一种用于LED芯片行业wafer电性数据复原的方法与流程

一种用于led芯片行业wafer电性数据复原的方法
技术领域
1.本发明涉及芯片分选数据恢复技术领域，具体的涉及一种用于led芯片行业wafer电性数据复原的方法。


背景技术：

2.在led芯片制造行业中，需要将芯片wafer上的晶粒按照测试出来的电性参数利用分选机进行分类，在分类的过程中，由于人为导致的实物与实际数据不符异常时有发生，需要对芯片wafer进行电性参数重新测试和再重新分选；另外，更有类似uvc等特殊芯片，用于紫外消毒杀菌的芯片，该产品的测试方式与正常的led照明、背光芯片不同，uvc芯片的波长及亮度需要在切割之前镂空状态下测试，因此在切割之后倒在蓝膜上后无法再进行测试；因此此类产品若在分选工序中出现实物起始点与数据的坐标位置不一致，即设点错误，此类产品将无法恢复其原始电性，导致产品不能正常提供后续客户端使用；并对产能、外观、周期造成严重影响，甚至产生异常品报废的现象，而造成浪费。


技术实现要素：

3.1.要解决的技术问题
4.本发明的目的在于提供一种用于led芯片行业wafer电性数据复原的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
5.2.技术方案
6.为解决上述问题，本发明采取如下技术方案：
7.一种用于led芯片行业wafer电性数据复原的方法，包括以下步骤：
8.步骤一：设点，即将实物芯片及对应的坐标转移到方片资料上，方片资料上原始芯片的坐标为(x1，y1)；
9.步骤二：得分选数据，即通过检测并得到分选数据，芯片的坐标为(x2，y2)；
10.步骤三：对比，即将步骤二中得到的分选数据与原始芯片数据进行比对，然后得到数据异常的芯片；
11.步骤四：测差值，即将异常芯片现所在的坐标位置与该异常芯原始坐标位置进行对比，并得到错位的差值，差值m1＝x2
‑
x1，m2＝y2
‑
y1；
12.步骤五：恢复异常数据，即当x轴出现错位，y轴没有错位时，需将方片资料上x轴上的原始芯片数据替换成x2
‑
m1的数据，当y轴出现错位，x轴没有错位时，需将方片资料上y轴上的原始芯片数据替换成y2
‑
m2的数据，当x轴、y轴均出现错位时，需将方片资料上x轴上的原始芯片数据替换成x2
‑
m1的数据，并需将方片资料上y轴上的原始芯片数据替换成y2
‑
m2的数据；
13.步骤六：重转档，利用重转挡程式进行重转挡。
14.步骤七：将修改后的光电性数据重新套bin转档、分选，完成异常片的返工复原。
15.2.根据权利要求1所述的一种用于led芯片行业wafer电性数据复原的方法，其特
征在于，步骤六中重转档的具体数学算法如下：
16.x＝y
17.y＝max(x)
‑
x m2；
18.x＝x
19.y＝max(x)
‑
x m1。
20.3.有益效果
21.1、本发明通过将异常芯片在方片资料上现所在位置的坐标与该异常芯片本应在方片资料上所在位置的坐标之间进行对比，并计算出异常芯片现坐标值与应在的坐标值的差值，然后将方片资料上x、y轴上原始芯片的数据替换成异常芯片现坐标值加上差值的数据，然后利用重转挡程式进行异常芯片的数据进行重转挡，并将修改后的光电性数据重新套bin转档、分选，完成异常片的返工复原；
22.综上所述可得，本发明是一种在产品出现设错点后，将实物与实际数据恢复的方法；并能有效解决led芯片行业在分选工序中导致的实物与数据不一致的异常，确保能够将实物对应的数据重新恢复，避免现有部分的产品由于其自身具有的特性，导致设错点后的异常芯片无法恢复其原始电性，并导致产品不能正常提供后续客户端使用，而给产品的产能、外观、周期造成严重影响。
附图说明
23.图1为异常芯片的设点图；
24.图2为异常芯片的分选、更正数据档案图；
25.图3为异常芯片的vf1电性值显示图；
26.图4为更正后异常芯片的vf1电性值显示图。
具体实施方式
27.下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。
28.实施例1
29.如图1
‑
4所示的一种用于led芯片行业wafer电性数据复原的方法，包括以下步骤：
30.步骤一：设点，即将实物芯片及对应的坐标转移到方片资料上，方片资料上原始芯片的坐标为(x1，y1)，x1的区间可以为{0，1，2，3，4...}；y1的区间可以为{0，1，2，3，4...}；
31.步骤二：得分选数据，即通过检测并得到分选数据，芯片的坐标为(x2，y2)，x2的区间可以为{0，1，2，3，4...}；y2的区间可以为{0，1，2，3，4...}；
32.步骤三：对比，即将步骤二中得到的分选数据与原始芯片数据进行比对，然后得到数据异常的芯片；
33.步骤四：测差值，即将异常芯片现所在的坐标位置与该异常芯原始坐标位置进行对比，并得到错位的差值，差值m1＝x2
‑
x1，m2＝y2
‑
y1；例如：当异常芯片先所在的坐标位置为(108,36)，该异常芯原始坐标位置应为(108,35)，m2＝y2
‑
y1＝1＝36
‑
35，如图1、2所示；
34.步骤五：恢复异常数据，需将方片资料上y轴上的原始芯片数据替换成y2
‑
1的数据；
35.步骤六：重转档，利用重转挡程式进行重转挡，转档原理：通过数学公式编写重转
档程式，将该bin按照bin资料将每一颗晶粒的坐标进行格式转换，具体数学算法如下：
36.x＝y
37.y＝max(x)
‑
x 1；
38.步骤七：将修改后的光电性数据重新套bin转档、分选，完成异常片的返工复原；更改数据后的实际效果如图3、4所示，再按照其实际电性值重新按照bin表条件套bin分选。
39.实施例2
40.实施例2与实施例1的不同之处在于：步骤四中异常芯片先所在的坐标位置为(100,42)，该异常芯原始坐标位置应为(102,42)，即x1为100，y1为42，x2为102，y2为42，m1＝x2
‑
x1＝2＝102
‑
100；
41.步骤五：恢复异常数据，需将方片资料上x轴上的原始芯片数据替换成x2
‑
2的数据；
42.步骤六：重转档，利用重转挡程式进行重转挡，转档原理：通过数学公式编写重转档程式，将该bin按照bin资料将每一颗晶粒的坐标进行格式转换，具体数学算法如下：
43.x＝x
44.y＝max(x)
‑
x 2；
45.步骤七：将修改后的光电性数据重新套bin转档、分选，完成异常片的返工复原；
46.其他与实施例1相同。
47.实施例3
48.实施例3与实施例1的不同之处在于：步骤四中异常芯片先所在的坐标位置为(105,51)，该异常芯原始坐标位置应为(102,49)，即x1为105，y1为51，x2为102，y2为49，m1＝x2
‑
x1＝3＝105
‑
102，m2＝y2
‑
y1＝2＝51
‑
49；
49.步骤五：恢复异常数据，需将方片资料上x轴上的原始芯片数据替换成x2
‑
3的数据，同时需将方片资料上y轴上的原始芯片数据替换成y2
‑
2的数据；
50.步骤六：重转档，利用重转挡程式进行重转挡，转档原理：通过数学公式编写重转档程式，将该bin按照bin资料将每一颗晶粒的坐标进行格式转换，具体数学算法如下：
51.x＝x
52.y＝max(x)
‑
x 3
53.x＝y
54.y＝max(x)
‑
x 2；
55.步骤七：将修改后的光电性数据重新套bin转档、分选，完成异常片的返工复原；
56.其他与实施例1相同。
57.本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本发明的权利要求范围内。