实施例，提供了一种显示装置，包括：具有显示区域和围绕显示区域的外围区域的基板；位于基板上的第一初始化电压线；位于第一初始化电压线上并且具有暴露第一初始化电压线的至少一部分的第一接触孔的有机膜层；以及位于与外围区域相对应的有机膜层上并且通过第一接触孔与第一初始化电压线接触的桥接布线，其中，与外围区域相对应的有机膜层具有与第一接触孔邻近的凹槽或虚设孔。
9.在一些实施例中，显示装置进一步包括：与第一初始化电压线位于同一层上的第二初始化电压线，其中，有机膜层进一步具有至少部分地暴露第二初始化电压线的第二接触孔，并且其中，桥接布线通过第二接触孔与第二初始化电压线接触。
10.在一些实施例中，桥接布线包括在第一方向上延伸并与第一初始化电压线接触的
第一部分以及在第一方向上延伸并与第二初始化电压线接触的第二部分。
11.在一些实施例中，凹槽或虚设孔位于第一部分与第二部分之间。
12.在一些实施例中，桥接布线至少部分地与凹槽重叠，并且包括与凹槽相对应的台阶部分。
13.在一些实施例中，从基板到桥接布线的上表面的与凹槽重叠的部分的垂直距离小于从基板到桥接布线的上表面的除与凹槽重叠的部分之外的另一部分的垂直距离。
14.在一些实施例中，显示装置进一步包括与桥接布线位于同一层上的连接布线。
15.在一些实施例中，桥接布线与连接布线成为一体。
16.在一些实施例中，从平面图来看，连接布线至少弯曲两次。
17.根据本公开的一些实施例，提供了一种显示装置，包括：具有显示区域和围绕显示区域的外围区域的基板；位于基板上的第一初始化电压线；位于第一初始化电压线上并且具有暴露第一初始化电压线的至少一部分的第一接触孔的第一有机膜层；位于第一有机膜层上并且包括与第一接触孔相对应的第三接触孔的第二有机膜层；以及位于与外围区域相对应的第二有机膜层上并与第一初始化电压线接触的桥接布线，其中，与外围区域相对应的第二有机膜层具有与第一接触孔和第三接触孔邻近的第一虚设孔。
18.在一些实施例中，第一有机膜层具有与第一虚设孔相对应的第二虚设孔。
19.在一些实施例中，显示装置进一步包括：与第一初始化电压线位于同一层上的第二初始化电压线，其中，第一有机膜层进一步具有至少部分地暴露第二初始化电压线的第二接触孔，其中，第二有机膜层进一步包括与第二接触孔相对应的第四接触孔，并且其中，桥接布线通过第二接触孔和第四接触孔接触第二初始化电压线。
20.在一些实施例中，桥接布线包括在第一方向上延伸并与第一初始化电压线接触的第一部分以及在第一方向上延伸并与第二初始化电压线接触的第二部分，并且第一虚设孔位于第一部分与第二部分之间。
21.在一些实施例中，第二有机膜层进一步具有与第一虚设孔间隔开并且位于第一部分与第二部分之间的第三虚设孔。
22.在一些实施例中，显示装置进一步包括与桥接布线位于同一层上的连接布线。
23.在一些实施例中，显示装置进一步包括发光器件，发光器件从平面图来看与桥接布线间隔开，连接布线位于发光器件与桥接布线之间，并且发光器件被布置为与显示区域相对应。
24.在一些实施例中，发光器件包括：与桥接布线位于同一层上的像素电极；位于像素电极上的中间层；以及位于中间层上的对电极。
25.根据本公开的一些实施例，提供了一种显示装置，包括：具有显示区域和围绕显示区域的外围区域的基板；位于基板上的电压布线；位于电压布线上并具有暴露电压布线的至少一部分的第一接触孔的第一有机膜层；位于第一有机膜层上并且具有与第一接触孔相对应的第三接触孔的第二有机膜层；以及位于与外围区域相对应的第二有机膜层上并与电压布线接触的桥接布线，其中，与外围区域相对应的第二有机膜层具有与第一接触孔和第三接触孔邻近的虚设孔。
26.在一些实施例中，显示装置进一步包括：位于显示区域中的多个像素，每个像素接收第一扫描信号、第二扫描信号、第三扫描信号、数据电压和初始化电压，其中，多个像素中
的每一个像素包括：发光器件；被配置为基于栅
‑
源电压来控制流过发光器件的电流的大小的驱动薄膜晶体管；位于电源线与驱动薄膜晶体管的栅极之间的存储电容器；被配置为响应于第二扫描信号而将数据电压传输到驱动薄膜晶体管的源极的扫描薄膜晶体管；被配置为响应于第二扫描信号而将驱动薄膜晶体管的漏极连接到驱动薄膜晶体管的栅极的补偿薄膜晶体管；被配置为响应于第一扫描信号而将初始化电压施加到驱动薄膜晶体管的栅极的栅极初始化薄膜晶体管；以及被配置为响应于第三扫描信号而将初始化电压施加到发光器件的阳极的阳极初始化薄膜晶体管。
27.在一些实施例中，电压布线是被配置为将初始化电压传输到多个像素中的每一个的初始化电压线。
28.根据用于实施当前实施例的以下详细描述、附图及上面的权利要求，除上述那些以外的其他方面和特征将变得明显。
附图说明
29.根据结合附图进行的以下描述，某些实施例的上述以及其他方面和特征将更加明显，附图中：
30.图1是示意性地示出根据实施例的显示装置的平面图；
31.图2是示意性地示出根据实施例的显示装置的一个像素的等效电路图；
32.图3是示意性地示出根据实施例的图1的显示装置的一部分的放大平面图；
33.图4是示意性地示出根据实施例的图3的显示装置的一部分的放大平面图；
34.图5a和图5b是沿着线i
‑
i'截取的图4的桥接布线的示例性截面图；
35.图6是沿着线ii
‑
ii'截取的图4的桥接布线和发光器件的示例性截面图；并且
36.图7a、图7b和图7c是沿着线i
‑
i'截取的图4的桥接布线的示例性截面图。
具体实施方式
37.现在将详细地参考实施例，实施例的示例在附图中示出，其中相同的附图标记自始至终指代相同的元件。在这点上，当前实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图描述实施例，以说明本说明书的各方面。
38.可以对本公开进行各种修改并且各种实施例是可能的，并且特定实施例将在附图中示出并且在详细描述中进行详细描述。参照以下参考附图详细描述的实施例，将阐明本公开的效果和特征以及实现它们的方法。然而，本公开不限于下面公开的实施例，并且可以以各种形式实现。
39.在下文中，将参考附图详细描述本公开的示例性实施例。当参考附图进行描述时，相同或相应的部件将由相同的附图标记表示，并且将省略其冗余描述。
40.将理解，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分区分开。因此，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可以被称为第二元件、部件、区、层或部分，而不脱离本发明构思的精神和范围。
41.为了易于描述，在本文中可以使用诸如“之下”、“下面”、“下”、“下方”、“上面”和
“
上”等空间相对术语，来描述如各图中所示的一个元件或特征相对于另一(些)元件或特征的关系。应当理解，除了图中所描绘的方位之外，空间相对术语还旨在包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下面”或“之下”或“下方”的元件将随之被定向为在其他元件或特征“上面”。因此，示例术语“下面”和“下方”可以包含上面和下面这两种方位。装置可以以其他方式定向(例如，旋转90度或者以其他方位)，并且本文中所使用的空间相对描述符应被相应地解释。另外，还将理解，当层被称为在两个层“之间”时，其可以是这两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。
42.出于本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”和“选自由x、y和z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅x、仅y、仅z、或x、y和z中的两个或更多个的任意组合，例如xyz、xyy、yz和zz。
43.此外，当描述本发明构思的实施例时，“可以”的使用是指“本发明构思的一个或多个实施例”。而且，术语“示例性”意指示例或例示。
44.如本文所使用的，术语“使用”、“正使用”和“被使用”可以被认为分别与术语“利用”、“正利用”和“被利用”同义。
45.如本文中所使用的，术语“大致”、“约”以及类似术语被用作近似的术语，而不是作为程度的术语，并且旨在对本领域普通技术人员将会认识到的测量值或计算值中的固有偏差加以解释。此外，本书面说明书或权利要求书中记载的特定量或范围还可涵盖本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有变化。
46.在以下实施例中，除非上下文另外明确指出，否则单数表达包括复数表达。
47.在以下实施例中，诸如“包括”或“具有”的术语表示存在说明书中描述的特征或部件，并不排除预先添加一个或多个其他特征或部件的可能性。
48.在以下实施例中，当膜、区域、部件等的一部分被称为在另一部分上或上方时，其不仅包括当该部分直接在另一部分上方时，还包括当另一膜、区域、部件等设置在该部分与另一部分之间时。
49.在附图中，为了便于描述，部件的尺寸可能被放大或缩小。例如，因为为了便于描述而任意地示出了附图中所示的每个部件的尺寸和厚度，所以本公开不一定限于所示出的内容。
50.当可以不同地实现实施例时，可以以与所描述的顺序不同的顺序执行特定过程顺序。例如，连续描述的两个过程可以基本同时被执行，或者可以以与所描述的相反的顺序被执行。
51.在以下实施例中，当膜、区域、部件等被连接时，其包括膜、区域、部件被直接连接的情况，和/或位于膜、区域、部件中间的其他膜、区域、部件设置在它们之间并且间接连接的情况。例如，在整个本说明书中，当膜、区域、部件等被电连接时，膜、区域、部件等被直接电连接，或者膜、区域、部件等具有设置在其间的另一膜、区域、部件等并且被间接电连接。
52.x轴、y轴和z轴不限于笛卡尔坐标系上的三个轴，并且可以在包括它们的广义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此正交，但是可以指彼此不正交的不同方向。
53.图1是示意性地示出根据实施例的显示装置的平面图。
54.参考图1，显示装置1包括用于显示图像的显示区域da和布置在显示区域da周围的
外围区域pa。显示装置1可以使用从显示区域da发射的光向外部提供(例如，显示)图像。当然，因为显示装置1包括基板100，所以基板100可以包括这样的显示区域da和外围区域pa。
55.基板100可以包括各种材料，例如玻璃、金属和/或塑料等。根据实施例，基板100可以包括柔性材料。在这里，柔性材料可以指弯曲良好、可折叠或可卷曲的材料。柔性材料的基板100可以包括超薄玻璃、金属和/或塑料等。
56.可以在基板100的显示区域da中布置包括诸如有机发光二极管(oled)的各种显示元件的多个像素px。可以提供多个像素px，并且可以以诸如条纹布置、pentile布置和镶嵌布置的各种形式布置多个像素px，以实现图像。
57.当以平面形状观看显示区域da时，显示区域da可以如图1中所示以矩形形状提供。在另一实施例中，可以以诸如三角形、五边形和六边形的多边形形状、圆形、椭圆形或不规则形状提供显示区域da。
58.基板100的外围区域pa被布置在显示区域da周围(例如，围绕显示区域da)，并且可以是其中不显示图像的区域。在外围区域pa中，可以设置被配置为传输要施加到显示区域da的电信号的各种布线以及附接至印刷电路板或驱动器ic芯片的焊盘。
59.图2是示意性地示出根据实施例的显示装置的一个像素的等效电路图。
60.参考图2，一个像素px可以包括像素电路pc以及电连接到像素电路pc的有机发光二极管oled。
61.作为示例，如图2中所示，像素电路pc包括第一薄膜晶体管t1至第七薄膜晶体管t7以及存储电容器cst。第一薄膜晶体管t1至第七薄膜晶体管t7和存储电容器cst分别连接到被配置为分别传输第一至第三扫描信号sn、sn
‑
1和sn 1的第一至第三扫描线sl、sl
‑
1和sl 1、被配置为传输数据电压dm的数据线dl、被配置为传输发射控制信号en的发射控制线el、被配置为传输驱动电压elvdd的驱动电压线pl、被配置为传输初始化电压vint的初始化电压线vl以及被施加公共电压elvss的公共电极。
62.第一薄膜晶体管t1可以是其中漏极电流的大小根据栅
‑
源电压来确定的驱动晶体管，并且第二薄膜晶体管t2至第七薄膜晶体管t7可以是根据栅
‑
源电压(基本上是栅极电压)而导通/截止的开关晶体管。
63.第一薄膜晶体管t1可以被称为驱动薄膜晶体管，第二薄膜晶体管t2可以被称为扫描薄膜晶体管，第三薄膜晶体管t3可以被称为补偿薄膜晶体管，第四薄膜晶体管t4可以被称为栅极初始化薄膜晶体管，第五薄膜晶体管t5可以被称为第一发射控制薄膜晶体管，第六薄膜晶体管t6可以被称为第二发射控制薄膜晶体管，并且第七薄膜晶体管t7可以被称为阳极初始化薄膜晶体管。
64.存储电容器cst连接在驱动电压线pl与驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极g1之间。存储电容器cst可以具有连接到驱动电压线pl的上电极ce2和连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极g1的下电极ce1。
65.驱动薄膜晶体管t1可以根据栅
‑
源电压来控制从驱动电压线pl流到有机发光二极管oled的驱动电流i
oled
的大小。驱动薄膜晶体管t1可以包括连接到存储电容器cst的下电极ce1的驱动栅极g1、通过第一发射控制薄膜晶体管t5连接到驱动电压线pl的驱动源极s1和通过第二发射控制薄膜晶体管t6连接到有机发光二极管oled的驱动漏极d1。
66.驱动薄膜晶体管t1可以根据栅
‑
源电压将驱动电流i
oled
输出到有机发光二极管
oled。驱动电流i
oled
的大小基于栅
‑
源电压与驱动薄膜晶体管t1的阈值电压之间的差来确定。有机发光二极管oled可以从驱动薄膜晶体管t1接收驱动电流i
oled
，并且可以以与驱动电流i
oled
的大小相对应的亮度发光。
67.扫描薄膜晶体管t2可以响应于第一扫描信号sn而将数据电压dm传输到驱动薄膜晶体管t1的驱动源极s1。扫描薄膜晶体管t2可以包括连接到第一扫描线sl的扫描栅极g2、连接到数据线dl的扫描源极s2和连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动源极s1的扫描漏极d2。
68.补偿薄膜晶体管t3串联连接在驱动薄膜晶体管t1的驱动漏极d1与驱动栅极g1之间，并且响应于第一扫描信号sn而将驱动薄膜晶体管t1的驱动漏极d1连接到驱动栅极g1。补偿薄膜晶体管t3可以包括连接到第一扫描线sl的补偿栅极g3、连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动漏极d1的补偿源极s3和连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极g1的补偿漏极d3。尽管图2示出了补偿薄膜晶体管t3包括彼此串联连接的两个薄膜晶体管，但是补偿薄膜晶体管t3可以由一个薄膜晶体管组成。
69.栅极初始化薄膜晶体管t4响应于第二扫描信号sn
‑
1，将初始化电压vint施加到驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极g1。栅极初始化薄膜晶体管t4可以包括连接到第二扫描线sl
‑
1的第一初始化栅极g4、连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极g1的第一初始化源极s4和连接到初始化电压线vl的第一初始化漏极d4。在图2中，栅极初始化薄膜晶体管t4被示出为包括彼此串联连接的两个薄膜晶体管；然而，本公开的实施例不限于此，并且栅极初始化薄膜晶体管t4可以由一个薄膜晶体管组成。
70.阳极初始化薄膜晶体管t7响应于第三扫描信号sn 1，将初始化电压vint施加到有机发光二极管oled的阳极。阳极初始化薄膜晶体管t7可以包括连接到第三扫描线sl 1的第二初始化栅极g7、连接到有机发光二极管oled的阳极的第二初始化源极s7和连接到初始化电压线vl的第二初始化漏极d7。
71.第一发射控制薄膜晶体管t5可以响应于发射控制信号en，将驱动电压线pl连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动源极s1。第一发射控制薄膜晶体管t5可以包括连接到发射控制线el的第一发射控制栅极g5、连接到驱动电压线pl的第一发射控制源极s5和连接到驱动源极s1的第一发射控制漏极d5。
72.第二发射控制薄膜晶体管t6可以响应于发射控制信号en，将驱动薄膜晶体管t1的驱动漏极d1连接到有机发光二极管oled的阳极。第二发射控制薄膜晶体管t6可以包括连接到发射控制线el的第二发射控制栅极g6、连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动漏极d1的第二发射控制源极s6和连接到有机发光二极管oled的阳极的第二发射控制漏极d6。
73.第二扫描信号sn
‑
1可以与前一行像素的第一扫描信号sn基本同步。第三扫描信号sn 1可以与第一扫描信号sn基本同步。根据另一示例，第三扫描信号sn 1可以与下一行像素中的第一扫描信号sn基本同步。
74.在当前实施例中，第一薄膜晶体管t1至第七薄膜晶体管t7可以包括包含硅的半导体层。例如，第一薄膜晶体管t1至第七薄膜晶体管t7可以包括包含低温多晶硅(ltps)的半导体层。多晶硅材料具有高的电子迁移率(超过100cm2/vs)、低的能量消耗和优异的可靠性。作为另一示例，第一薄膜晶体管t1至第七薄膜晶体管t7的半导体层可以包括选自由铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)、铝(al)、铯(cs)、铈(ce)和锌(zn)组成的组中的至少一种材料的氧化物。例如，半导体层可以是
insnzno(itzo)半导体层或ingazno(igzo)半导体层等。作为另一示例，第一薄膜晶体管t1至第七薄膜晶体管t7的一些半导体层可以包括低温多晶硅(ltps)，并且一些其他半导体层可以包括氧化物半导体(例如，igzo)。
75.在下文中，将详细描述根据实施例的显示装置1的一个像素px的详细操作。如图2中所示，假定第一薄膜晶体管t1至第七薄膜晶体管t7是p型mosfet；然而，本公开的实施例不限于此，并且如果对应的驱动信号被相应地改变，则第一薄膜晶体管t1至第七薄膜晶体管t7中的任何一个也可以是n型mosfet。
76.首先，当接收到高电平发射控制信号en时，第一发射控制薄膜晶体管t5和第二发射控制薄膜晶体管t6截止，驱动薄膜晶体管t1停止驱动电流i
oled
的输出，并且有机发光二极管oled停止发光。
77.此后，在其中低电平第二扫描信号sn
‑
1被接收的栅极初始化时段期间，栅极初始化薄膜晶体管t4导通，并且初始化电压vint被施加到驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极g1，即存储电容器cst的下电极ce1。驱动电压elvdd与初始化电压vint之间的差(即，elvdd
‑
vint)被存储在存储电容器cst中。
78.此后，在其中低电平第一扫描信号sn被接收的数据写入时段期间，扫描薄膜晶体管t2和补偿薄膜晶体管t3导通，并且驱动薄膜晶体管t1的驱动源极s1接收数据电压dm。驱动薄膜晶体管t1被补偿薄膜晶体管t3二极管连接，并且被正向补偿。驱动薄膜晶体管t1的栅极电压在初始化电压vint上升。当驱动薄膜晶体管t1的栅极电压变得等于通过从数据电压dm减去驱动薄膜晶体管t1的阈值电压vth而获得的数据补偿电压(dm
‑
|vth|)时，驱动薄膜晶体管t1截止，并且驱动薄膜晶体管t1的栅极电压的上升停止。因此，存储电容器cst存储驱动电压elvdd与数据补偿电压(dm
‑
|vth|)之间的差(elvdd
‑
dm |vth|)。
79.另外，在低电平第三扫描信号sn 1被接收时的阳极初始化时段期间，阳极初始化薄膜晶体管t7导通，并且初始化电压vint被施加到有机发光二极管oled的阳极。通过将初始化电压vint施加到有机发光二极管oled的阳极使得有机发光二极管oled完全不发光(例如，完全关闭或变暗)，即使在下一帧中像素px接收与黑色灰度相对应的数据电压dm，也可以消除有机发光二极管oled微弱发光的现象。
80.第一扫描信号sn和第三扫描信号sn 1可以基本同步，并且在这种情况下，数据写入时段和阳极初始化时段可以是同一时段。
81.然后，当接收到低电平发射控制信号en时，第一发射控制薄膜晶体管t5和第二发射控制薄膜晶体管t6导通，驱动薄膜晶体管t1可以输出与存储在存储电容器cst中的电压(即，通过从驱动薄膜晶体管t1的源
‑
栅电压(elvdd
‑
dm |vth|)减去驱动薄膜晶体管t1的阈值电压(|vth|)而获得的电压(elvdd
‑
dm))相对应的驱动电流i
oled
，并且有机发光二极管oled可以发射具有与驱动电流i
oled
的大小相对应的亮度的光。
82.假设第一薄膜晶体管t1至第七薄膜晶体管t7是p型mosfet来描述显示装置1的一个像素px的操作，但是作为另一示例，第一薄膜晶体管t1至第七薄膜晶体管t7中的一些薄膜晶体管可以包括p型mosfet，并且一些薄膜晶体管可以包括n型mosfet。
83.图3是示意性地示出根据实施例的图1的显示装置的一部分的放大平面图。
84.图3是图1的显示装置1的放大的第一区域ar1，并且第一区域ar1与显示区域da和外围区域pa之间的边界相对应。
85.参考图3，显示装置1可以包括布置在显示区域da中的多个发光器件200，并且可以包括布置在外围区域pa中的作为桥接布线的初始化桥接布线vb和驱动桥接布线eb、第一焊盘连接布线pcl1和第二焊盘连接布线pcl2等。
86.多个发光器件200中的每一个可以是包括阳极和阴极的有机发光二极管oled。如图3中所示，多个发光器件200可以被布置在行方向x和/或列方向y上。例如，多个发光器件200可以以矩阵形式布置。作为另一示例，多个发光器件200可以被布置为具有各种合适的结构，诸如条纹结构、镶嵌阵列结构、三角形(delta)阵列结构和pentile矩阵结构。因为多个像素px(参见图1)中的每一个包括多个发光器件200，所以多个像素px也可以以诸如条纹结构、镶嵌阵列结构、三角形阵列结构和pentile矩阵结构的各种合适结构布置。
87.初始化桥接布线vb可以包括均在 y方向上延伸的多个部分，并且多个部分中的每个部分可以通过多个接触孔vcnt(以下称为初始化接触孔)中的每一个将初始化电压vint(参见图2)传输到多个像素px。
88.初始化桥接布线vb可以是透光电极(例如，半透光电极)或反射电极。在一些实施例中，初始化桥接布线vb可以包括包含ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr和/或其化合物的反射层以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。初始化桥接布线vb可以具有多个孔h，并且例如，多个孔h可以是脱气孔。
89.初始化桥接布线vb可以通过第一焊盘接触孔pcnt1连接到第一焊盘连接布线pcl1。第一焊盘连接布线pcl1可以在第一方向(例如，y方向)上延伸，并且可以连接到布置在显示装置1的一侧的焊盘单元。焊盘单元可以被暴露而不被绝缘层覆盖，并且电连接到印刷电路板。印刷电路板可以将控制器的信号或电力传输到显示装置1。
90.例如，通过从印刷电路板传输的控制器的信号，初始化电压vint可以被供应。初始化电压vint可以通过连接到焊盘单元的第一焊盘连接布线pcl1被传输到初始化桥接布线vb。初始化桥接布线vb可以通过多个初始化接触孔vcnt中的每一个将初始化电压vint传输到多个像素px中的每一个。即，初始化桥接布线vb可以通过第一焊盘连接布线pcl1将从印刷电路板和焊盘单元接收的初始化电压vint传输到多个像素px中的每一个。初始化桥接布线vb被布置的部分可以被理解为初始化电压vint被输入的部分。
91.驱动桥接布线eb可以布置在初始化桥接布线vb的左侧和/或右侧。图3示出了驱动桥接布线eb布置在初始化桥接布线vb的相对侧；然而，本公开的实施例不限于此，并且驱动桥接布线eb可以仅布置在初始化桥接布线vb的一侧(例如，左侧)。
92.驱动桥接布线eb可以通过在x方向上延伸的驱动接触孔ecnt，将驱动电压elvdd(参见图2)传输到布置在驱动桥接布线eb下方的驱动电压供应布线。驱动桥接布线eb可以包括与初始化桥接布线vb相同或基本相同的材料。例如，驱动桥接布线eb可以是透光电极(例如，半透光电极)或反射电极。另外，驱动桥接布线eb可以被提供有可以是例如脱气孔的多个孔h。
93.驱动桥接布线eb可以通过第二焊盘接触孔pcnt2连接到第二焊盘连接布线pcl2。第二焊盘连接布线pcl2可以在第一方向上延伸，并且可以连接到布置在显示装置1的一侧的焊盘单元。焊盘单元可以被暴露而不被绝缘层覆盖，并且电连接到印刷电路板。可以通过从印刷电路板接收的控制器的信号来供应驱动电压elvdd。驱动电压elvdd可以通过连接到焊盘单元的第二焊盘连接布线pcl2被传输到驱动桥接布线eb。驱动桥接布线eb可以通过驱
动接触孔ecnt将驱动电压elvdd传输到布置在驱动桥接布线eb下方的驱动电压供应布线。即，驱动桥接布线eb可以通过第二焊盘连接布线pcl2将从印刷电路板和焊盘单元接收的驱动电压elvdd传输到驱动电压供应布线，并且驱动电压elvdd可以从驱动电压供应布线被传输到多个像素px中的每一个。驱动桥接布线eb被布置的部分可以被理解为驱动电压elvdd被输入的部分。
94.栅极驱动电路、多路复用器(mux)、多路解复用器(demux)和各种布线可以布置在初始化桥接布线vb和驱动桥接布线eb下方。
95.栅极驱动电路可以通过第一扫描线sl(参见图2)将第一扫描信号sn(参见图2)提供给像素px中的每一个。另外，栅极驱动电路可以通过发射控制线el(参见图2)将发射控制信号en(参见图2)提供给像素px中的每一个。多路复用器与用于选择若干个模拟或数字输入信号中的一个并将选择的输入信号传送到一条线的器件相对应，并且多路解复用器与用于接收一个输入信号并选择多条数据输出线中的一条的器件相对应。各种布线可以与公共电压供应布线、数据连接布线和驱动电压连接布线等相对应。
96.可以理解，初始化桥接布线vb和驱动桥接布线eb用作桥，以避开布置在初始化桥接布线vb和驱动桥接布线eb下方的栅极驱动电路、多路复用器和多路解复用器，并且分别将初始化电压vint和驱动电压elvdd传输到显示区域da。
97.尽管图3示出了初始化桥接布线vb和驱动桥接布线eb布置在显示装置1的下端，但作为另一示例，初始化桥接布线vb和驱动桥接布线eb也可以布置在显示装置1的另一侧。另外，可以形成多条初始化桥接布线vb和多条驱动桥接布线eb。即，多个部分可以接收初始化电压vint和驱动电压elvdd的输入。例如，可以在显示装置1的下端布置四条初始化桥接布线vb和四条驱动桥接布线eb。
98.图4是示意性地示出图3的显示装置的一部分的放大平面图，并且图5a和图5b是沿着线i
‑
i'截取的图4的桥接布线的示例性截面图。图6是沿着线ii
‑
ii'截取的图4的桥接布线和发光器件的示例性截面图。
99.参考图4，显示装置1(参见图1)可以包括布置在显示区域da中的多个发光器件200、作为连接布线的初始化连接布线vcl和布置在外围区域pa中的初始化桥接布线vb。
100.如图4中所示，多个发光器件200可以被布置为与初始化桥接布线vb间隔开，初始化连接布线vcl在多个发光器件200与初始化桥接布线vb之间。可以以诸如条纹结构、镶嵌阵列结构、三角形阵列结构和pentile矩阵结构的各种合适结构来布置多个发光器件200。
101.初始化连接布线vcl可以与多个发光器件200邻近布置，并且可以包括与初始化桥接布线vb相同或基本相同的材料。例如，初始化连接布线vcl可以是透光电极(例如，半透光电极)或反射电极。
102.初始化连接布线vcl可以连接到初始化桥接布线vb的在 y方向上延伸的部分中的每个部分。例如，初始化桥接布线vb的第一部分p1和第二部分p2中的每一个可以在 y方向上延伸，并且可以连接到初始化连接布线vcl。初始化连接布线vcl可以与初始化桥接布线vb成为一体。因此，与初始化桥接布线vb一样，初始化连接布线vcl可以将初始化电压vint(参见图2)传输到多个像素px(参见图1)中的每一个。
103.如图4中所示，从平面图来看，初始化连接布线vcl可以具有至少弯曲两次的形状，并且可以被布置为避开多个发光器件200。例如，在平面图中，初始化连接布线vcl可以不与
多个发光器件200重叠并且可以围绕多个发光器件200布线。另外，初始化连接布线vcl可以具有网格结构。初始化连接布线vcl和初始化桥接布线vb可以各自通过多个初始化接触孔vcnt中的每一个连接到作为布置在初始化连接布线vcl和初始化桥接布线vb下方的电压布线的初始化电压线vl。另外，因为初始化桥接布线vb具有多个部分，所以初始化连接布线vcl和初始化桥接布线vb可以连接到不同的初始化电压线vl。例如，初始化桥接布线vb的第一部分p1可以通过第一初始化接触孔vcnt1连接到第一初始化电压线vl1，并且初始化桥接布线vb的第二部分p2可以通过第二初始化接触孔vcnt2连接到第二初始化电压线vl2。另外，初始化电压线vl可以在x方向或y方向上延伸，并且初始化电压vint可以通过初始化电压线vl被传输到多个像素px中的每一个。
104.在实施例中，显示装置1可以包括布置在基板100上的有机膜层117。初始化连接布线vcl和初始化桥接布线vb可以均布置在有机膜层117上，并且有机膜层117可以具有多个初始化接触孔vcnt。与外围区域pa相对应的有机膜层117可以具有与多个初始化接触孔vcnt邻近的凹槽gr或虚设孔dh。换句话说，有机膜层117可以具有与外围区域pa的围绕多个初始化接触孔vcnt的部分相对应的凹槽gr或虚设孔dh。
105.形成在有机膜层117中的凹槽gr或虚设孔dh可以布置在初始化桥接布线vb的部分之间，初始化桥接布线vb的这些部分中的每个部分在 y方向上延伸。例如，凹槽gr或虚设孔dh可以布置在初始化桥接布线vb的第一部分p1和初始化桥接布线vb的第二部分p2之间。
106.在下文中，将参考图5a、图5b和图6根据堆叠结构更详细地描述显示装置1中包括的配置，并且将描述初始化桥接布线vb、初始化电压线vl、凹槽gr和虚设孔dh之间的布置关系。
107.基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和/或醋酸丙酸纤维素等。包含聚合物树脂的基板100可以具有柔性、可卷曲或可弯曲的特性。基板100可以是包括包含上述聚合物树脂的层和无机层的多层结构。
108.缓冲层111可以减少或阻止异物、湿气或外部空气从基板100的底部渗透，并且可以在基板100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、或者有机材料、或者有机
‑
无机复合物，并且可以是无机材料和有机材料的单层或多层结构。
109.可以在基板100和缓冲层111之间进一步包括阻挡层。阻挡层可以用于防止或减少来自基板100等的杂质渗透到半导体层a中。阻挡层可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、或者有机材料、或者有机
‑
无机复合物，并且可以是无机材料和有机材料的单层或多层结构。
110.半导体层a可以布置在与显示区域da相对应的缓冲层111上。半导体层a可以包括非晶硅和/或多晶硅等。在另一实施例中，半导体层a可以包括选自由铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)、铝(al)、铯(cs)、铈(ce)和锌(zn)组成的组中的至少一种材料的氧化物。
111.半导体层a可以包括沟道区c以及布置在沟道区c的相对侧的源区s和漏区d。半导体层a可以包括单层或多层。
112.栅极绝缘层113可以堆叠并布置在基板100上，以覆盖半导体层a。栅极绝缘层113可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧
化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和/或氧化锌(zno2)等。
113.栅电极g可以布置在与显示区域da相对应的栅极绝缘层113上，以至少部分地与半导体层a重叠，并且与外围区域pa相对应的栅极层gat可以布置在栅极绝缘层113上。栅电极g和栅极层gat可以各自由选自由铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和铜(cu)组成的组中的一种或多种金属的单层或多层形成。在实施例中，栅极层gat可以与诸如公共电压供应布线、数据连接布线和驱动电压连接布线等的各种布线相对应。在图5a中，栅极层gat覆盖栅极绝缘层113的整个表面；然而，本公开的实施例不限于此。例如，如图6中所示，可以将栅极层gat与栅电极g一起图案化。
114.层间绝缘层115可以布置在栅极绝缘层113上，以覆盖栅电极g和栅极层gat。层间绝缘层115可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和/或氧化锌(zno2)等。
115.源电极、漏电极、数据线或初始化电压线vl等可以布置在层间绝缘层115上。源电极、漏电极、数据线和初始化电压线vl可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)等的导电材料，并且可以被构造为包括上述材料的多层或单层。例如，源电极、漏电极、数据线和初始化电压线vl可以具有ti/al/ti的多层结构。源电极和漏电极可以通过接触孔分别连接到半导体层a的源区s和漏区d。图6中所示的截面图是沿着图4的线ii
‑
ii'截取的，并且因此，以断开的方式示出了初始化电压线vl。然而，初始化电压线vl可以在y方向上连续地延伸，并且初始化电压vint可以通过初始化电压线vl被传输到布置在同一列中的多个像素px中的每一个。
116.源电极、漏电极、数据线和初始化电压线vl可以被无机保护层覆盖。无机保护层可以是氮化硅(sinx)和/或氧化硅(siox)的单层或多层。可以引入无机保护层以覆盖并且保护布置在层间绝缘层115上的一些布线。
117.有机膜层117被布置为覆盖源电极、漏电极、数据线和初始化电压线vl，并且可以具有用于将薄膜晶体管tft连接到像素电极210的阳极接触孔acnt。薄膜晶体管tft和像素电极210可以布置在显示区域da中。另外，有机膜层117具有用于连接初始化桥接布线vb和初始化电压线vl的部分的多个初始化接触孔vcnt，其中，初始化桥接布线vb和初始化电压线vl的这些部分中的每个部分布置在外围区域pa中。有机膜层117具有用于连接初始化桥接布线vb的部分(每个部分沿 y方向延伸)和多条初始化电压线vl的多个初始化接触孔vcnt。例如，有机膜层117具有将初始化桥接布线vb的第一部分p1连接到第一初始化电压线vl1的第一初始化接触孔vcnt1以及将初始化桥接布线vb的第二部分p2连接到第二初始化电压线vl2的第二初始化接触孔vcnt2。
118.在实施例中，如图5a中所示，与外围区域pa相对应的有机膜层117可以具有与多个初始化接触孔vcnt中的每一个邻近的凹槽gr，或者如图5b中所示，与外围区域pa相对应的有机膜层117可以具有与多个初始化接触孔vcnt中的每一个邻近的虚设孔dh。换句话说，有机膜层117可以具有与外围区域pa的围绕多个初始化接触孔vcnt的部分相对应的凹槽gr或虚设孔dh。
119.形成在有机膜层117中的凹槽gr或虚设孔dh可以布置在初始化桥接布线vb的部分之间，初始化桥接布线vb的这些部分中的每个部分在 y方向上延伸。例如，凹槽gr或虚设孔
dh可以布置在初始化桥接布线vb的第一部分p1和初始化桥接布线vb的第二部分p2之间。
120.当与外围区域pa相对应的有机膜层117包括凹槽gr时，有机膜层117可以通过使用半色调掩模或狭缝掩模通过硬化干燥工艺形成。
121.有机膜层117可以由单层或多层有机材料形成，并且提供平坦的顶表面。有机膜层117是诸如苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(hmdso)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(pmma)或聚苯乙烯(ps)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物及其混合物。
122.在有机膜层117上布置发光器件200、初始化桥接布线vb和初始化连接布线vcl。发光器件200包括像素电极210、包括有机发射层的中间层220和对电极230。
123.在实施例中，如图6中所示，初始化桥接布线vb可至少部分地与形成在有机膜层117中的凹槽gr重叠，并且由于凹槽gr而可具有台阶部分(例如，具有高度st的台阶)。即，从基板100到与凹槽gr重叠的初始化桥接布线vb的上表面的垂直距离d1可小于从基板100到除了与凹槽gr重叠的部分以外(例如，不是与凹槽gr重叠的部分)的初始化桥接布线vb的上表面的垂直距离d2。尽管作为示例描述了凹槽gr，但是可以在布置于层间绝缘层115上的下金属等不与初始化桥接布线vb接触的范围内同样地施加虚设孔dh。
124.在图6中，有机膜层117被示出为包括从初始化桥接布线vb的第一部分p1起在
‑
y方向上设置的凹槽gr；然而，本公开的实施例不限于此。例如，如图5a和图5b中所示，有机膜层117也可以具有仅位于初始化桥接布线vb的第一部分p1和第二部分p2之间的凹槽gr或虚设孔dh。可以省略形成在从初始化桥接布线vb的第一部分p1起在
‑
y方向上延伸的部分中的凹槽gr或虚设孔dh。
125.像素电极210、初始化桥接布线vb和初始化连接布线vcl可以是透光电极(例如，半透光电极)或反射电极。在一些实施例中，像素电极210、初始化桥接布线vb和初始化连接布线vcl可以包括包含ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr和/或其化合物等的反射层以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括选自由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)组成的组中的至少一种。在一些实施例中，像素电极210、初始化桥接布线vb和初始化连接布线vcl可以被提供有ito/ag/ito。
126.像素限定层119可以布置在有机膜层117上。另外，像素限定层119可以用于通过增加像素电极210的边缘与位于像素电极210的顶部上的对电极230之间的距离，防止在像素电极210的边缘处发生电弧或大大减少其发生。
127.像素限定层119是选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中的至少一种有机绝缘材料，并且可以通过诸如旋涂的方法形成。
128.中间层220可以布置在由像素限定层119形成的开口op中，并且可以包括有机发射层。有机发射层可以包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料的有机材料。有机发射层可以是低分子有机材料或高分子有机材料，并且可以在有机发射层的上方和下方，选择性地进一步布置诸如空穴传输层(htl)、空穴注入层(hil)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)的功能层。
129.对电极230可以是透光电极或反射电极。在一些实施例中，对电极230可以是透明
或半透明电极，并且可以包括具有小的功函数的金属薄膜，包括li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag、mg和其化合物。另外，可以在金属薄膜上进一步布置诸如ito、izo、zno或in2o3的透明导电氧化物(tco)膜。对电极230可以布置在显示区域da上方，并且可以布置在中间层220和像素限定层119上方。对电极230可以相对于多个有机发光二极管(oled)一体地形成，并且可以与多个像素电极210相对应。
130.因为有机发光器件可能容易被来自外部的湿气或氧气损坏，所以封装层可以覆盖有机发光器件以保护有机发光器件。封装层可以在覆盖显示区域da的同时延伸到外围区域pa的至少一部分。封装层可以包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
131.如上所述，在实施例中，与外围区域pa相对应的有机膜层117可以具有与多个初始化接触孔vcnt中的每一个邻近的凹槽gr或虚设孔dh。换句话说，有机膜层117可以具有与外围区域pa的围绕多个初始化接触孔vcnt的部分相对应的凹槽gr或虚设孔dh。
132.作为比较示例，与外围区域相对应的有机膜层可不具有凹槽或虚设孔。在这种情况下，可能会从由有机材料制成的有机膜层发生脱气，并且诸如像素收缩的缺陷可能由于所产生的气体对有机发射层的劣化而发生，从而降低了显示装置的可靠性。特别地，在与初始化电压被输入的部分邻近布置的像素中，可能频繁发生由于有机膜层的脱气而导致的像素收缩。其原因如下。如图3中所示，初始化电压和驱动电压中的每一个可以通过桥接布线被传输到像素。桥接布线可以通过接触孔将初始化电压和驱动电压传输到像素。被形成为传输初始化电压的接触孔可以具有比被形成为传输驱动电压的接触孔小的面积和体积。另外，被形成为传输初始化电压的接触孔可以比被形成为传输驱动电压的接触孔更靠近显示区域布置。因为被形成为传输初始化电压的接触孔具有比被形成为传输驱动电压的接触孔的小的面积和体积，所以许多有机膜层分布在被形成为传输初始化电压的接触孔周围，并且从而由于有机膜层的脱气而导致的诸如像素收缩的缺陷可能更频繁地发生。
133.然而，如实施例中所示，与外围区域pa相对应的有机膜层117可以具有与初始化接触孔vcnt邻近布置的凹槽gr或虚设孔dh，初始化接触孔vcnt将用于传递初始化电压vint的初始化桥接布线vb连接到初始化电压线vl。换句话说，有机膜层117可以具有与外围区域pa的围绕初始化接触孔vcnt的一部分相对应的凹槽gr或虚设孔dh。在这种情况下，因为与布置在显示区域da中的发光器件200邻近的有机膜层117由于凹槽gr或虚设孔dh而被部分地去除，所以显示装置1中的有机物的体积减少，并且因此，可以显著减少有机物的脱气。因此，即使显示装置1长时间暴露于阳光，也可以防止或显著减少由阳光引起的有机物的分解，使得可以防止或大大减少由于脱气而导致的诸如像素收缩的缺陷。可以提高显示装置1的可靠性。
134.图7a、图7b和图7c是沿着线i
‑
i'截取的图4的桥接布线的示例性截面图。在图7a、图7b和图7c中，与图5a和图5b中相同的附图标记表示相同的构件，并且将省略其重复描述。
135.参考图7a、图7b和图7c，有机膜层117可以包括顺序地布置的第一有机膜层117a和第二有机膜层117b。可以理解，第一有机膜层117a可以与图5a、图5b和图6中所示的有机膜层117相对应，并且与第一有机膜层117a分开地，第二有机膜层117b布置在第一有机膜层117a上。
136.这样，当第一有机膜层117a和第二有机膜层117b被顺序地布置为使得有机膜层117形成双层时，有机膜层117的平坦度可以增加。因此，由于有机膜层117，布置在有机膜层
117上的像素电极210不形成台阶等。当外部光从像素电极210的表面反射时，其可能由于台阶差等而在一个方向上偏移。在这种情况下，取决于发射区域形成的位置，可能会发生特定颜色被强调(例如，相对增强或突出)的分色现象。然而，当有机膜层117形成双层时，有机膜层117的平坦度增加，并且由于有机膜层117，像素电极210不形成台阶等。因此，可以减少由于外部光而导致的分色现象。
137.第一有机膜层117a和第二有机膜层117b可以由单层或多层有机材料形成，并且提供平坦的顶表面。有机膜层117可以是通用聚合物，例如苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(hmdso)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(pmma)或聚苯乙烯(ps)，或者可以是具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物及其混合物。
138.第一有机膜层117a可以具有将布置在外围区域pa中的第一初始化桥接布线vb的第一部分p1连接到第一初始化电压线vl1的第一初始化接触孔vcnt1，并且可以具有将布置在外围区域pa中的初始化桥接布线vb的第二部分p2连接到第二初始化电压线vl2的第二初始化接触孔vcnt2。第二有机膜层117b可以具有与第一初始化接触孔vcnt1相对应的第三初始化接触孔vcnt3以及与第二初始化接触孔vcnt2相对应的第四初始化接触孔vcnt4。
139.在实施例中，如图7a中所示，与外围区域pa相对应的第二有机膜层117b可以具有与第三初始化接触孔vcnt3和第四初始化接触孔vcnt4中的每一个邻近的第一虚设孔dh1。换句话说，第二有机膜层117b可以具有与外围区域pa的围绕第三初始化接触孔vcnt3和第四初始化接触孔vcnt4的部分相对应的第一虚设孔dh1。
140.形成在第二有机膜层117b中的第一虚设孔dh1可以布置在初始化桥接布线vb的部分之间，初始化桥接布线vb的这些部分中的每个部分在 y方向上延伸。例如，第一虚设孔dh1可以布置在初始化桥接布线vb的第一部分p1和初始化桥接布线vb的第二部分p2之间。这样，显示装置1中的有机物的体积减小，并且因此，可以显著减少有机物的脱气。
141.在实施例中，如图7b中所示，第一有机膜层117a可以具有与形成在第二有机膜层117b中的第一虚设孔dh1相对应的第二虚设孔dh2。在这种情况下，与当仅第二有机膜层117b具有第一虚设孔dh1时相比，显示装置1中的有机物的体积减小，并且因此，可以显著减少有机物的脱气。
142.在实施例中，如图7c中所示，与外围区域pa相对应的第二有机膜层117b可以具有分别与第三初始化接触孔vcnt3和第四初始化接触孔vcnt4邻近的第三虚设孔dh3和第四虚设孔dh4。换句话说，第二有机膜层117b可以具有与外围区域pa的分别围绕第三初始化接触孔vcnt3和第四初始化接触孔vcnt4的部分相对应的第三虚设孔dh3和第四虚设孔dh4。
143.形成在第二有机膜层117b中的第三虚设孔dh3和第四虚设孔dh4可以布置在初始化桥接布线vb的部分之间，初始化桥接布线vb的这些部分中的每个部分在 y方向上延伸。例如，第三虚设孔dh3和第四虚设孔dh4可以布置在初始化桥接布线vb的第一部分p1和初始化桥接布线vb的第二部分p2之间。图7c示出在初始化桥接布线vb的第一部分p1和第二部分p2之间形成总共两个虚设孔；然而，虚设孔的数量可以不同于两个。例如，可以在第二有机膜层117b中形成总共四个虚设孔。另外，如以上参考图7b所述，第一有机膜层117a可以包括与形成在第二有机膜层117b中的虚设孔相对应的虚设孔。
144.通过本公开的各种实施例，可以减小显示装置1中的有机材料的体积，并且可以显
著地减少有机材料的脱气，使得可以防止或大大减少由于脱气而导致的诸如像素收缩的缺陷。可以提高显示装置1的可靠性。
145.根据本公开的一个或多个实施例，减少了显示装置中的有机物的体积，并且因此，可以显著减少有机物的脱气。因此，即使显示装置长时间暴露于阳光，也可以防止或显著减少由于阳光造成的有机物的分解，使得可以提高显示装置的可靠性。本公开的范围不受这些效果的限制。
146.至此，已经主要描述了显示装置，但是本公开不限于此。例如，对于制造这样的显示装置，制造显示装置的方法也落入本公开的范围内。
147.应当理解，本文描述的实施例应仅以描述性意义来考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在其中进行形式和细节上的各种合适的改变，而不脱离由所附权利要求及其等同物限定的精神和范围。