一种显示基板及其制造方法、显示装置与流程

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。


背景技术：

2.在相关技术中，显示面板的阵列基板包括衬底、及位于衬底之上的源漏金属层和电极层等，源漏金属层包括源极、漏极、数据线以及位于绑定区域的各种源漏金属图案(例如绑定线路的端子和走线、以及封装基底图案等)，电极层位于源漏金属层远离衬底的一侧。
3.在制作阵列基板时，首先，在衬底上形成源漏金属层，源漏金属层是由一金属层经过图案化制成，该金属层通常采用钛(ti)
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铝(al)
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钛的叠层结构；然后，在源漏金属层之后覆盖一绝缘层，该绝缘层被图案化处理后，仅在显示区域覆盖在源漏金属层上，而绑定区域的源漏金属图案上未覆盖绝缘层；然后，制作电极层，此时显示区域的源漏金属层与电极层之间存在绝缘层，而对于绑定区域来说，电极层会直接覆盖源漏金属图案之上，由于电极层的图案化制程包括曝光刻蚀工艺，而铝金属的刻蚀速率比钛金属的刻蚀速率快，这就会导致图案化的源漏金属图案容易出现侧向蚀刻严重的问题，进而引起亮点不良。


技术实现要素：

4.本公开实施例提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，能够解决源漏金属图案在电极层刻蚀时出现侧面缺陷而导致不良的技术问题。
5.本公开实施例所提供的技术方案如下：
6.本公开实施例提供了一种显示基板，包括衬底基板及由靠近所述衬底基板一侧向远离所述衬底基板一侧依次设置的源漏金属层、平坦层和电极层，所述源漏金属层至少包括被所述平坦层覆盖的第一源漏金属图案和未被所述平坦层覆盖的第二源漏金属图案，其中所述电极层包括电极图案及遮挡图案，所述电极图案位于所述平坦层之上；所述遮挡图案直接覆盖于至少部分所述第二源漏金属图案之上，并沿着所述第二源漏金属图案的图案边沿设置。
7.示例性的，所述第二源漏金属图案包括由靠近衬底基板一侧至远离衬底基板一侧依次设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第二金属层在预设刻蚀液下进行刻蚀时的刻蚀速率大于所述第三金属层的刻蚀速率，所述第二金属层包括未被所述第三金属层所覆盖的侧面，所述遮挡图案至少覆盖住所述第二金属层的所述侧面。
8.示例性的，所述遮挡图案随形覆盖在所述第二源漏金属图案上，所述遮挡图案包括：
9.覆盖在所述第三金属层的位于远离所述衬底基板的一侧表面的第一遮挡区；
10.覆盖所述第二金属层的侧面的第二遮挡区；
11.及，覆盖所述第一金属层的侧面的第三遮挡区，所述第三遮挡区由所述侧面遮挡区的远离所述第一遮挡区的一侧、沿平行所述衬底基板的方向延伸形成。
12.示例性的，所述第一遮挡区在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述第三金属层的远离所述衬底基板的一侧表面。
13.示例性的，所述第一遮挡区上具有镂空图案，以暴露所述第三金属层的远离所述衬底基板的一侧表面的至少部分区域，且所述镂空图案的图案形状沿着所述第二源漏金属图案的图案边沿形状。
14.示例性的，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域外围的外围区域，所述第二源漏金属图案位于所述外围区域。
15.示例性的，所述外围区域包括绑定区域及封装基底区域，所述第二源漏金属图案包括：
16.位于所述绑定区域的绑定线路，所述绑定线路包括端子及绑定走线；
17.和/或，位于所述封装基底区域的封装基底图案。
18.本公开实施例还提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的显示基板。
19.本公开实施例还提供了一种显示基板的制造方法，用于制造本公开实施例的显示基板，所述方法包括：
20.提供衬底基板；
21.在所述衬底基板上依次形成源漏金属层、平坦层和电极层，所述源漏金属层至少包括被所述平坦层覆盖的第一源漏金属图案和未被所述平坦层覆盖的第二源漏金属图案，其中所述电极层包括电极图案及遮挡图案，所述电极图案位于所述平坦层之上；所述遮挡图案直接覆盖于至少部分所述第二源漏金属图案之上，并沿着所述第二源漏金属图案的图案边沿设置。
22.示例性的，所述方法中，在所述衬底基板上依次形成源漏金属层、平坦层和电极层，具体包括：
23.在所述衬底基板上形成源漏金属层，并对所述源漏金属层进行图案化处理，形成所述第一源漏金属图案和所述第二源漏金属图案；
24.在所述源漏金属层上形成平坦层，其中所述平坦层位于所述第一源漏金属图案之上，而未覆盖所述第二源漏金属图案；
25.在所述平坦层上形成电极层，并对所述电极层进行图案化处理，以形成所述电极图案和所述遮挡图案。
26.本公开实施例所带来的有益效果如下：
27.本公开实施例所提供的显示基板及其制造方法、显示装置，在源漏金属层中未被平坦层覆盖的部分，也就是第二源漏金属图案之上，设置由电极层所形成的遮挡图案，该遮挡图案沿第二源漏金属图案的边沿设置，这样，在电极层的图案化制程中，可以通过形成整层电极层之后，对电极层进行刻蚀工艺图案化处理时，对电极层上方的光刻胶进行图案化设计，使得在第二源漏金属图案的边沿上方的电极层被光刻胶覆盖保护，以保护第二源漏金属图案的边沿不被刻蚀，也就是第二源漏金属图案的侧面不被刻蚀，从而解决相关技术中源漏金属图案侧面出现凹陷而引起不良的问题。
附图说明
28.图1表示本公开一些实施例中所提供显示基板在对电极层进行图案化处理时第二
源漏金属图案上方的光学胶的结构示意图；
29.图2表示本公开一些实施例中所提供显示基板的第二源漏图形上方的遮挡图形的结构示意图；
30.图3表示本公开另一些实施例中所提供显示基板在对电极层进行图案化处理时第二源漏金属图案上方的光学胶的结构示意图；
31.图4表示本公开另一些实施例中所提供显示基板的第二源漏图形上方的遮挡图形的结构示意图；
32.图5表示相关技术中显示基板的绑定区域的相邻两个端子的尺寸及结构示意图；
33.图6表示图2所示实施例中的显示基板的绑定区域的相邻两个端子的尺寸及结构示意图；
34.图7表示图4所示实施例中的显示基板的绑定区域的相邻两个端子的尺寸及结构示意图；
35.图8表示本公开实施例中的显示基板的绑定区域和封装基底区域的局部布线结构示意图；
36.图9表示本公开实施例中的显示基板在绑定区域的端子处的局部剖面结构示意图；
37.图10表示本公开实施例中的显示基板在封装衬底区域处的局部剖面结构示意图。
具体实施方式
38.为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
39.除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
40.在对本公开实施例所提供的显示基板及其制造方法、显示装置进行详细说明之前，有必要对于相关技术进行以下说明：
41.在相关技术中，显示基板中包括由下至上依次设置的源漏金属层、平坦层及电极层，其中源漏金属层的图案主要包括位于显示区域内的第一源漏金属图案，例如薄膜晶体管的源极和漏极、以及数据线等信号线，在周边区域还具有第二源漏金属图案，例如：绑定线路的端子和绑定走线、封装基底图案以及周边信号走线，例如周边vss走线等。
42.本公开的公开人经研究发现，平坦层主要起到将源漏金属层与电极层之间绝缘以
及为电极层提供平坦面的作用，而电极层一般只设置于显示区域，因此平坦层通常会图案化，覆盖显示区域，因此显示区域的源漏金属层会被平坦层覆盖，而外围区域的部分源漏金属图案会未被平坦层所覆盖那么，对于这部分未被平坦层所覆盖的源漏金属图案，在电极层制程工艺中电极层未图案化之前，源漏金属图案之上直接覆盖电极层，在对电极层进行曝光刻蚀时，由于源漏金属图案一般包括钛和铝的叠层，钛和铝的刻蚀速率不同，从而会导致源漏金属图案侧面出现凹陷，例如，源漏金属层采用钛(ti)
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铝(al)
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钛(ti)的叠层结构时，源漏金属图案中的铝层的侧面容易出现缺陷，如各种凹槽，导致位于铝层上方的钛层突出，而可能会掉落至显示区进而引起不良现象。
43.为了解决上述问题，若是在外围区域的第二源漏金属图案上也设置平坦层，平坦层厚度大，不适用于绑定区域等外围区域对厚度的要求，而平坦层若想在外围区域内减小厚度，其图案化工艺复杂，且平坦层靠近边缘还会引起水汽等问题。
44.基于上述问题，本公开实施例提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，能够解决源漏金属图案在电极层刻蚀时出现侧面缺陷而导致不良的技术问题。
45.图2、图4、图9和图10所示为本公开实施例所提供的显示基板的局部结构示意图。
46.如图2、图4、图9和图10所示，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：衬底基板100、及由靠近所述衬底基板100一侧向远离所述衬底基板100一侧依次设置的源漏金属层、平坦层和电极层，所述源漏金属层至少包括被所述平坦层覆盖的第一源漏金属图案(图中未进行示意)和未被所述平坦层覆盖的第二源漏金属图案400；其中所述电极层包括电极图案(图中未示意)及遮挡图案300，所述电极图案位于所述平坦层之上；所述遮挡图案300直接覆盖于至少部分所述第二源漏金属图案400之上，并沿着所述第二源漏金属图案400的图案边沿设置。在上述方案中，在源漏金属层中未被平坦层覆盖的部分，也就是第二源漏金属图案400之上，设置由电极层所形成的遮挡图案300，该遮挡图案300沿第二源漏金属图案400的边沿设置，这样，在电极层的图案化制程中，可以通过形成整层电极层之后，对电极层进行刻蚀工艺图案化处理时，保留第二源漏金属图案400的边沿上方的电极层而形成遮挡图案300，具体的，可以通过对电极层上方的光刻胶600进行图案化设计，使得在第二源漏金属图案400的边沿上方的电极层光刻胶600覆盖保护，以保留这部分电极层形成遮挡图案300，从而遮挡第二源漏金属图案400的边沿不被刻蚀，这样，第二源漏金属图案400的侧面不被刻蚀，从而解决相关技术中源漏金属图案侧面出现凹陷而引起不良的问题。
47.这里需要说明的是，所述遮挡图案300沿第二源漏金属图案400的图案边沿设置，其所指的是，所述遮挡图案300至少覆盖住第二源漏金属图案400的侧面，且所述遮挡图案300的形状与第二源漏金属图案400的形状匹配，不会对第二源漏金属图案400的功能产生不良影响，例如，第二源漏金属图案400包括绑定区域的端子时，其上方所覆盖的遮挡图形沿着端子的边沿形状设置，这样，最终所述第二源漏金属图案400与所述遮挡图案300组成的叠层结构的图案仍保持端子的图案。
48.以下对本公开实施例所提供的技术方案进行更为详细的说明。
49.在本公开所提供的显示基板中，所述第二源漏金属图案400包括由靠近衬底基板100一侧至远离衬底基板100一侧依次设置的第一金属层410、第二金属层420和第三金属层430，所述第二金属层420在预设刻蚀液下进行刻蚀时的刻蚀速率大于所述第三金属层430的刻蚀速率，所述第二金属层420包括未被所述第三金属层430所覆盖的侧面，所述遮挡图
案300至少覆盖住所述第二金属层420的所述侧面。
50.采用上述方案，所述第二源漏金属图案400可以是三层金属叠层结构，其中位于中间层的第二金属层420会在电极层刻蚀时刻蚀速率大于位于其上方的第三金属层430的刻蚀速率，在一些实施例中，所述第二源漏金属图案400的叠层结构可以是钛(ti)
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铝(al)
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钛(ti)的叠层结构，也就是，第一金属层410为钛(ti)层，第二金属层420为铝(al)层，所述第三金属层430为钛(ti)层。需要说明的是，以上仅是对所述第二源漏金属图案400的叠层结构进行举例说明，在实际应用中，所述第二源漏金属图案400的叠层结构并不限于此。
51.在本公开一些示例性的实施例中，所述遮挡图案300随形覆盖在所述第二源漏金属图案400上，所述遮挡图案300包括：覆盖在所述第三金属层430的位于远离所述衬底基板100的一侧表面的第一遮挡区310；覆盖所述第二金属层420的侧面的第二遮挡区320；及覆盖所述第一金属层410的侧面的第三遮挡区330，所述第三遮挡区330由所述侧面遮挡区的远离所述第一遮挡区310的一侧、沿平行所述衬底基板100的方向延伸形成。
52.上述方案中，所述遮挡图案300是随形覆盖在第二源漏金属图案400上的，其至少一部分是覆盖在第三金属层430的上方表面(即第三金属层430的位于远离所述衬底基板100的一侧表面)，也就是第一遮挡区310；至少一部分覆盖在第二金属层420的侧面，也就是第二遮挡区320；至少一部分覆盖在第三金属层430的侧面并向外延伸一段距离，也就是第三遮挡区330。
53.图3和图4及图7所示为本公开一些实施例中的遮挡图案300的示意图。如图3和图4及图7所示，在一些实施例中，所述第一遮挡区310在所述衬底基板100上的正投影完全覆盖所述第三金属层430的远离所述衬底基板100的一侧表面。
54.在该实施例中，在电极层图案化制程中，光刻胶600包括保留区域和去除区域，通过设计光刻胶600的保留区域和去除区域图案，以光刻胶600为正性胶为例，使光刻胶600的保留区域在所述衬底基板100之上的正投影完全覆盖所述第二源漏金属图案400在所述衬底基板100之上的正投影，以使得所述电极层最终形成所述遮挡图案300。
55.图1、图2和图6所示为本公开另一些实施例中的遮挡图案300的示意图。如图1、图2和图6所示，在另一些实施例中，所述第一遮挡区310上具有镂空图案311，以暴露所述第三金属层430的远离所述衬底基板100的一侧表面的至少部分区域，且所述镂空图案311的图案形状沿着所述第二源漏金属图案400的图案边沿形状。
56.上述方案中，所述第一遮挡区310上具有镂空图案311，且镂空图案311的图案形状沿着第二源漏金属图案400的图案边沿形状，也就是说，所述第一遮挡区310将所述遮挡图案300分割开，仅对第二源漏金属图案400的边沿描边设计遮挡。
57.此外，一些实施例中，所述显示基板包括显示区域aa和位于所述显示区域aa外围的外围区域，所述第一源漏金属图案位于所述显示区域aa(图中未示意出)，所述第二源漏金属图案400位于所述外围区域。
58.对于显示基板来说，如图8所示，外围区域中主要包括绑定区域c和位于绑定区域c和显示区域aa(图中未示意出)之间的封装基底区域b(frit sub)，绑定区域c内布设绑定线路，绑定线路包括端子1以及绑定走线4等，在外围区域还可以包括一些周边走线2，例如，vss、vdd走线等。
59.如图8所示，所述绑定线路中包括多个端子1以及与端子连接的绑定走线4，端子1
可依次排列成至少一行，至少一个端子1与至少一根绑定走线4连接，在绑定区域的端部设置有vss走线或者vdd走线，其中vss走线可以是环绕显示区域设置。
60.封装基底区域b用于设置封装基底图案，封装基底图案3可以包括基底部31和基底部31上的多个开孔32，所述封装基底图案用于在显示基板封装时为封装提供基底，且封装基底图案上的开孔便于封装基底图案上层封装材料于封装基底图案下层的材料连为一体，提高封装效果。
61.在一些实施例中，vss走线可以是从绑定区域的一端引出，环绕显示区域aa的外围一圈而延伸连接至绑定区域的另一端。
62.在一些实施例中，vss、vdd等周边信号走线可以是与封装基底图案3同层同材质且连为一体设置，例如均采用源漏金属层材料制成，也就是说，所述封装基底图案还可以复用为vss、vdd等周边信号走线。
63.本公开实施例所提供的显示基板中，第二源漏金属图案400就可以包括上述绑定线路，例如端子1及绑定走线4，还可以包括周边走线2和封装基底图案3。
64.应当理解的是，对于显示基板来说，在其外围区域内所布设的采用源漏金属层图案化形成的周边信号走线或者其他源漏图案，均为所述第二源漏金属图案400，也就是说，在显示基板的外围区域内所布设的采用源漏金属层图案化形成的周边信号走线或者其他源漏图案，均可以在上方设置采用电极层形成的遮挡图案。
65.此外，所述显示基板中还包括栅极层500，所述栅极层500的图案包括栅极及栅线等图案。所述绑定线路在所述衬底基板100上的正投影可以与所述栅极层在所述衬底基板100上的正投影至少部分重合；所述封装基底图案在所述衬底基板100上的正投影可以与所述栅极层在所述衬底基板100上的正投影至少部分重合，至少部分不重合。
66.以所述第二源漏金属图案400包括显示基板的绑定线路中的端子为例，图9所示为端子与栅极通过过孔连接处的剖面结构示意图，图2、图4及图6至图7所示为端子未与栅极通过过孔连接处的剖面结构示意图。
67.如图9所示，在所述衬底基板100的绑定区域c包括由下至上依次设置的栅极层500、栅极绝缘层700、源漏金属层和电极层，其中源漏金属层的图案即为第二源漏金属图案400，通过过孔搭接栅极层500，在第二源漏金属图案400的边沿覆盖有遮挡图案300。
68.如图10所示，在所述衬底基板100的封装基底区域b包括由下至上依次设置的栅极绝缘层700、源漏金属层和电极层，其中源漏金属层的图案即为第二源漏金属图案400，在第二源漏金属图案400的边沿覆盖有遮挡图案300。
69.所述第二源漏金属图案400覆盖遮挡图案300，不会对其原有功能产生影响，考虑到端子、走线等的线宽等因素，对于第二源漏金属图案400在设置遮挡图案300之后的尺寸进行以下说明：
70.以相关技术中第二源漏金属图案中的端子1为例，如图5所示，在相关技术中绑定线路的端子1的长度为f1，宽度为c1，间隔为e1，例如，长度f1＝600μm，宽度为c1＝12μm，间隔e1＝10μm。
71.在图6所示的实施例中，相邻两个端子之上的遮挡图形之间的间隙e2＝e1，同一端子上的遮挡图案300相对两侧的边缘之间的距离d＝c1，同一端子的遮挡图案300中第一遮光区由镂空图案分为两个子区域，两个子区域的宽度相同均为b，两个子区域与镂空图案的
宽度之和为c，第三子区域的宽度为a，则d＝2a c，遮挡图案300的长度f＝f1，以长度f1＝600μm，宽度为c1＝12μm，间隔e1＝10μm为例，则，d＝12μm，c＝9μm，a＝1.5μm，b＝1.5μm，f＝600μm。根据不同曝光机性能精度，a、b、c和d的数值可以进行调整，不限定于此。
72.在图7所示的实施例中，相邻两个端子之上的遮挡图形之间的间隙e3＝e1，同一端子上的遮挡图案300相对两侧的边缘之间的距离d’＝c1，同一端子的遮挡图案300中第一遮光区的宽度为c’，第三子区域的宽度为a’，则d’＝2a’ c’，遮挡图案300的长度f2＝f1，以长度f1＝600μm，宽度为c1＝12μm，间隔e1＝10μm为例，则，d’＝12μm，c’＝9μm，a’＝1.5μm。根据不同曝光机性能精度，a’、b’、c’和d’的数值可以进行调整，不限定于此。
73.需要说明的是，对于显示基板的外围区域内的第二源漏金属图案400，例如端子、绑定走线、vdd走线、vss走线等信号走线，这些信号走线还具有信号传输的功能。本公开实施例提供的显示基板中第二源漏金属图案400上方设置遮挡图案300，与相关技术中仅采用第二源漏金属图案仅采用源漏金属层的方案相比，由于第二源漏金属图案与其上方的遮挡图案最终组成的图案尺寸与原有的仅采用源漏金属层得到的图案尺寸对应(大致相同)，并不会对信号产生变化影响甚微，不会影响正常信号传输。
74.还需要说明的是，以上仅是以第二源漏图案中的端子图案为例进行的说明，对于走线以及封装基底图案等，遮挡图案300与第二源漏金属图案400的最终尺寸应根据曝光机的性能精度以及布线需求等来进行合理设计。
75.此外，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的显示基板。所述显示装置可以包括手机、平板电脑以及显示器等各种显示装置。
76.此外，本公开实施例还提供了一种显示基板的制造方法，用于制造本公开实施例的显示基板，所述方法包括：
77.步骤s01、提供衬底基板100；
78.步骤s02、在所述衬底基板100上依次形成源漏金属层、平坦层和电极层，所述源漏金属层至少包括被所述平坦层覆盖的第一源漏金属图案和未被所述平坦层覆盖的第二源漏金属图案400，其中所述电极层包括电极图案及遮挡图案300，所述电极图案位于所述平坦层之上；所述遮挡图案300直接覆盖于至少部分所述第二源漏金属图案400之上，并沿着所述第二源漏金属图案400的图案边沿设置。
79.示例性的，所述方法中，步骤s02具体包括：
80.步骤s021、在所述衬底基板100上形成源漏金属层，并对所述源漏金属层进行图案化处理，形成所述第一源漏金属图案和所述第二源漏金属图案400；
81.其中，所述源漏金属层可以包括由下至上依次设置的第一金属层410、第二金属层420和第三金属层430的叠层结构，例如，钛(ti)
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铝(al)
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钛(ti)的叠层结构，先依次沉积各层之后，再进行例如曝光、显影、刻蚀等工序，对源漏金属层进行图案化制程，形成第一源漏金属图案和第二源漏金属图案400；
82.步骤s022、在所述源漏金属层上形成平坦层，其中所述平坦层位于所述第一源漏金属图案之上，而未覆盖所述第二源漏金属图案400；
83.其中所述平坦层可以起到绝缘和平坦的作用，可以选用无机绝缘层或有机绝缘层；
84.步骤s023、如图1和图3所示，在所述平坦层上形成电极层，并对所述电极层进行图
案化处理，以形成所述电极图案和所述遮挡图案300；
85.其中所述电极层可以是阳极层，例如ito层(氧化铟锡层)或金属层等，先在衬底基板100上整个沉积覆盖电极层，然后利用例如曝光、显影、刻蚀等工艺来进行电极层图案化制程，其中在曝光显影时，光刻胶600包括保留区域和去除区域，以光刻胶600为正性胶为例，则保留区域的图案至少覆盖在第二源漏金属图案400的边沿对位位置处，以保留第二源漏金属图案400上方的电极层，而形成遮挡图案300，以保护第二源漏金属图案400的侧面被刻蚀。
86.此外，需要说明的是，本公开实施例提供的显示基板还可以包括栅极、栅极绝缘层以及有源层等膜层的制作步骤，对此不再赘述。
87.有以下几点需要说明：
88.(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
89.(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。
90.(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
91.以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。