太阳能电池片、太阳能电池片的制造方法及光伏组件与流程

技术特征：
1.一种太阳能电池片，其特征在于，包括：初始太阳能电池片，所述初始太阳能电池片包括中间区域以及环绕所述中间区域的边缘区域，所述初始太阳能电池片包括依次堆叠的衬底、发射极层和钝化层；减反射膜，所述减反射膜位于所述钝化层的表面，在垂直于所述钝化层表面的方向上，位于所述中间区域的所述减反射膜的厚度小于位于所述边缘区域的所述减反射膜的厚度；在垂直于所述钝化层表面的方向上，位于所述中间区域的所述初始太阳能电池片和所述减反射膜的厚度和小于等于位于所述边缘区域的所述初始太阳能电池片和所述减反射膜的厚度和。2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述减反射膜包括依次堆叠的第一减反射膜和第二减反射膜，位于所述中间区域的所述第一减反射膜的厚度与位于所述边缘区域的所述第一减反射膜的厚度相同。3.根据权利要求2所述的太阳能电池片，其特征在于，所述第二减反射膜位于所述边缘区域的所述第一减反射膜表面。4.根据权利要求2所述的太阳能电池片，其特征在于，所述第二减反射膜位于整个所述第一减反射膜表面，在垂直于所述钝化层表面的方向上，位于所述边缘区域的所述第二减反射膜的厚度大于位于所述中间区域的所述第二减反射膜的厚度。5.根据权利要求2所述的太阳能电池片，其特征在于，所述第一减反射膜的材料和所述第二减反射膜的材料相同。6.根据权利要求2所述的太阳能电池片，其特征在于，在垂直于所述钝化层表面的方向上，位于所述边缘区域的所述第二减反射膜的厚度为3微米～10微米。7.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，在垂直于所述钝化层表面的方向上，位于所述中间区域的所述初始太阳能电池片的厚度大于位于所述边缘区域的所述初始太阳能电池片的厚度。8.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，在垂直于所述初始太阳能电池片侧壁的方向上，所述边缘区域的宽度为1毫米～4毫米。9.一种太阳能电池片的制造方法，其特征在于，包括：形成初始太阳能电池片，所述初始太阳能电池片包括中间区域以及环绕所述中间区域的边缘区域，所述初始太阳能电池片包括依次堆叠的衬底、发射极层和钝化层；进行成膜处理，在所述钝化层表面形成减反射膜，在垂直于所述钝化层表面的方向上，位于所述中间区域的所述减反射膜的厚度小于位于所述边缘区域的所述减反射膜的厚度；在垂直于所述钝化层表面的方向上，位于所述中间区域的所述初始太阳能电池片和所述减反射膜的厚度和小于等于位于所述边缘区域的所述初始太阳能电池片和所述减反射膜的厚度和。10.根据权利要求9所述的太阳能电池片的制造方法，其特征在于，所述成膜处理包括第一成膜处理和第二成膜处理：在所述第一成膜处理阶段，在所述钝化层表面形成第一减反射膜；在所述第二成膜处理阶段，在所述第一减反射膜表面形成第二减反射膜，所述第二减反射膜和所述第一减反射膜构成所述减反射膜。11.根据权利要求10所述的太阳能电池片的制造方法，其特征在于，形成所述第二减反射膜的方法包括：在位于所述边缘区域的所述第一减反射膜表面形成所述第二减反射膜。
12.根据权利要求10所述的太阳能电池片的制造方法，其特征在于，形成所述第二减反射膜的方法包括：在整个所述第一减反射膜表面形成初始第二减反射膜；去除位于所述中间区域的所述初始第二减反射膜，剩余的位于所述边缘区域的所述初始第二减反射膜作为所述第二减反射膜。13.根据权利要求10所述的太阳能电池片的制造方法，其特征在于，形成所述第二减反射膜的方法包括：在整个所述第一减反射膜表面形成所述第二减反射膜，在垂直于所述钝化层表面的方向上，位于所述边缘区域的所述第二减反射膜的厚度大于位于所述中间区域的所述第二减反射膜的厚度。14.根据权利要求9所述的太阳能电池片的制造方法，其特征在于，在形成所述衬底和所述发射极层之后，进行去边处理，去除位于所述边缘区域的部分所述发射极层；在垂直于所述钝化层表面的方向上，形成的所述初始太阳能电池片所述中间区域的厚度大于所述边缘区域的厚度。15.一种光伏组件，其特征在于，包括：多个如权利要求1
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8任一项所述的太阳能电池片；盖板，所述盖板位于所述太阳能电池片的相对两侧；胶膜层，所述胶膜层位于所述太阳能电池片和所述盖板之间。

技术总结
本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池片、太阳能电池片的制造方法及光伏组件，太阳能电池片包括：初始太阳能电池片，所述初始太阳能电池片包括中间区域以及环绕所述中间区域的边缘区域，所述初始太阳能电池片包括依次堆叠的衬底、发射极层和钝化层；减反射膜，所述减反射膜位于所述钝化层的表面，在垂直于所述钝化层表面的方向上，位于所述中间区域的所述减反射膜的厚度小于位于所述边缘区域的所述减反射膜的厚度；在垂直于所述钝化层表面的方向上，位于所述中间区域的所述初始太阳能电池片和所述减反射膜的厚度和小于等于位于所述边缘区域的所述初始太阳能电池片和所述减反射膜的厚度和，至少可以提高太阳能电池片的性能。池片的性能。池片的性能。


技术研发人员：李婷婷 陶武松 戚培东 李辉
受保护的技术使用者：晶科能源股份有限公司
技术研发日：2021.07.30
技术公布日：2021/11/4