一种PLC芯片等级检测方法与流程

一种plc芯片等级检测方法
技术领域
1.本发明属于光通讯技术领域，尤其涉及一种plc芯片等级检测方法。


背景技术：

2.随着5g通讯的发展，波分复用(wdm)产品突显优势，平面光波导芯片(plc)需求也日益增长，生产芯片过程中，需要对芯片等级进行划分，现有的划分方法是建立microsoft excel宏模版，向宏模版中输入测试数据，通过宏模版对测试数据进行分析，从而判断芯片等级，由于plc芯片类型较多对应的测试数据类型不同，因此需要构建不同类型的分析宏模版，通用性差，在较多种类宏模版的情况下，分析前需要选择合适的分析宏模版，若选择错误，分析不精准。


技术实现要素：

3.(一)发明目的
4.为了克服以上不足，本发明的目的在于提供一种plc芯片等级检测方法，以解决现有的plc芯片等级检测方法需要构建不同的分析宏模版，通用性差，且选择错误的分析宏模版后，容易导致分析不精准的技术问题。
5.(二)技术方案
6.为实现上述目的，本技术提供的技术方案如下：
7.为实现上述目的，本技术一方面提供的技术方案如下：
8.一种plc芯片等级检测方法，包括：
9.获取各个通道光谱曲线：获取各个通道的最大插损光谱曲线ch00nmax、最小插损光谱曲线ch00nmin、平均插损光谱曲线ch00navg、tm偏振态光谱曲线以及te偏振态光谱曲线；
10.获取各通道的测试数据：获取各通道的pb il测试数据、pdw测试数据、1db bw测试数据、3db bw测试数据以及ax测试数据，其中，pb il测试数据是基于各通道的最大插损光谱曲线ch00nmax获取的，pdw测试数据基于各通道的tm偏振态光谱曲线以及各通道的te偏振态光谱曲线获取的，1db bw测试数据以及3db bw测试数据是基于各通道的平均插损光谱曲ch00navg获取的，ax测试数据是基于各通道的平均插损光谱曲ch00navg获取的；
11.选取芯片比对数据：在得到的各个通道的测试数据中选取：pb il比对数据、pdw比对数据、1db bw比对数据、3db bw比对数据、ax比对数据il unif比对数据；
12.判断芯片等级：将选出的所有的芯片比对数据分别与预先设定的等级比对参数：pb il比对参数、pdw比对参数、1db bw比对参数、3db bw比对参数、ax比对参数、il unif比对参数进行对比，获取芯片等级；
13.本技术的检测方法：首先获取各个通道的最大插损光谱曲线ch00nmax、最小插损光谱曲线ch00nmin以及平均插损光谱曲线ch00navg，然后在对应的光谱曲线中获取pb il测试数据、pdw测试数据、1db bw测试数据、3db bw测试数据、ax测试数据，然后比对各通道
的pb il测试数据、pdw测试数据、1db bw测试数据、3db bw测试数据、ax测试数据数值大小，选出pb il比对数据、pdw比对数据、1db bw比对数据、3db bw比对数据、ax比对数据以及计算出il unif比对数据，将各芯片比对数据与等级对比数据表中的各对比数据数值进行比对，从而判断芯片的等级，如此实现了芯片的等级检测，由于各类型芯片均具有上述的测试数据，本检测方法适用于不同类型的芯片，检测时无需选择不同的检测分析模板，通用性强，避免出错，保证了分析的精确度。
14.在一些实施例中，获取各个通道的最大插损光谱曲线ch00nmax包括：将预定范围内的每个波长依次以预定的不同入射角度入射到各个通道中，将每个波长下得到的的最大插损值进行连线，形成最大插损光谱曲线ch00nmax。
15.在一些实施例中，获取各个通道的最小插损光谱曲线ch00nmin包括：将预定范围内的每个波长依次以预定的不同入射角度入射到各个通道中，将每个波长下得到的最小插损值进行连线，形成最小插损光谱曲线ch00nmin。
16.在一些实施例中，获取平均插损光谱曲ch00navg包括：将预定范围内的每个波长依次以预定的不同入射角度入射到各个通道中，将每个波长下得到的所有插损值的平均值进行连线，形成平均插损光谱曲ch00navg。
17.在一些实施例中，获取tm偏振态光谱曲线以及te偏振态光谱曲线包括：
18.连接最小插损光谱曲线ch00nmin的前半段以及最大插损光谱曲线ch00nmax的后半段形成tm偏振态光谱曲线；
19.以入射波长的中间波长为中心点，连接最大插损光谱曲线ch00nmax前半段以及最小插损光谱曲线ch00nmin的后半段，形成te偏振态光谱曲线。
20.在一些实施例中，获取各个通道的pb il测试数据包括：在各个通道的最大插损光谱曲线choonmax中，在itu passband范围内，选取最大插损值作为各个通道的pb il测试数据。
21.在一些实施例中，获取各个通道的pdw测试数据包括：分别求各通道的tm偏振态光谱曲线的中心波长λ
cwl_tm
以及各通道的te偏振态光谱曲线的中心波长λ
cwl_te
,将同一通道内的中心波长λ
cwl_tm
与中心波长λ
cwl_te
,作差，求出各个通道的pdw测试数据。
22.在一些实施例中，获取各通道的1db bw测试数据包括：在各个通道的平均插损光谱曲ch00navg中，以峰值波长下降1db后与对应通道的平均插损光谱曲ch00navg相交的两点对应的两波长作差，求出各个通道的1db bw测试数据；
23.获取各个通道的3db bw测试数据包括：在各个通道的平均插损光谱曲ch00navg中，以峰值波长下降3db后与对应通道的平均插损光谱曲ch00navg相交的两点对应的两波长作差，求出各通道的3db bw测试数据。
24.在一些实施例中，获取各个通道的ax测试数据包括：在各个通道的平均插损光谱曲ch00navg中，以当前通道的平均插损光谱曲ch00navg落入到相邻通道itu passband范围内对应的最小插损，与当前通道在自身itu passband范围内对应的最大插损作差，求出各个通道的ax测试数据。
25.在一些实施例中，求中心波长λ
cwl_tm
、中心波长λ
cwl_te
波长、1db bw测试数据以及3db bw测试数据时，若对应光谱的峰值插损peak il下降相应高度后与对应光谱曲线相交的点所对应的波长落在入射波长的相邻两波长之间的间隔区间时，取过对应光谱曲线上的
两取值点求波长
‑
插损关系式：λ＝ail(n) b，并且将交点对应的插损值代入到波长
‑
插损关系式中求出交点对应的波长。
26.在一些实施例中，选取芯片比对数据包括：
27.在各个通道的pb il测试数据中，选取数值最小的pb il测试数据作为pb il比对数据；
28.在各个通道的pdw测试数据中，选取数值最大的pdw测试数据作为pdw比对数据；
29.在各个通道的1db bw测试数据中，选取数值最小的1db bw测试数据作为1db bw比对数据；
30.在各个通道的3db bw测试数据中，选取数值最小的3db bw测试数据作为3db bw比对数据；
31.在各个通道的ax测试数据中，选取数值最小的ax测试数据作为ax比对数据；
32.在各通道的pb il测试数据中，将最大pb il测试数据与最小pb il测试数据作差，求出il unif比对数据。
33.在一些实施例中，预先设定的等级比对参数包括：
34.第一等级的各比对参数数值为：pb il＝
‑
4、pdw＝0.03、1db bw＝0.41、3db bw＝0.61、ax＝28、il unif＝1；
35.第二等级的各比对参数数值为：pb il＝
‑
4.5、pdw＝0.04、1db bw＝0.405、3db bw＝0.605、ax＝27.5、il unif＝1；
36.第三等级的各比对参数数值为：pb il＝
‑
5、pdw＝0.045、1db bw＝0.39、3db bw＝0.59、ax＝25、il unif＝1.2。
37.在一些实施例中，获取芯片等级包括：pb il测试数据、il unif测试数据、1db宽带测试数据、3db宽带测试数据、ax测试数据需分别大于il对比数据、1db宽带对比数据、3db宽带对比数据、ax对比数据，il unif测试数据以及pdw测试数据需分别小于il unif对比数据、pdw对比数据。
38.本技术另一方面提供了一种plc芯片等级检测系统，用于运行上述的plc芯片等级检测方法，系统包括：
39.光谱曲线获取模块，用于获取各个通道对应的最大插损光谱曲线ch00nmax，最小插损光谱曲线ch00nmin以及平均插损光谱曲线ch00navg；
40.测试数据获取模块，用于获取各通道的pb il测试数据、pdw测试数据、1db bw测试数据、3db bw测试数据以及ax测试数据，其中，pb il测试数据是基于各通道的最大插损光谱曲线ch00nmax获取的，pdw测试数据基于各通道的tm偏振态光谱曲线以及各通道的te偏振态光谱曲线获取的，1db bw测试数据以及3db bw测试数据是基于各通道的平均插损光谱曲ch00navg获取的，ax测试数据是基于各通道的平均插损光谱曲ch00navg获取的；
41.芯片比对数据选取模块，用于在得到的各个通道的测试数据中选取：pb il比对数据、pdw比对数据、1db bw比对数据、3db bw比对数据、ax比对数据il unif比对数据；
42.芯片等级判断模块，用于将选出的所有的芯片比对数据分别与预先设定的等级比对参数：pb il比对参数、pdw比对参数、1db bw比对参数、3db bw比对参数、ax比对参数、il unif比对参数进行对比，获取芯片等级。
43.在一些实施例中，光谱曲线获取模块包括：最大插损光谱曲线ch00nmax获取子模
块，用于在预定范围内的每个波长依次以预定的不同入射角度入射到各个通道时，将每个波长下得到的的最大插损值进行连线，形成最大插损光谱曲线ch00nmax。
44.在一些实施例中，光谱曲线获取模块包括：最小插损光谱曲线ch00nmin获取子模块，用于在预定范围内的每个波长依次以预定的不同入射角度入射到各个通道时，将每个波长下得到的最小插损值进行连线，形成最小插损光谱曲线ch00nmin。
45.在一些实施例中，光谱曲线获取模块包括：平均插损光谱曲ch00navg获取子模块，用于在预定范围内的每个波长依次以预定的不同入射角度入射到各个通道时，将每个波长下得到的所有插损值的平均值进行连线，形成平均插损光谱曲ch00navg。
46.在一些实施例中，光谱曲线获取模块包括：
47.tm偏振态光谱曲线获取子模块，用于以入射波长的中间波长为中心点，连接最小插损光谱曲线ch00nmin的前半段以及最大插损光谱曲线ch00nmax的后半段形成tm偏振态光谱曲线；
48.te偏振态光谱曲线获取子模块，用于以入射波长的中间波长为中心点，连接最大插损光谱曲线ch00nmax前半段以及最小插损光谱曲线ch00nmin的后半段，形成te偏振态光谱曲线。
49.在一些实施例中，测试数据获取模块包括：pb il测试数据获取子模块，用于在最大插损光谱曲线ch00nmax获取子模块获取到最大插损光谱曲线ch00nmax后，在各个通道的最大插损光谱曲线choonmax中，在itu passband范围内，选取最大插损值作为各个通道的pb il测试数据。
50.在一些实施例中，测试数据获取模块包括：pdw测试数据获取子模块，用于在tm偏振态光谱曲线获取子模块以及te偏振态光谱曲线获取子模块获取到tm偏振态光谱曲线以及te偏振态光谱曲线后，分别求各通道的tm偏振态光谱曲线的中心波长λ
cwl_tm
以及各通道的te偏振态光谱曲线的中心波长λ
cwl_te
,将同一通道内的中心波长λ
cwl_tm
与中心波长λ
cwl_te
,作差，求出各个通道的pdw测试数据。
51.在一些实施例中，测试数据获取模块包括：
52.1db bw测试数据获取子模块，用于在平均插损光谱曲ch00navg获取子模块获取获取到平均插损光谱曲ch00navg后，在各个通道的平均插损光谱曲ch00navg中，以峰值波长下降1db后与对应通道的平均插损光谱曲ch00navg相交的两点对应的两波长作差，求出各个通道的1db bw测试数据；
53.3db bw测试数据获取子模块，用于在平均插损光谱曲ch00navg获取子模块获取获取到平均插损光谱曲ch00navg后，在各个通道的平均插损光谱曲ch00navg中，以峰值波长下降3db后与对应通道的平均插损光谱曲ch00navg相交的两点对应的两波长作差，求出各个通道的3db bw测试数据。
54.在一些实施例中，测试数据获取模块包括：ax测试数据获取子模块，用于在平均插损光谱曲ch00navg获取子模块获取获取到平均插损光谱曲ch00navg后，在各个通道的平均插损光谱曲ch00navg中，以当前通道的平均插损光谱曲ch00navg落入到相邻通道itu passband范围内对应的最小插损，与当前通道在自身itu passband范围内对应的最大插损作差，求出各个通道的ax测试数据。
55.在一些实施例中，还包括：波长计算模块，用于在求中心波长λ
cwl_tm
、中心波长
λ
cwl_te
波长、1db bw测试数据以及3db bw测试数据时，若对应光谱的峰值插损peak il下降相应高度后与对应光谱曲线相交的点所对应的波长落在入射波长的相邻两波长之间的间隔区间时，取过对应光谱曲线上的两取值点求波长
‑
插损关系式：λ＝ail(n) b，并且将交点对应的插损值代入到波长
‑
插损关系式中求出交点对应的波长。
56.在一些实施例中，芯片比对数据选取模块包括：
57.pb il比对数据选取子模块，用于在各个通道的pdw测试数据中，选取数值最大的pdw测试数据作为pdw比对数据；
58.1db bw比对数据选取子模块，用于在各个通道的1db bw测试数据中，选取数值最小的1db bw测试数据作为1db bw比对数据；
59.3db bw比对数据选取子模块，用于在各个通道的3db bw测试数据中，选取数值最小的3db bw测试数据作为3db bw比对数据；
60.ax比对数据选取子模块，用于在各个通道的ax测试数据中，选取数值最小的ax测试数据作为ax比对数据；
61.il unif比对数据选取子模块，用于在各通道的pb il测试数据中，将最大pb il测试数据与最小pb il测试数据作差，求出il unif比对数据。
62.本技术又一方面提供了一种plc芯片等级检测设备，包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，计算机程序被处理器执行以实现plc芯片等级检测方法的步骤。
63.本技术再一方面一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有plc芯片等级检测程序，plc芯片等级检测程序被处理器执行以实现plc芯片等级检测方法的步骤。
附图说明
64.图1是求pb il测试数据的分析图；
65.图2是求中心波长λ
cwl_tm
或中心波长λ
cwl_te
波长的分析图；
66.图3是求1db bw测试数据或3db bw测试数据的分析图；
67.图4是求ax测试数据的分析图；
68.图5是tm偏振态光谱曲线以及te偏振态光谱曲线图；
69.图6是波长
‑
插损关系式的直线方程图；
70.图7是第1通道中最大插损光谱曲线ch00nmax，最小插损光谱曲线ch00nmin以及平均插损光谱曲线ch00navg图。
具体实施方式
71.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本发明进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。
72.本发明提供的一方面提供了一种plc芯片等级检测方法，包括以下步骤：
73.步骤一，获取各个通道光谱曲线：
74.获取各个通道的最大插损光谱曲线ch00nmax，最小插损光谱曲线ch00nmin、平均插损光谱曲线ch00navg、tm偏振态光谱曲线以及te偏振态光谱曲线，具体的：
75.最大插损光谱曲线ch00nmax为：将预定范围内的每个波长依次以预定的不同入射角度入射到各个通道中，将每个波长下得到的的最大插损值进行连线，形成最大插损光谱曲线ch00nmax；
76.最小插损光谱曲线ch00nmin为：将预定范围内的每个波长依次以预定的不同入射角度入射到各个通道中，将每个波长下得到的最小插损值进行连线，形成最小插损光谱曲线ch00nmin；
77.平均插损光谱曲ch00navg为：将预定范围内的每个波长依次以预定的不同入射角度入射到各个通道中，将每个波长下得到的所有插损值的平均值进行连线，形成平均插损光谱曲ch00navg；
78.tm偏振态光谱曲线为：以预定范围内的中间波长为界限，将最小插损光谱曲线ch00nmin的前半段,最大插损光谱曲线ch00nmax的后半段之间的连线得到tm偏振态光谱曲线，如图5所示；
79.te偏振态光谱曲线为：以预定范围内的中间波长为界限，将最大插损光谱曲线ch00nmax的前半段、最小插损光谱曲线ch00nmin的后半段之间的连线得到te偏振态光谱曲线；
80.具体的，图7中共显示了三条光谱曲线，横坐标为预定范围波长，纵坐标为插损值，纵坐标向上延伸，插损值逐渐减少，具体的，图中位于最上方的为最小插损光谱曲线ch00nmin，位于最下方的为最大插损光谱曲线ch00nmax，位于两者之间的为平均插损光谱曲线ch00navg；
81.图5共显示了三条光谱曲线，带圆圈的曲线为最小插损光谱曲线ch00nmin，带方块的曲线为最大插损光谱曲线ch00nmax，黑体加粗的虚线为tm光谱曲线，波浪线为te光谱曲线；
82.步骤二，获取各通道的测试数据：
83.获取各个通道的pb il测试数据：在各个通道的最大插损光谱曲线choonmax中，在itu passband范围内，选取最大插损值作为各个通道的pb il测试数据,如图1所示；
84.获取各个通道的pdw测试数据：分别求各通道的tm偏振态光谱曲线的中心波长λ
cwl_tm
以及各通道的te偏振态光谱曲线的中心波长λ
cwl_te
,将同一通道内的中心波长λ
cwl_tm
与中心波长λ
cwl_te
,作差，求出各个通道的pdw测试数据，中心波长如图2所示；
85.获取各通道的1db bw测试数据：在各个通道的平均插损光谱曲ch00navg中，以峰值波长下降1db后与对应通道的平均插损光谱曲ch00navg相交的两点对应的两波长作差，求出各个通道的1db bw测试数据(如图3所示)；
86.获取各个通道的3db bw测试数据：在各个通道的平均插损光谱曲ch00navg中，以峰值波长下降3db后与对应通道的平均插损光谱曲ch00navg相交的两点对应的两波长作差，求出各通道的3db bw测试数据(如图3所示)；
87.获取各个通道的ax测试数据：在各个通道的平均插损光谱曲ch00navg中，以当前通道的平均插损光谱曲ch00navg落入到相邻通道itu passband范围内对应的最小插损，与当前通道在自身itu passband范围内对应的最大插损作差，求出各个通道的ax测试数据
(如图4所示)；
88.步骤三，选取芯片比对数据：
89.在各个通道的pb il测试数据中，选取数值最小的pb il测试数据作为pb il比对数据；
90.在各个通道的pdw测试数据中，选取数值最大的pdw测试数据作为pdw比对数据；
91.在各个通道的1db bw测试数据中，选取数值最小的1db bw测试数据作为1db bw比对数据；
92.在各个通道的3db bw测试数据中，选取数值最小的3db bw测试数据作为3db bw比对数据；
93.在各个通道的ax测试数据中，选取数值最小的ax测试数据作为ax比对数据；
94.在各通道的pb il测试数据中，将最大pb il测试数据与最小pb il测试数据作差，求出il unif比对数据；
95.步骤四，判断芯片等级：
96.将选出的对比通道的各比对数据与分别与预先设定的各等级比对参数的数值进行比对，求出该芯片等级，
97.具体的，比对过程如下：
98.pb il比对数据需大于pb il比对参数；
99.il unif比对数据需小于il unif比对参数；
100.pdw比对数据需小于pdw比对参数；
101.1db宽带比对数据需大于1db宽带比对参数；
102.3db宽带比对数据需大于3db宽带比对参数；
103.ax比对数据需大于ax比对参数；
104.具体的，等级比对数据表中的各比对参数数值如下：
105.第一等级的各比对参数数值为：pb il＝
‑
4、il unif＝1、pdw＝0.03、1db bw＝0.41、3db bw＝0.61、ax＝28；
106.第二等级的各比对参数数值为：pb il＝
‑
4.5、il unif＝1、pdw＝0.04、1db bw＝0.405、3db bw＝0.605、ax＝27.5；
107.第三等级的各比对参数数值为：pb il＝
‑
5、il unif＝1.2、pdw＝0.045、1db bw＝0.39、3db bw＝0.59、ax＝25。
108.将上述各等级比对参数整理列成表格如下：
109.gradepb ilil unifpdw1db bw3db bwaxq(第一等级)
‑
410.030.410.6128n(第二等级)
‑
4.510.040.4050.60527.5v(第三等级)
‑
51.20.0450.390.5925
110.表格1
111.具体的，itu passband为国际电信联盟规定的各通道标准中心波长。
112.具体的，本技术的插损值是通过发射器以及功率接收器进行测试所得，入射波长范围为预先设定的，通过插损值与入射波长范围绘制出各通道对应的多个光谱曲线，并且在不同光谱曲线中求出每个通道的多个测试数据，每个通道共获取6个测试数据，所有通道
中共形成6个测试数据集合，在每个集合中选取对应的测试数据作为比对数据，最终选出6个比对数据，将选出的6个比对数据分别与对比表格中的6个比对参数进行比对，求出芯片的等级。
113.获取测试数据时，需要将预定范围内的不同波长以不同入射角度入射到各个通道中，具体的，将同一波长以不同入射角度入射到通道中会得到多个不同的插损值，在多个不同的插损值中求出各个通道的最大插损值、最小插损值以及将多个插损值取平均数求平均插损值。
114.具体的，请参阅表格2，以某个波长入射到一个通道1为例，对测试数据的获取进行举例说明：
115.将起始波长1527nm以不同角度(例如：α
°
、β
°
、θ
°
)入射到通道1中，得出三个角度下的插损值：
‑
45.248db、
‑
58.614db、
‑
40.327db,选取1527nm波长下的最小插损值
‑
40.327db,最大插损值
‑
58.614db以及求三个插损值的平均值得出
‑
48.063db，如此类推，求预定范围内的其他波长入射到通道1中的最小插损值,最大插损值以及平均值，得出通道1在预定范围内的每个波长下的最小插损值，最大插损值以及平均插损值，然后基于每个波长与对应最小插损值的关系，绘制最小插损光谱曲线ch001min，基于每个波长与对应最大插损值的关系，绘制最大插损光谱曲线ch001max，基于每个波长与对应平均插损值的关系，绘制平均插损光谱曲线ch001avg，然后基于不同的光谱曲线，整理求出通道1对应的所有测试数据(如表格3所示)。具体的，其他的通道求多个光谱曲线方法相同，此处不再赘述。
116.[0117][0118][0119]
表格2
[0120]
channelpb ilpdw1db bw3db bwax
1
‑
3.3740.0270.4340.62231.3322
‑
3.3180.0250.4410.62531.0273
‑
3.3690.0240.4410.62631.009......
ꢀꢀꢀꢀꢀ
[0121]
表格3
[0122]
请参阅上述表格1、表格2和表格3，以3个通道为例，选取芯片比对数据如下：
[0123]
将三个通道中的pb il测试数据、pdw测试数据、1db bw测试数据、3db bw测试数据、ax测试数据进行比对，具体的，三个通道中，在pb il测试数据中，由于
‑
3.374数值最小，以
‑
3.374作为pb il比对数据，在pdw测试数据中，由于0.027为最大值，以0.027作为pdw比对数据，在1db bw测试数据中，由于0.441为最小值，以0.441作为1db bw比对数据，在3db bw测试数据中，由于0.622为最小值，以0.622作为3db bw比对数据，在ax测试数据中，由于31.009为最小值，以31.009作为ax比对数据，将最大值pb il＝
‑
3.318减去最小值pb il＝
‑
3.374得出0.056作为il unif比对数据，因此，最终芯片的各比对数据为：pb il＝
‑
3.374、il unif＝0.056、pdw＝0.027、1db bw＝0.441、3db bw＝0.622、ax＝31.009；
[0124]
判断芯片等级的具体过程：
[0125]
将上述得出的芯片各测试数据与对比表(表格3)中的各等级比对参数进行比对，由于
‑
3.374>
‑
4，0.056<1，0.027<0.03，0.441>0.41，0.622>0.61，31.009>28，因此，芯片等级为q(第一等级)。
[0126]
具体的，在求中心波长λ
cwl_tm
、中心波长λ
cwl_te
波长、1db bw测试数据以及3db bw测试数据时，若在对应光谱的峰值插损peak il下降对应高度后，与对应光谱曲线相交的点所对应的波长落在相邻入射波长之间，此时无法直接得知交点对应的波长，无法得出1db bw测试数据、3db bw测试数据以及pdw测试数据，此时需要通过波长
‑
插损方程组求出相交点对应的波长，例如，当相交对应的波长落下1520
‑
1520.005波长之间，此时就需要通过方程组求出对应波长。
[0127]
更具体的，请参阅图6，分别取将第一取值点(λ1、il(1))、第二取值点(λ2、il(2))代入到λ＝ail(n) b，列出波长
‑
插损方程组：
[0128]
例如，在求通道1中的1db bw测试数据时，若交点落在相邻入射波长之间(1527
‑
1527.005之间)，将第一取值点(1527、
‑
48.063)、第二取值点(1527.005、
‑
48.26)代入到λ＝ail(n) b，列出方程组：
[0129]
λ1＝ail(1) b；
[0130]
λ2＝ail(2) b；
[0131]
然后求出第一常数a和第二常数b；
[0132]
在得出第一常数a和第二常数b后将通道1中的平均插损光谱曲ch00navg减去1db bw后得到的插损值il(3)代入到λ3＝ail(3) b中，求出交点对应的波长λ3；
[0133]
如此类推，求出对应的中心波长λ
cwl_tm
、中心波长λ
cwl_te
波长以及3db bw测试数据。
[0134]
本技术另一方面提供了一种plc芯片等级检测系统，用于运行上述的plc芯片等级检测方法，系统包括：
[0135]
光谱曲线获取模块，用于获取各个通道对应的最大插损光谱曲线ch00nmax，最小插损光谱曲线ch00nmin以及平均插损光谱曲线ch00navg；
[0136]
测试数据获取模块，用于获取各通道的pb il测试数据、pdw测试数据、1db bw测试数据、3db bw测试数据以及ax测试数据，其中，pb il测试数据是基于各通道的最大插损光谱曲线ch00nmax获取的，pdw测试数据基于各通道的tm偏振态光谱曲线以及各通道的te偏振态光谱曲线获取的，1db bw测试数据以及3db bw测试数据是基于各通道的平均插损光谱曲ch00navg获取的，ax测试数据是基于各通道的平均插损光谱曲ch00navg获取的；
[0137]
芯片比对数据选取模块，用于在得到的各个通道的测试数据中选取：pb il比对数据、pdw比对数据、1db bw比对数据、3db bw比对数据、ax比对数据il unif比对数据；
[0138]
芯片等级判断模块，用于将选出的所有的芯片比对数据分别与预先设定的等级比对参数：pb il比对参数、pdw比对参数、1db bw比对参数、3db bw比对参数、ax比对参数、il unif比对参数进行对比，获取芯片等级。
[0139]
具体的，光谱曲线获取模块包括：最大插损光谱曲线ch00nmax获取子模块，用于在预定范围内的每个波长依次以预定的不同入射角度入射到各个通道时，将每个波长下得到的的最大插损值进行连线，形成最大插损光谱曲线ch00nmax。
[0140]
具体的，光谱曲线获取模块包括：最小插损光谱曲线ch00nmin获取子模块，用于在预定范围内的每个波长依次以预定的不同入射角度入射到各个通道时，将每个波长下得到的最小插损值进行连线，形成最小插损光谱曲线ch00nmin。
[0141]
具体的，光谱曲线获取模块包括：平均插损光谱曲ch00navg获取子模块，用于在预定范围内的每个波长依次以预定的不同入射角度入射到各个通道时，将每个波长下得到的所有插损值的平均值进行连线，形成平均插损光谱曲ch00navg。
[0142]
具体的，光谱曲线获取模块包括：
[0143]
tm偏振态光谱曲线获取子模块，用于以入射波长的中间波长为中心点，连接最小插损光谱曲线ch00nmin的前半段以及最大插损光谱曲线ch00nmax的后半段形成tm偏振态光谱曲线；
[0144]
te偏振态光谱曲线获取子模块，用于以入射波长的中间波长为中心点，连接最大插损光谱曲线ch00nmax前半段以及最小插损光谱曲线ch00nmin的后半段，形成te偏振态光谱曲线。
[0145]
具体的，测试数据获取模块包括：pb il测试数据获取子模块，用于在最大插损光谱曲线ch00nmax获取子模块获取到最大插损光谱曲线ch00nmax后，在各个通道的最大插损光谱曲线choonmax中，在itu passband范围内，选取最大插损值作为各个通道的pb il测试数据。
[0146]
具体的，测试数据获取模块包括：pdw测试数据获取子模块，用于在tm偏振态光谱曲线获取子模块以及te偏振态光谱曲线获取子模块获取到tm偏振态光谱曲线以及te偏振态光谱曲线后，分别求各通道的tm偏振态光谱曲线的中心波长λ
cwl_tm
以及各通道的te偏振态光谱曲线的中心波长λ
cwl_te
,将同一通道内的中心波长λ
cwl_tm
与中心波长λ
cwl_te
,作差，求出各个通道的pdw测试数据。
[0147]
具体的，测试数据获取模块包括：
[0148]
1db bw测试数据获取子模块，用于在平均插损光谱曲ch00navg获取子模块获取获取到平均插损光谱曲ch00navg后，在各个通道的平均插损光谱曲ch00navg中，以峰值波长下降1db后与对应通道的平均插损光谱曲ch00navg相交的两点对应的两波长作差，求出各
个通道的1db bw测试数据；
[0149]
3db bw测试数据获取子模块，用于在平均插损光谱曲ch00navg获取子模块获取获取到平均插损光谱曲ch00navg后，在各个通道的平均插损光谱曲ch00navg中，以峰值波长下降3db后与对应通道的平均插损光谱曲ch00navg相交的两点对应的两波长作差，求出各个通道的3db bw测试数据。
[0150]
具体的，测试数据获取模块包括：ax测试数据获取子模块，用于在平均插损光谱曲ch00navg获取子模块获取获取到平均插损光谱曲ch00navg后，在各个通道的平均插损光谱曲ch00navg中，以当前通道的平均插损光谱曲ch00navg落入到相邻通道itu passband范围内对应的最小插损，与当前通道在自身itu passband范围内对应的最大插损作差，求出各个通道的ax测试数据。
[0151]
具体的，还包括：波长计算模块，用于在求中心波长λ
cwl_tm
、中心波长λ
cwl_te
波长、1db bw测试数据以及3db bw测试数据时，若对应光谱的峰值插损peak il下降相应高度后与对应光谱曲线相交的点所对应的波长落在入射波长的相邻两波长之间的间隔区间时，取过对应光谱曲线上的两取值点求波长
‑
插损关系式：λ＝ail(n) b，并且将交点对应的插损值代入到波长
‑
插损关系式中求出交点对应的波长。
[0152]
具体的，芯片比对数据选取模块包括：
[0153]
pb il比对数据选取子模块，用于在各个通道的pdw测试数据中，选取数值最大的pdw测试数据作为pdw比对数据；
[0154]
1db bw比对数据选取子模块，用于在各个通道的1db bw测试数据中，选取数值最小的1db bw测试数据作为1db bw比对数据；
[0155]
3db bw比对数据选取子模块，用于在各个通道的3db bw测试数据中，选取数值最小的3db bw测试数据作为3db bw比对数据；
[0156]
ax比对数据选取子模块，用于在各个通道的ax测试数据中，选取数值最小的ax测试数据作为ax比对数据；
[0157]
il unif比对数据选取子模块，用于在各通道的pb il测试数据中，将最大pb il测试数据与最小pb il测试数据作差，求出il unif比对数据。
[0158]
本技术又一方面提供了一种plc芯片等级检测设备，包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，计算机程序被处理器执行以实现plc芯片等级检测方法的步骤。
[0159]
本技术再一方面一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有plc芯片等级检测程序，plc芯片等级检测程序被处理器执行以实现plc芯片等级检测方法的步骤。
[0160]
应当理解的是，本发明的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本发明的原理，而不构成对本发明的限制。因此，在不偏离本发明的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。此外，本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。