触控结构和显示设备的制作方法

1.本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及触控结构和显示设备。


背景技术：

2.已经开发了各种类型的触摸面板。触摸面板的示例包括一体化(one
‑
glass
‑
solution，ogs)触摸面板、单元上(on
‑
cell)触摸面板和单元内(in
‑
cell)触摸面板。on
‑
cell触摸面板提供了高触控精度。on
‑
cell触摸面板可分为单元上单层(single
‑
layer
‑
on
‑
cell，sloc)触摸面板和单元上多层(multi
‑
layer
‑
on
‑
cell，mloc)触摸面板。特别是，在具有优越的触控精度和消隐效果的mloc触控面板中可以实现多点触控。


技术实现要素：

3.在一个方面，本公开提供了一种触控结构，包括沿着行方向的多个第一网状电极，以及沿着列方向的多个第二网状电极；其中，所述触控结构被限制在触控区域中，并且不存在于由所述触控区域围绕的窗口区域中；其中，所述多个第二网状电极包括：分别位于所述窗口区域的第一侧和第二侧的第一网格块和第二网格块；第一导电板，其连接到所述第一网格块的一个或多个网格线；第二导电板，其连接到所述第二网格块的一个或多个网格线；以及第一导电桥，其连接所述第一导电板和所述第二导电板；其中，所述第一导电桥包括第一段和第二段；以及所述第二段在与所述第一段、所述第一导电板和所述第二导电板不同的层中。
4.可选地，多个第一网状电极包括：在所述窗口区域的第三侧上的第三网格块；以及第三导电板，所述第三导电板连接到所述第三网格块的一个或多个网格线；其中，所述第三导电板将所述第一导电桥与所述第三网格块间隔开；所述第三导电板包括第一部和第二部；所述第二段在与所述第三导电板不同的层中；所述第一段和所述第二段分别在所述窗口区域的周边的第一部分和第二部分周围；所述第一部和所述第二部分别在所述窗口区域的周边的第三部分和第四部分周围；所述第一部分与所述第三部分至少部分地重叠；以及所述第二部分与所述第四部分至少部分地重叠。
5.可选地，第一部具有沿着从所述第一部到所述窗口区域的方向的第一最短板宽；所述第二部具有沿着从所述第二部到所述窗口区域的方向的第二最短板宽；以及所述第一最短板宽小于所述第二最短板宽。
6.可选地，第一导电桥进一步包括第五段，所述第五段与所述第一段、所述第一导电板和所述第二导电板在同一层中；所述第五段的第一重叠部分在基底基板上的正投影与所述第二段的第二重叠部分至少部分地重叠，所述第一重叠部分通过延伸穿过触摸绝缘层的通孔连接至所述第二重叠部分；所述第一重叠部分和所述第二重叠部分在所述窗口区域的周边的部分重叠部分周围；所述第二部通过在所述窗口区域的周边的间隙部分周围的间隙与邻近所述第二部的第三隔板间隔开；以及部分重叠部分包括间隙部分。
7.可选地，第三导电板进一步包括第三部，所述第一部在所述第二部和所述第三部
之间；所述第一导电桥还包括第三段，所述第一段在所述第二段和所述第三段之间；所述第三段与所述第二段在同一层中，并且在与所述第一段、所述第一导电板、所述第二导电板和所述第三导电板不同的层中；所述第三段在所述窗口区域的周边的第五部分周围；所述第三部在所述窗口区域的周边的第六部分周围；以及所述第五部分与所述第六部分至少部分地重叠。
8.可选地，第一部具有沿着从所述第一部到所述窗口区域的方向的第一最短板宽；所述第二部具有沿着从所述第二部到所述窗口区域的方向的第二最短板宽；所述第三部具有沿着从所述第三部到所述窗口区域的方向的第三最短板宽；以及所述第一最短板宽小于所述第二最短板宽，并且小于所述第三最短板宽。
9.可选地，所述触控结构还包括第一隔板，所述第一隔板与所述第一导电桥和所述第三导电板隔绝，并且将所述第一导电桥的一部分与所述第三导电板的一部分间隔开；所述第一隔板在所述窗口区域的周边的第七部分周围；以及所述第七部分与所述第三部分至少部分地重叠，并且不与所述第四部分和所述第六部分重叠。
10.可选地，在所述触控结构在基底基板上的正投影中，在所述第二段在所述基板上的正投影与所述第二部在所述基底基板上的正投影之间的空间中不存在导电组件在所述基底基板上的正投影。
11.可选地，在所述触控结构在基底基板上的正投影中，在所述第二段在所述基底基板上的正投影与所述第二部在所述基底基板上的正投影之间的空间中不存在导电组件在所述基底基板上的正投影；以及在所述触控结构在所述基底基板上的所述正投影中，在所述第三段在所述基底基板上的正投影与所述第三部在所述基底基板上的正投影之间的空间中不存在导电元件在所述基底基板上的正投影。
12.可选地，在所述触控结构在基底基板上的正投影中，在所述第二段在所述基底基板上的正投影与所述第二部在所述基底基板上的正投影之间的空间中不存在导电元件在所述基底基板上的正投影；在所述触控结构在所述基底基板上的所述正投影中，在所述第三段在所述基底基板上的正投影与所述第三部在所述基底基板上的正投影之间的空间中不存在导电元件在所述基底基板上的正投影；以及在所述触控结构在所述基底基板上的所述正投影中，所述第一隔板在所述基底基板上的正投影在所述第一段在所述基底基板上的正投影与所述第一部在所述基底基板上的正投影之间的空间中。
13.可选地，第一网格块、所述第二网格块、所述第一导电板、所述第二导电板和所述第一导电桥是所述多个第二网状电极的窗口穿越列的组件；以及所述第三网格块和所述第三导电板是所述多个第一网状电极的第一窗口穿越行的组件。
14.可选地，多个第一网状电极包括：第四网格块和第五网格块，其分别在所述窗口区域的第四侧和第五侧上；第四导电板，其连接到所述第四网格块的一个或多个网格线；第五导电板，其连接到所述第五网格块的一个或多个网格线；以及第二导电桥，其连接所述第四导电板和所述第五导电板；其中，所述第一导电板在所述窗口区域的周边的第八部分周围；所述第二导电桥在所述窗口区域的周边的第九部分周围；以及所述第八部分与所述第九部分至少部分地重叠。
15.可选地，第一导电桥还包括第四段，所述第四段穿过所述第二导电桥的一部分以与所述第一导电板连接；以及所述第四段与所述第二段在同一层中，并且在与所述第一段、
所述第一导电板、所述第二导电板、所述第四导电板、所述第五导电板和所述第二导电桥不同的层中。
16.可选地，第一导电桥还包括在所述第四段和所述第二段之间的第五段；以及其中，所述第五段与所述第一段在同一层中，并且在与所述第二段和所述第四段不同的层中。
17.可选地，所述触控结构还包括第二隔板，所述第二隔板与所述第五导电板和所述第五段隔绝，并且将所述第五导电板的一部分与所述第五段的一部分间隔开；其中，所述第五段在所述窗口区域的周边的第十部分周围；所述第二隔板在所述窗口区域的周边的第十一部分周围；以及所述第十部分与所述第十一部分至少部分地重叠。
18.可选地，所述触控结构还包括在所述窗口区域的周边的第十二部分周围的第三隔板；其中，所述第二段在所述窗口区域的周边的第二部分周围；所述第十二部分在所述第十一部分和所述第二部分之间；以及所述第十二部分与所述第十一部分不重叠，并且与所述第二部分不重叠。
19.可选地，第一网格块、所述第二网格块、所述第一导电板、所述第二导电板和所述第一导电桥是所述多个第二网状电极的窗口穿越列的组件；以及所述第四网格块、所述第四导电板、所述第五网格块、所述第五导电板和所述第二导电桥是所述多个第一网状电极的第二窗口穿越行的组件。
20.可选地，所述触控结构还包括实质上围绕所述窗口区域的保护环；其中，所述第一导电板、所述第二导电板和所述第一导电桥分别在所述保护环的部分周围；以及所述保护环与所述第二段位于同一层中，且位于与所述第一段、所述第一导电板和所述第二导电板不同的层中。
21.可选地，所述触控结构还包括实质上围绕所述窗口区域的检测线；其中，所述检测线连续地包括第一线部分、第二线部分和第三线部分，所述第一线部分在所述窗口区域的周边的第一半周围逆时针延伸，所述第二线部分在所述窗口区域的周边的所述第一半和所述窗口区域的周边的所述第二半周围顺时针延伸，所述第三线部分在所述窗口区域的周边的所述第二半周围逆时针延伸。
22.可选地，所述触控结构还包括：第六网格块和第七网格块，其分别位于所述第一网格块的两侧；第一引线，其将所述第六网格块连接到所述第一线部分；以及第二引线，其将所述第七网格块连接至所述第三线部分。
23.可选地，第一线部分、所述第二线部分、所述第三线部分与所述第一段、所述第一导电板和所述第二导电板在同一层中；以及所述第一引线和所述第二引线与所述第二段位于同一层中。
24.可选地，触控结构的至少多个导电板是多个电容补偿板，所述多个电容补偿板中的各个电容补偿板连接到多个窗口相邻网格块中的相应一个的至少一个网格线；以及所述多个电容补偿板中的相应一个的占用面积与所述多个窗口相邻网格块中的相应一个相对于内部网格块的占用面积的减少量相关，所述内部网格块电连接到所述多个窗口相邻网格块中的所述相应一个，所述内部网格块通过所述多个窗口相邻网格块中的所述相应一个与所述窗口区域间隔开。
25.在一个方面，本公开提供一种显示设备，其包括：显示面板，其包括本文所述或通过本文所述方法制造的触控结构；以及集成电路，其连接到所述显示面板。
26.可选地，显示面板包括：多个发光元件；在所述多个发光元件上的封装层，其中，所述封装层包括第一无机封装层、位于所述第一无机封装层的远离所述多个发光元件的一侧的有机封装层、位于所述有机封装层的远离所述第一无机封装层的一侧的第二无机封装层；缓冲层，其位于所述第二无机封装层的远离所述有机封装层的一侧；以及触摸绝缘层，其位于所述缓冲层的远离所述第二无机封装层的一侧；其中，所述触摸绝缘层将所述第一段和所述第二段彼此间隔开。
附图说明
27.根据各种公开的实施例，以下附图仅是用于说明目的的示例，并且不旨在限制本实用新型的范围。
28.图1是示出根据本公开的一些实施例中的触控结构的结构示意图。
29.图2是根据本公开的一些实施例中的围绕窗口区域的触控结构的放大视图。
30.图3是示出根据本公开的一些实施例中的窗口区域的示意图。
31.图4a是图2中的第一放大区域zr1的放大视图。
32.图4b是沿图4a中的a
‑
a'线的截面图。
33.图5是示出根据本公开的一些实施例中的第三导电板的结构的示意图。
34.图6a是图2中的第二放大区域zr2的放大视图。
35.图6b是沿图6a中的b
‑
b'线的截面图。
36.图7是示出根据本公开的一些实施例中的第一导电桥的结构的示意图。
37.图8a是图2中的第三放大区域zr3的放大视图。
38.图8b是沿图8a中的c
‑
c'线的截面图。
39.图9是沿图7中的d
‑
d'线的截面图。
40.图10是示出根据本公开的一些实施例中的检测线的结构的示意图。
41.图11a是图2中的第一放大区域zr1的放大视图。
42.图11b是沿图11a中的e
‑
e'线的截面图。
43.图11c是沿图11a中的f
‑
f'线的截面图。
44.图11d是示出根据本公开的一些实施例中的窗口区域的示意图。
45.图12a示出根据本公开的一些实施例中的第一电容补偿板的占用面积与第一网格块的占用面积的减少量之间的相关性。
46.图12b示出根据本公开的一些实施例中的第二电容补偿板的占用面积与第二网格块的占用面积的减少量之间的相关性。
47.图12c示出根据本公开的一些实施例中的第三电容补偿板的占用面积与第三网格块的占用面积的减少量之间的相关性。
48.图12d示出根据本公开的一些实施例中的第四电容补偿板的占用面积与第六网格块的占用面积的减少量之间的相关性。
49.图13是根据本公开的一些实施例中的显示设备的截面图。
50.图14是示出根据本公开的一些实施例中的具有触控结构的显示设备的结构示意图。
具体实施方式
51.现在将参考以下实施例更具体地描述本公开。应当注意，本文中呈现的一些实施例的以下描述仅用于说明和描述的目的。其不是穷举的或限于所公开的精确形式。
52.本公开尤其提供了一种基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的触控结构和显示设备。在一个方面，本公开提供一种触控结构。在一些实施例中，触控结构包括沿着行方向的多个第一网状电极，以及沿着列方向的多个第二网状电极。在一些实施例中，所述触控结构被限制在触控区域中，并且不存在于由所述触控区域围绕的窗口区域中。可选地，多个第二网状电极的窗口穿越列包括分别位于所述窗口区域的第一侧和第二侧的第一网格块和第二网格块；第一导电板，所述第一导电板直接连接到所述第一网格块的一个或多个网格线；第二导电板，所述第二导电板直接连接到所述第二网格块的一个或多个网格线；以及连接第一导电板和第二导电板的第一导电桥。可选地，第一导电桥包括第一段和第二段；以及第二段在与所述第一段、所述第一导电板和所述第二导电板不同的层中。列方向和行方向彼此交叉。可选地，列方向和行方向相互垂直。可选地，列方向和行方向以不是90度的倾斜角彼此交叉。
53.网状电极包括通常具有在1μm至50μm范围内的线宽的网格线。因此，通过网格线连接相邻的网格块是特别困难的，并且经常导致差的连通性。本公开采用新颖且有利的触摸电极设计，其消除了相关触控结构中的问题。
54.图1是示出根据本公开的一些实施例中的触控结构的结构示意图。参照图1，在一些实施例中，触控结构包括分别布置成多个行的多个第一网状电极te1，以及分别布置成多个列的多个第二网状电极te2。多个行中的相邻行彼此隔离。多个列中的相邻列彼此隔离。可选地，所述触控结构为互电容式触控结构。可选地，多个第一网状电极te1为多个触摸扫描电极，且多个第二网状电极te2为多个触摸感测电极。可选地，多个第一网状电极te1为多个触摸感测电极，且多个第二网状电极te2为多个触摸扫描电极。可选地，触控结构位于显示面板的触控区域内。可选地，触控区域与显示面板的显示区域基本上重叠。显示面板被配置为在触控区域的至少一部分中显示图像。
55.在一些实施例中，多个第一网状电极te1中的各个第一网状电极沿着行方向rd延伸；并且多个第二网状电极te2中的各个第二网状电极沿着列方向cd延伸。可选地，行方向rd与列方向cd为两个非平行方向，例如行方向rd与列方向cd彼此交叉。可选地，行方向rd和列方向cd彼此垂直。可选地，行方向rd和列方向cd以不是90度的倾斜角彼此交叉。
56.在一些实施例中，触控结构被限制在触控区域tcr中，而不在触控区域tcr所围绕的窗口区域wr中。例如，触控结构可以是显示面板中的触控结构，其中触控区域tcr与显示面板的显示区域实质上重叠，并且窗口区域wr是显示面板中的具有被配置用于安装附件(诸如相机镜头或指纹传感器)的孔的区域。显示面板被配置为在触控区域tcr的至少一部分中显示图像。在一个示例中，在窗口区域wr中，没有显示面板的显示元件和触控结构；在显示区域或触控区域tcr的至少一部分中，存在显示面板的显示元件和触控结构两者。
57.图2是根据本公开的一些实施例中的围绕窗口区域的触控结构的放大视图。图3是示出根据本公开的一些实施例中的窗口区域的示意图。参照图1至图3，在一些实施例中，多个第二网状电极te2的窗口穿越列wcc包括分别位于窗口区域wr的第一侧s1和第二侧s2的第一网格块mb1和第二网格块mb2；直接连接至第一网格块mb1的一个或多个网格线的第一
导电板cp1；直接连接至第二网格块mb2的一个或多个网格线的第二导电板cp2；以及连接第一导电板cp1和第二导电板cp2的第一导电桥cb1。
58.在一些实施例中，第一导电桥cb1包括第一段sg1和第二段sg2。在一些实施例中，第二段sg2在与第一段sg1、第一导电板cp1和第二导电板cp2不同的层中。在一个示例中，第二段sg2在第一层(例如，第一导电材料层，诸如，第一金属材料层)中。在另一示例中，第一段sg1、第一导电板cp1和第二导电板cp2在第二层(例如，第二导电材料层，诸如，第二金属材料层)中。
59.图4a是图2中的第一放大区域zr1的放大视图。图4b是沿图4a中的a
‑
a'线的截面图。参考图4a和图4b，在一些实施例中，第一段sg1在第二层sl2中，并且第二段sg2在第一层sl1中。在图4b所示的一个示例中，触控结构包括在第二无机封装子层cvd2上的缓冲层buf，第二无机封装子层cvd2是用于封装在具有触控结构的显示设备中的发光元件的封装层的子层。在一些实施例中，触控结构还包括第一层sl1，其位于缓冲层buf的远离第二无机封装子层cvd2的一侧；触摸绝缘层ti，其位于第一层sl1的远离缓冲层buf的一侧；第二层sl2，其位于触摸绝缘层ti的远离第一层sl1的一侧；以及保护层oc，其位于第二层sl2的远离触摸绝缘层ti的一侧。可选地，第三网格块mb3的网格线位于第二层sl2中。
60.参照图1至图3，在一些实施例中，多个第一网状电极te1的第一窗口穿越行wcr1包括位于窗口区域wr的第三侧s3的第三网格块mb3；以及直接连接到第三网格块mb3的一个或多个网格线的第三导电板cp3。第三侧s3位于第一侧s1和第二侧s2之间。第三导电板cp3将第一导电桥cb1与第三网格块mb3间隔开。
61.图5是示出根据本公开的一些实施例中的第三导电板结构的示意图。参照图2和图5，在一些实施例中，第三导电板cp3包括第一部3
‑
1和第二部3
‑
2。第一部具有沿着从第一部3
‑
1到窗口区域wr的方向的第一最短板宽pw1；第二部3
‑
2具有沿着从第二部3
‑
2到窗口区域wr的方向的第二最短板宽pw2。可选地，第一最短板宽pw1小于第二最短板宽pw2。
62.本公开的实用新型人发现，当导电桥围绕窗口区域的周边延伸时，当导电桥紧邻与网格块的一个或多个网格线直接连接的导电板时，易发生静电放电。例如，第一导电桥cb1紧邻第三导电板cp3的第二部3
‑
2。本公开的实用新型人发现，令人惊讶且意外的是，通过将导电桥的段设置成紧邻导电板并位于不同于导电板的层中，可以避免静电放电问题。
63.在一些实施例中，如图2所示，第二段sg2紧邻第三导电板cp3的第二部3
‑
2。因此，在一些实施例中，在根据本公开的触控结构中，第二段sg2位于不同于第三导电板cp3的层中。参考图4b，第二段sg2在第一层sl1中，而第三导电板的第一部3
‑
1和第二部3
‑
2以及第一段sg1在第二层sl2中。
64.参考图3，在一些实施例中，第一段sg1和第二段sg2分别围绕窗口区域wr的周边的第一部分p1和第二部分p2；第一部3
‑
1和第二部3
‑
2分别围绕窗口区域wr的周边的第三部分p3和第四部分p4；第一部分p1与第三部分p3至少部分重叠；第二部分p2与第四部分p4至少部分重叠。可选地，第二部分p2和第四部分p4基本上(例如80％、85％、90％、95％、99％或100％)彼此重叠。可选地，第一部分p1和第三部分p3基本上(例如，80％、85％、90％、95％、99％或100％)彼此重叠。
65.在一些实施例中，并且参考图2和图5，第三导电板进一步包括第三部3
‑
3，第一部3
‑
1在第二部3
‑
2和第三部3
‑
3之间。可选地，第二部3
‑
2和第三部3
‑
3通过第一部3
‑
1连接。可
选地，第二部3
‑
2直接连接到第一部3
‑
1，并且第三部3
‑
3直接连接到第一部3
‑
1。参考图2，第一导电桥cb1进一步包括第三段sg3，第一段sg1在第二段sg2和第三段sg3之间。可选地，第二段sg2和第三段sg3通过第一段sg1连接。可选地，第二段sg2直接连接到第一段sg1，并且第三段sg3直接连接到第一段sg1。
66.在一些实施例中，第三段sg3与第二段sg2在同一层中，并且在与第一段sg1、第一导电板cp1、第二导电板cp2和第三导电板cp3不同的层中。如本文所用，术语“同一层”是指在同一步骤中同时形成的层之间的关系。在一个示例中，当第二段sg2和第三段sg3由于在以同一沉积工艺沉积的材料中执行的同一图案化工艺的一个或多个步骤而形成时，它们在同一层中。在另一示例中，通过同时执行形成第二段sg2的步骤和形成第三段sg3的步骤，可以在同一层中形成第二段sg2和第三段sg3。术语“同一层”并不总是意味着在截面图中层的厚度或层的高度是相同的。
67.图6a是图2中的第二放大区域zr2的放大视图。图6b是沿图6a中的b
‑
b'线的截面图。参考图6a、图6b、图4a和图4b，第二段sg2和第三段sg3在第一层sl1中。第一段sg1、第一部3
‑
1、第二部3
‑
2、第三部3
‑
3、第三网格块mb3的网格线在第二层sl2中。
68.参考图3，在一些实施例中，第三段sg3围绕窗口区域wr的周边的第五部分p5；第三部3
‑
3围绕窗口区域wr的周边的第六部分p6；第五部分p5与第六部分p6至少部分重叠。可选地，第五部分p5和第六部分p6基本上(例如，80％、85％、90％、95％、99％或100％)彼此重叠。
69.参照图2与图5，在一些实施例中，第一部具有沿着从第一部3
‑
1到窗口区域wr的方向的第一最短板宽pw1；第二部3
‑
2具有沿着从第二部3
‑
2到窗口区域wr的方向的第二最短板宽pw2；以及第三部3
‑
3具有沿着从第三部3
‑
3到窗口区域wr的方向的第三最短板宽pw3。可选地，第一最短板宽pw1小于第二最短板宽pw2；并且第一最短板宽pw1小于第三最短板宽pw3。
70.参照图2、图4a、图4b、图6a和图6b，在一些实施例中，触控结构还包括第一隔板dp1，其与第一导电桥cb1和第三导电板cp3隔绝，且将第一导电桥cb1的一部分与第三导电板cp3的一部分隔开。参考图3，第一隔板dp1围绕窗口区域wr的周边的第七部分p7。可选地，第七部分p7与第三部分p3至少部分地重叠，并且与第四部分p4和第六部分p6不重叠。可选地，第三部分p3和第七部分p7基本上(例如，80％、85％、90％、95％、99％或100％)彼此重叠。
71.在一些实施例中，参照图2、图4a、图4b、图6a和图6b，在触控结构在基底基板(例如，第二无机封装子层cvd2)上的正投影中，导电元件在基底基板上的正投影不存在于第二段sg2在基底基板上的正投影与第二部3
‑
2在基底基板上的正投影之间的空间中。可选地，在触控结构在基底基板上的正投影中，导电元件在基底基板上的正投影不存在于第三段sg3在基底基板上的正投影与第三部3
‑
3在基底基板上的正投影之间的空间中。可选地，在触控结构在基底基板上的正投影中，第一隔板dp1在基底基板上的正投影位于第一段sg1在基底基板上的正投影与第一部3
‑
1在基底基板上的正投影之间。
72.在一些实施例中，参考图2，多个第一网状电极te1的第二窗口穿越行wcr2包括分别在窗口区域的第四侧s4和第五侧s5上的第四网格块mb4和第五网格块mb5。可选地，第二侧s2在第四侧s4和第五侧s5之间。可选地，第五侧s5在第二侧s2和第三侧s3之间。可选地，
第四侧s4在第一侧s1和第二侧s2之间。
73.在一些实施例中，多个第一网状电极te1的第二窗口穿越行wcr2还包括直接连接到第四网格块mb4的一个或多个网格线的第四导电板cp4；直接连接至第五网格块mb5的一个或多个网格线的第五导电板cp5；以及连接第四导电板cp4和第五导电板cp5的第二导电桥cb2。参考图3，第一导电板cp1围绕窗口区域wr的周边的第八部分p8；以及第二导电桥cb2围绕窗口区域wr的周边的第九部分p9。可选地，第八部分p8与第九部分p9至少部分重叠。可选地，第八部分p8和第九部分p9基本上(例如，80％、85％、90％、95％、99％或100％)彼此重叠。
74.图7是示出根据本公开的一些实施例中的第一导电桥的结构的示意图。参照图2和图7，在一些实施例中，第一导电桥cb1还包括第四段sg4。图8a是图2中的第三放大区域zr3的放大视图。图8b是沿图8a中的c
‑
c'线的截面图。参考图2、图8a和图8b，在一些实施例中，第四段sg4穿过第二导电桥cb2的一部分以与第一导电板cp1连接。
75.在一些实施例中，第四段sg4与第二段sg2和第三段sg3在同一层中，并且在与第一段sg1、第一导电板cp1、第二导电板cp2和第三导电板cp3不同的层中。可选地，第四段sg4在不同于第一段sg1、第一导电板cp1、第二导电板cp2、第四导电板cp4、第五导电板cp5和第二导电桥cb2的层中。可选地，第五网格块mb5的网格线位于第二层sl2中。
76.参考图2、图7、图8a和图8b，在一些实施例中，第一导电桥还包括在第四段sg4和第二段sg2之间的第五段sg5。可选地，第二段sg2和第四段sg4通过第五段sg5连接。可选地，第二段sg2直接连接到第五段sg5，并且第四段sg4直接连接到第五段sg5。
77.图9是沿图7中的d
‑
d'线的截面图。参考图7，在一些实施例中，第五段sg5通过延伸穿过触摸绝缘层ti的通孔v直接连接到第四段sg4。可以类似地实现第一导电桥cb1的其它各个段之间的连接。例如，第一段sg1与第二段sg2之间的连接、第一段sg1与第三段sg3之间的连接或者第二段sg2与第五段sg5之间的连接可以通过延伸穿过触摸绝缘层ti的相应通孔来实现。
78.参考图8a和图8b，在一些实施例中，第五段sg5与第一段sg1、第一导电板cp1、第二导电板cp2、第三导电板cp3和第二导电桥cb2在同一层中。可选地，第五段sg5在不同于第二段sg2和第四段sg4的层中。
79.参照图2、图8a和图8b，在一些实施例中，触控结构还包括第二隔板dp2，其与第五导电板cp5和第五段sg5隔绝，且将第五导电板cp5的一部分与第五段sg5的一部分间隔开。参考图3，在一些实施例中，第五段sg5围绕窗口区域wr的周边的第十部分p10。可选地，第二隔板dp2围绕窗口区域wr的周边的第十一部分p11。可选地，第十部分p10与第十一部分p11至少部分重叠。可选地，第十部分p10的子部分与第十一部分p11不重叠。
80.参照图2、图3、图4a和图4b，在一些实施例中，触控结构还包括第三隔板dp3，其围绕窗口区域wr的周边的第十二部分p12。可选地，第十二部分p12在第十一部分p11和第二部分之间。可选地，第十二部分p12与第十一部分p11不重叠，并且与第二部分p2不重叠。可选地，第十二部分p12与第十部分p10至少部分重叠。可选地，第十一部分p11和第十二部分p12的组合与第十部分p10基本上(例如，80％、85％、90％、95％、99％或100％)重叠。
81.参照图2，在一些实施例中，触控结构还包括保护环pr，其实质上(例如80％、85％、90％、95％、99％或100％)围绕窗口区域wr。参照图2，在一些实施例中，第一导电板cp1、第
二导电板cp2和第一导电桥cb1分别围绕保护环pr的部分。参考图2、图4b、图6b和图8b，在一些实施例中，保护环pr与第二段sg2、第三段sg3和第四段sg4在同一层中。可选地，保护环pr在与第一段sg1、第五段sg5、第一导电板cp1、第二导电板cp2、第三导电板cp3、第四导电板cp4和第五导电板cp5不同的层中。
82.参照图2，在一些实施例中，触控结构还包括检测线dl，其实质上(例如80％、85％、90％、95％、99％或100％)围绕窗口区域wr。图10是示出根据本公开的一些实施例中的检测线的结构的示意图。参考图2和图10，在一些实施例中，检测线dl连续地包括第一线部分lp1、第二线部分lp2和第三线部分lp3，第一线部分lp1围绕窗口区域wr的周边的第一半(例如，左半)逆时针延伸，第二线部分lp2围绕窗口区域wr的周边的第一半和窗口区域wr的周边的第二半顺时针延伸，第三线部分lp3围绕窗口区域wr的周边的第二半逆时针延伸。如本文所用，术语“第一半”和“第二半”不限于精确的一半，而是还包括小于一半或大于一半。
83.参照图2和图10，在一些实施例中，触控结构还包括分别位于第一网格块mb1两侧的第六网格块mb6和第七网格块mb7；第一引线ll1，其将第六网格块mb6连接至第一线部分lp1；以及第二引线ll2，其将第七网格块mb7连接至第三线部分lp3。
84.在一些实施例中，第一线部分lp1、第二线部分lp2、第三线部分lp3与第一段sg1、第五段sg5、第一导电板cp1、第二导电板cp2、第三导电板cp3、第四导电板cp4和第五导电板cp5在同一层中。在一些实施例中，第一引线ll1和第二引线ll2与第二段sg2、第三段sg3和第四段sg4在同一层中。
85.在一些实施例中，第一导电桥cb1(或其段)具有在5μm至15μm范围内的线宽，例如5μm至7μm、7μm至9μm、9μm至11μm、11μm至13μm、或13μm至15μm。可选地，第一导电桥cb1(或其段)具有10μm的线宽。
86.在一些实施例中，第二导电桥cb2(或其段)具有在10μm至20μm范围内的线宽，例如10μm至12μm、12μm至14μm、14μm至16μm、16μm至18μm、或18μm至20μm。可选地，第二导电桥cb2(或其段)具有15μm的线宽。
87.在一些实施例中，第一最短板宽pw1在20μm至40μm的范围内，例如，20μm至25μm、25μm至30μm、30μm至35μm、或35μm至40μm。可选地，第一最短板宽pw1为30μm。
88.在一些实施例中，第二最短板宽pw2在75μm至115μm的范围内，例如75μm至85μm、85μm至95μm、95μm至105μm或105μm至115μm。可选地，第二最短板宽pw2为95μm。
89.在一些实施例中，第三最短板宽pw3在75μm至115μm的范围内，例如75μm至85μm、85μm至95μm、95μm至105μm或105μm至115μm。可选地，第三最短板宽pw3为95μm。
90.可选地，第一最短板宽pw1与第二最短板宽pw2的比在1:2至1:4的范围内，例如1:2至1:2.5、1:2.5至1:3、1:3至1:3.5或1:3.5至1:4。可选地，第一最短板宽pw1与第三最短板宽pw3的比在1:2至1:4的范围内，例如1:2至1:2.5、1:2.5至1:3、1:3至1:3.5或1:3.5至1:4。
91.在一些实施例中，第一导电板具有沿从第一导电板到窗口区域的方向的最短板宽，该最短板宽在80μm至160μm的范围内，例如，80μm至100μm、100μm至120μm、120μm至140μm、或140μm至160μm。可选地，最短板宽为120μm。
92.在一些实施例中，第二导电板具有沿从第二导电板到窗口区域的方向的最短板宽，该最短板宽在80μm至160μm的范围内，例如，80μm至100μm、100μm至120μm、120μm至140μm、或140μm至160μm。可选地，最短板宽为120μm。
93.在一些实施例中，第一隔板具有沿着从第一隔板到窗口区域的方向的最短板宽，其在30μm至70μm的范围内，例如，30μm至40μm、40μm至50μm、50μm至60μm、或60μm至70μm。可选地，最短板宽为50μm。
94.在一些实施例中，第二隔板具有沿着从第二隔板到窗口区域的方向的最短板宽，其在20μm到40μm的范围内，例如，20μm到25μm、25μm到30μm、30μm到35μm或35μm到40μm。可选地，最短板宽为30μm。
95.在一些实施例中，第四导电板具有沿从第四导电板至窗口区域的方向的最短板宽，该最短板宽在5μm至15μm的范围内，例如，5μm至7μm、7μm至9μm、9μm至11μm、11μm至13μm、或13μm至15μm。可选地，最短板宽为10μm。
96.在一些实施例中，第五导电板具有沿从第五导电板至窗口区域的方向的最短板宽，该最短板宽在30μm至70μm的范围内，例如，在30μm至40μm、40μm至50μm、50μm至60μm或60μm至70μm。可选地，最短板宽为50μm。
97.在一些实施例中，保护环具有沿着从保护环到窗口区域的方向的最短板宽，其在25μm至65μm的范围内，例如，25μm至35μm、35μm至45μm、45μm至55μm或55μm至65μm。可选地，最短板宽为45μm。
98.在一些实施例中，检测线(或其线部分)具有在2.5μm至6.5μm范围内的线宽，例如，2.5μm至3.5μm、3.5μm至4.5μm、4.5μm至5.5μm、或5.5μm至6.5μm。可选地，第一导电桥cb1(或其段)具有4.5μm的线宽。
99.在一些实施例中，第一引线或第二引线具有在5μm至15μm的范围内的线宽，例如，5μm至7μm、7μm至9μm、9μm至11μm、11μm至13μm或13μm至15μm。可选地，第一引线或第二引线具有10μm的线宽。
100.图11a是图2中的第一放大区域zr1的放大视图。图11b是沿图11a中的e
‑
e'线的截面图。图11c是沿图11a中的f
‑
f'线的截面图。图11d是示出根据本公开的一些实施例中的窗口区域的示意图。参考图11a至图11d，第五段sg5的第一重叠部分op1在基底基板bs上的正投影与第二段sg2的第二重叠部分op2至少部分重叠，第一重叠部分op1通过延伸穿过触摸绝缘层ti的第一通孔v1连接到第二重叠部分op2。第一重叠部分op1和第二重叠部分op2围绕窗口区域wr的周边的第一部分重叠部分po1。可选地，第一部分重叠部分po1是其中第十部分p10和第二部分p2部分彼此重叠的部分。第二部3
‑
2与邻近第二部3
‑
2的第三隔板dp3以第一间隙g1间隔开。第一间隙g1围绕窗口区域wr的周边的第一间隙部分gp1。如图11d所示，第一部分重叠部分po1包括第一间隙部分gp1，例如，第一间隙部分gp1是第一部分重叠部分po1的至少一部分。可选地，第一部分重叠部分po1与第一间隙部分gp1相同。
101.在一些实施例中，第一重叠部分op1和第二重叠部分op2均具有沿第一导电桥cb1的延伸方向ed的长度d1，第一间隙部分gp1具有沿第一导电桥cb1的延伸方向ed的第一间隙宽度d2。可选地，d1大于d2。可选地，d1等于d2。
102.参考图11a至图11d，第一段sg1的第三重叠部分op3在基底基板bs上的正投影与第二段sg2的第四重叠部分op4至少部分地重叠，第三重叠部分op3通过延伸穿过触摸绝缘层ti的第二通孔v2连接到第四重叠部分op4。第三重叠部分op3和第四重叠部分op4围绕窗口区域wr的周边的第二部分重叠部分po2。可选地，第三部分重叠部分po3是其中第一部分p1和第二部分p2部分彼此重叠的部分。第二部3
‑
2与邻近第二部3
‑
2的第一隔板dp1以第二间
隙g2间隔开。第二间隙g2围绕窗口区域wr的周边的第二间隙部分gp2。如图11d所示，第二部分重叠部分po2包括第二间隙部分gp2，例如，第二间隙部分gp2是第二部分重叠部分po2的至少一部分。可选地，第二部分重叠部分po2与第二间隙部分gp2相同。
103.在一些实施例中，第三重叠部分op3和第四重叠部分op4均具有沿第一导电桥cb1的延伸方向ed的长度d3，第二间隙部分gp2具有沿第一导电桥cb1的延伸方向ed的第二间隙宽度d4。可选地，d3大于d4。可选地，d3等于d4。
104.在一些实施例中，触控结构的至少多个导电板(例如，第一导电板cp1、第二导电板cp2、第三导电板cp3、第四导电板cp4、第五导电板cp5中的一个或多个)是多个电容补偿板。多个电容补偿板中的相应一个连接到多个窗口相邻网格块中的相应一个的至少一个网格线。在一些实施例中，多个电容补偿板中的相应一个的占用面积与多个窗口相邻网格块中的相应一个相对于参考网格块的占用面积的减少量相关。在一些实施例中，参考网格块是电连接到多个窗口相邻网格块中的相应一个的内部网格块，内部网格块通过多个窗口相邻网格块中的相应一个与窗口区域间隔开。如本文所使用的，术语“内部网格块”是指不与触控结构的任何边缘直接相邻并且不与窗口区域直接相邻的网格块。如本文所用，术语“占用面积”是指由电极块或填充图案占用的面积。在电极块或填充图案是网状电极块或网格图案的情况下，“占用面积”指的是由电极块和填充图案各自的(由网格线中的断线形成)边界包围的面积，不包括由电极块中的任何内部填充图案占用的面积。
105.在一个示例中，参考图2，第一导电板cp1的占用面积与第一网格块mb1相对于电连接到第一网格块mb1的内部网格块的占用面积的减少量相关，该内部网格块通过第一网格块mb1与窗口区域wr间隔开。在另一示例中，参考图2，第二导电板cp2的占用面积与第二网格块mb2相对于电连接至第二网格块mb2的内部网格块的占用面积的减少量相关，内部网格块通过第二网格块mb2与窗口区域wr间隔开。在另一示例中，参考图2，第三导电板cp3的占用面积与第三网格块mb3相对于电连接至第三网格块mb3的内部网格块的占用面积的减少量相关，内部网格块通过第三网格块mb3与窗口区域wr间隔开。在另一示例中，参考图2，第四导电板cp4的占用面积与第四网格块mb4相对于电连接至第四网格块mb4的内部网格块的占用面积的减少量相关，内部网格块通过第四网格块mb4与窗口区域wr间隔开。在另一示例中，参考图2，第五导电板cp5的占用面积与第五网格块mb5相对于电连接至第五网格块mb5的内部网格块的占用面积的减少量相关，内部网格块通过第五网格块mb5与窗口区域wr间隔开。
106.图12a示出根据本公开的一些实施例中的第一电容补偿板的占用面积与第一网格块的占用面积的减少量之间的相关性。参照图12a，第一内部网格块mbi
‑
1电连接(直接或间接，并且在同一行中)到第一窗口网格块wmb1，并且通过第一窗口网格块wmb1与窗口区域wr间隔开。在图12a中，示出第一占用面积的减少量r
mb1
(由虚线围绕的面积)，并且还示出第一电容补偿导电板ccp1。图12b示出根据本公开的一些实施例中的第二电容补偿板的占用面积与第二网格块的占用面积的减少量之间的相关性。参照图12b，第二内部网格块mbi
‑
2电连接(直接或间接，并且在同一列中)到第二窗口网格块wmb2，并且通过第二窗口网格块wmb2与窗口区域wr间隔开。在图12b中，示出第二占用面积的减少量r
mb2
(由虚线围绕的面积)，并且还示出第二电容补偿导电板ccp2。图12c示出根据本公开的一些实施例中的第三电容补偿板的占用面积与第三网格块的占用面积的减少量之间的相关性。参照图12c，第三
内部网格块mbi
‑
3电连接(直接或间接，并且在同一行中)到第三窗口网格块wmb3，并且通过第三窗口网格块wmb3与窗口区域wr间隔开。在图12c中，示出第三占用面积的减少量r
mb3
(由虚线围绕的面积)，并且还示出第三电容补偿导电板ccp3。图12d示出根据本公开的一些实施例中的第四电容补偿板的占用面积与第六网格块的占用面积的减少量之间的相关性。参照图12d，第六内部网格块mbi
‑
6电连接(直接或间接，并且在同一行中)到第六窗口网格块wmb6，并且通过第六窗口网格块wmb6与窗口区域wr间隔开。在图12d中，示出第六占用面积的减少量r
mb6
(由虚线围绕的面积)，并且还示出第四电容补偿导电板ccp4。
107.如图12a至图12d所示，多个电容补偿板(例如，第一电容补偿板ccp1、第二电容补偿板ccp2、第三电容补偿板ccp3和第四电容补偿板ccp4)的占用面积与多个窗口相邻网格块(例如，第一窗口网格块wmb1、第二窗口网格块wmb2、第三窗口网格块wmb3和第六窗口网格块wmb6)分别相对于参考网格块的占用面积的减少量(例如，第一占用面积的减少量r
mb1
、第二占用面积的减少量r
mb2
、第三占用面积的减少量r
mb3
和第六占用面积的减少量r
mb6
)相关。在一个示例中，参考网格块是分别电连接至多个窗口相邻网格块的内部网格块(例如，第一内部网格块mbi
‑
1、第二内部网格块mbi
‑
2、第三内部网格块mbi
‑
3和第六内部网格块mbi
‑
6)。各个内部网格块通过相应的窗口相邻网格块与窗口区域间隔开。
108.在一些实施例中，多个电容补偿导电板中的相应两个的占用面积的比在分别连接到多个电容补偿导电板中的相应两个的多个窗口相邻网格块中的相应两个的占用面积的减少量的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)。可选地，多个电容补偿导电板中的相应两个的占用面积的比在分别连接到多个电容补偿导电板中的相应两个的多个窗口相邻网格块中的相应两个的占用面积的减少量的比的10％内。占用面积的减少量分别相对于与多个窗口相邻网格块中的相应两个分别电连接的相应两个内部网格块。两个内部网格块分别通过多个窗口相邻网格块中的相应两个与窗口区域间隔开。参考图12a至图12d，在一个示例中，第一电容补偿板ccp1和第二电容补偿板ccp2的占用面积的比在第一占用面积的减少量r
mb1
和第二占用面积的减少量r
mb2
的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)。在另一示例中，第一电容补偿板ccp1和第三电容补偿板ccp3的占用面积的比在第一占用面积的减少量r
mb1
和第三占用面积的减少量r
mb3
的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)。在另一示例中，第一电容补偿板ccp1和第四电容补偿板ccp4的占用面积的比在第一占用面积的减少量r
mb1
和第六占用面积的减少量r
mb6
的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)。在另一示例中，第二电容补偿板ccp2和第三电容补偿板ccp3的占用面积的比在第二占用面积的减少量r
mb2
和第三占用面积的减少量r
mb3
的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)。在另一示例中，第二电容补偿板ccp2和第四电容补偿板ccp4的占用面积的比在第二占用面积的减少量
r
mb2
和第六占用面积的减少量r
mb6
的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)。在另一示例中，第三电容补偿板ccp3和第四电容补偿板ccp4的占用面积的比在第三占用面积的减少量r
mb3
和第六占用面积的减少量r
mb6
的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)。
109.在一些实施例中，多个窗口相邻网格块包括作为多个第一网状电极te1的部分的一个或多个第一类型窗口相邻网格块(例如，第一窗口网格块wmb1、第三窗口网格块wmb3和第六窗口网格块wmb6)，以及作为多个第二网状电极te2的部分的一个或多个第二类型窗口相邻网格块(例如，第二窗口网格块wmb2)。多个电容补偿板包括分别连接到一个或多个第一类型窗口相邻网格块的一个或多个第一类型电容补偿板(例如，第一电容补偿板ccp1、第三电容补偿板ccp3和第四电容补偿板ccp4)，以及分别连接到一个或多个第二类型窗口相邻网格块的一个或多个第二类型电容补偿板(例如，第二电容补偿板ccp2)。
110.在一些实施例中，多个电容补偿板中的各个电容补偿板的占用面积与多个窗口相邻网格块中的相应一个的占用面积的减少量相关。可选地，相对于一个或多个第一类型窗口相邻网格块中的相应一个的占用面积的减少量是一个或多个第一类型窗口相邻网格块中的相应一个的占用面积与多个第一网状电极的网格块的平均占用面积之间的差，多个第一网状电极与触控结构的窗口区域和边缘间隔开。可选地，相对于一个或多个第二类型窗口相邻网格块中的相应一个的占用面积的减少量是一个或多个第二类型窗口相邻网格块中的相应一个的占用面积与多个第二网状电极的网格块的平均占用面积之间的差，多个第二网状电极与触控结构的窗口区域和边缘间隔开。
111.在一些实施例中，多个电容补偿导电板中的相应两个的占用面积的比在分别连接到多个电容补偿导电板中的相应两个的多个窗口相邻网格块中的相应两个的占用面积的减少量的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)。可选地，相对于一个或多个第一类型窗口相邻网格块中的相应一个的占用面积的减少量是一个或多个第一类型窗口相邻网格块中的相应一个的占用面积与多个第一网状电极的网格块的平均占用面积之间的差，多个第一网状电极与触控结构的窗口区域和边缘间隔开。可选地，相对于一个或多个第二类型窗口相邻网格块中的相应一个的占用面积的减少量是一个或多个第二类型窗口相邻网格块中的相应一个的占用面积与多个第二网状电极的网格块的平均占用面积之间的差，多个第二网状电极与触控结构的窗口区域和边缘间隔开。
112.参考图12a，在一些实施例中，第一电容补偿导电板ccp1的电极面积与第一占用面积的减少量r
mb1
的电极面积基本相同。可选地，第一电容补偿导电板ccp1与第一窗口网格块wmb1的电极面积的和与第一内部网格块mbi
‑
1的电极面积基本相同。如本文所用，术语“基本相同”是指两个值之间的差不超过基值(例如，两个值中的一个)的10％，例如不超过基值的8％、不超过6％、不超过4％、不超过2％、不超过1％、不超过0.5％、不超过0.1％、不超过0.05％和不超过0.01％。如本文所用，术语“电极面积”是指电极块或填充图案的电极材料
的实际表面积。在电极块或填充图案是网状电极块或网格图案的情况下，“电极面积”是指电极块和填充图案中的网格线的累积的实际表面积。
113.参考图12b，在一些实施例中，第二电容补偿导电板ccp2的电极面积与第二占用面积的减少量r
mb2
的电极面积基本相同。可选地，第二电容补偿导电板ccp2与第二窗口网格块wmb2的电极面积的和与第二内部网格块mbi
‑
2的电极面积基本相同。
114.参考图12c，在一些实施例中，第三电容补偿导电板ccp3的电极面积与第三占用面积的减少量r
mb3
的电极面积基本相同。可选地，第三电容补偿导电板ccp3与第三窗口网格块wmb3的电极面积的和与第三内部网格块mbi
‑
3的电极面积基本相同。
115.参考图12d，在一些实施例中，第四电容补偿导电板ccp4的电极面积与第六占用面积的减少量r
mb6
的电极面积基本相同。可选地，第四电容补偿导电板ccp4与第六窗口网格块wmb6的电极面积的和与第六内部网格块mbi
‑
6的电极面积基本相同。
116.在一个示例中，a:b在c:d的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)，其中，a和b为选自由第一电容补偿导电板ccp1、第二电容补偿导电板ccp2、第三电容补偿导电板ccp3和第四电容补偿导电板ccp4组成的组中的任意两个不同的电容补偿导电板的电极面积或占用面积；c和d是任意两个不同的占用面积的减少量，其选自由第一占用面积的减少量r
mb1
、第二占用面积的减少量r
mb2
、第三占用面积的减少量r
mb3
、第六占用面积的减少量r
mb6
组成的组。
117.在另一方面，本公开提供了一种显示设备。在一些实施例中，显示设备包括显示面板，显示面板包括本文所述的或通过本文所述的方法制造的触控结构；以及集成电路。适当的显示设备的示例包括但不限于电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相册、gps等。可选地，显示设备是有机发光二极管显示设备。可选地，所述显示设备是液晶显示设备。
118.图13是根据本公开的一些实施例中的显示面板的截面图。参照图13，在显示区域中，显示面板包括基底基板bs、在基底基板bs上的多个薄膜晶体管tft、位于多个薄膜晶体管tft的远离基底基板bs的一侧的钝化层pvx、位于钝化层pvx的远离基底基板bs的一侧的第一平坦化层plx1、位于第一平坦化层pln1的远离钝化层pvx的一侧的中继电极re、位于中继电极re的远离第一平坦化层pln1的一侧的第二平坦化层pln2、位于第二平坦化层pln2的远离第一平坦化层pln1的一侧并限定子像素孔径的像素限定层pdl、位于第二平坦化层pln2的远离第一平坦化层pln1的一侧的阳极ad、位于阳极ad的远离第二平坦化层pln2的一侧的发光层el、位于发光层el的远离阳极ad的一侧的阴极cd、位于阴极cd的远离发光层el的一侧的第一无机封装层cvd1、位于第一无机封装层cvd1的远离阴极cd的一侧的有机封装层ijp、位于有机封装层ijp的远离第一无机封装层cvd1的一侧的第二无机封装层cvd2、位于第二无机封装层cvd2的远离有机封装层ijp的一侧的缓冲层buf、位于缓冲层buf的远离第二无机封装层cvd2的一侧的触摸绝缘层ti、位于触摸绝缘层ti的远离缓冲层buf的一侧的触摸电极(例如，如图1所示的多个第一触摸电极te1和多个第二触摸电极te2)、以及位于触摸电极的远离触摸绝缘层ti的一侧的保护层oc。
119.图14是示出根据本公开的一些实施例中具有触控结构的显示设备的结构示意图。在一些实施例中，触控结构还包括分别连接至多个第一网状电极te1的多个第一触摸信号
线sl1，以及分别连接至多个第二网状电极te2的多个第二触摸信号线sl2。显示设备还包括触控驱动集成电路tic。多个第一触摸信号线sl1和多个第二触摸信号线sl2连接至触控驱动集成电路tic。
120.在另一方面，本公开提供一种制造触控结构的方法。在一些实施例中，该方法包括形成沿着行方向的多个第一网状电极，以及形成沿着列方向的多个第二网状电极。可选地，所述触控结构被形成为被限制在触控区域中，并且不存在于由所述触控区域围绕的窗口区域中。可选地，形成多个第二网状电极的窗口穿越列包括形成分别位于所述窗口区域的第一侧和第二侧的第一网格块和第二网格块；形成第一导电板，所述第一导电板直接连接到所述第一网格块的一个或多个网格线；形成第二导电板，所述第二导电板直接连接到所述第二网格块的一个或多个网格线；以及形成连接第一导电板和第二导电板的第一导电桥。可选地，形成第一导电桥包括形成第一段和形成第二段。可选地，第二段被形成在与所述第一段、所述第一导电板和所述第二导电板不同的层中。
121.为了说明和描述的目的，已经给出了本实用新型的实施例的上述描述。其不是穷举的，也不是要将本实用新型限制为所公开的精确形式或示例性实施例。因此，前面的描述应当被认为是说明性的而不是限制性的。显然，许多修改和变化对于本领域技术人员将是显而易见的。选择和描述实施例是为了解释本实用新型的原理及其最佳模式实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本实用新型的各种实施例以及适合于所考虑的特定使用或实现的各种修改。本实用新型的范围旨在由所附权利要求及其等价物来限定，其中除非另有说明，否则所有术语都意味着其最广泛的合理意义。因此，术语“本实用新型(the invention、the present invention)”等不一定将权利要求范围限制为特定实施例，并且对本实用新型的示例性实施例的引用不意味着对本实用新型的限制，并且不应推断出这样的限制。本实用新型仅由所附权利要求的精神和范围来限定。此外，这些权利要求可能涉及使用“第一”、“第二”等，随后是名词或元素。这些术语应当被理解为命名法，并且不应当被解释为对由这些命名法所修改的元件的数量进行限制，除非已经给出了特定的数量。所描述的任何优点和益处可能不适用于本实用新型的所有实施例。应当理解，在不脱离由所附权利要求限定的本实用新型的范围的情况下，本领域技术人员可以对所描述的实施例进行改变。此外，本公开中的元件和组件都不是要贡献给公众，无论该元件或组件是否在所附权利要求中明确叙述。