半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底，其具有彼此相反侧的第1主面和第2主面；以及igbt、二极管以及阱区域，它们设置于所述半导体衬底，所述igbt具有在所述半导体衬底的所述第1主面设置的沟槽栅极，所述二极管具有在所述半导体衬底的所述第1主面设置的p型阳极层，所述阱区域设置于所述半导体衬底的所述第1主面，具有比所述p型阳极层浓度高、比所述沟槽栅极深度深的p型阱层，所述沟槽栅极的末端设置于所述阱区域，被所述p型阱层包围，所述二极管设置于比所述igbt更靠所述半导体衬底的外侧处，所述阱区域设置于比所述二极管更靠所述半导体衬底的外侧处。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述二极管与所述阱区域接触。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述阱区域具有在所述半导体衬底的所述第2主面设置的p型层。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述二极管，在所述沟槽栅极的侧旁设置有n型发射极层。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述二极管具有在所述半导体衬底的所述第2主面设置的n型阴极层，所述第2主面侧的所述n型阴极层与所述p型层的边界配置于比所述第1主面侧的所述p型阳极层与所述p型阱层的边界更靠所述半导体衬底的中心侧处。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述二极管的所述p型阳极层和所述阱区域的所述p型阱层的下方设置有寿命控制层。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体衬底由宽带隙半导体形成。

技术总结
IGBT(2)、二极管(3)以及阱区域(4)设置于半导体衬底(1)。IGBT(2)具有在半导体衬底(1)的第1主面设置的沟槽栅极(6)。二极管(3)具有在半导体衬底(1)的第1主面设置的p型阳极层(19)。阱区域(4)设置于半导体衬底(1)的第1主面，具有比p型阳极层(19)浓度高、比沟槽栅极(6)深度深的p型阱层(21)。沟槽栅极(6)的末端设置于阱区域(4)，被p型阱层(21)包围。二极管(3)设置于比IGBT(2)更靠半导体衬底(1)的外侧处。阱区域(4)设置于比二极管(3)更靠半导体衬底(1)的外侧处。底(1)的外侧处。底(1)的外侧处。


技术研发人员：木村光太
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：2019.04.01
技术公布日：2021/11/8