液晶聚合物用蚀刻液及液晶聚合物的蚀刻方法与流程

技术特征：
1.一种液晶聚合物用蚀刻液，其特征在于，该蚀刻液含有作为第1成分的5质量％～45质量％的碱金属氢氧化物和作为第2成分的5质量％～80质量％的分子量为70以上的烷醇胺化合物。2.根据权利要求1所述的液晶聚合物用蚀刻液，其特征在于，所述液晶聚合物用蚀刻液还含有1质量％～60质量％的第3成分，第3成分含有选自醇化合物和羧酸化合物中的至少1种。3.根据权利要求2所述的液晶聚合物用蚀刻液，其中，第3成分含有选自多元醇化合物、多元羧酸化合物和羟基酸化合物中的至少1种。4.根据权利要求2或3所述的蚀刻液，其中，第3成分含有多元醇化合物。5.根据权利要求3或4所述的蚀刻液，其中，所述多元醇化合物的分子量为80以上且200以下。6.根据权利要求3～5中任一项所述的蚀刻液，其中，所述多元醇化合物具有3个以上羟基。7.根据权利要求3～6中任一项所述的蚀刻液，其中，所述多元醇化合物含有甘油。8.根据权利要求2～7中任一项所述的蚀刻液，其中，第3成分含有多元羧酸化合物。9.根据权利要求2～8中任一项所述的蚀刻液，其中，第3成分含有羟基酸化合物。10.一种液晶聚合物的蚀刻方法，其特征在于，具有使用权利要求1～9中任一项所述的蚀刻液对液晶聚合物进行蚀刻处理的蚀刻工序。11.根据权利要求10所述的液晶聚合物的蚀刻方法，其中，所述蚀刻方法在蚀刻工序前还包括使含有50质量％～100质量％的烷醇胺化合物的预处理液与液晶聚合物接触的预处理工序。12.根据权利要求11所述的液晶聚合物的蚀刻方法，其中，预处理液的温度为50℃以上。13.根据权利要求10～12中任一项所述的液晶聚合物的蚀刻方法，其中，所述蚀刻方法在蚀刻工序后还包括使用水洗液的水洗工序。14.根据权利要求13所述的液晶聚合物的蚀刻方法，其中，水洗工序依次包括利用第一水洗液的第一水洗工序和利用第二水洗液的第二水洗工序，且蚀刻液的温度
‑
第一水洗液的温度小于25℃，第一水洗液的温度
‑
第二水洗液的温度小于25℃。15.根据权利要求13或14所述的液晶聚合物的蚀刻方法，其中，将水洗液补充到蚀刻液中。

技术总结
本发明的课题在于提供蚀刻后的液晶聚合物的形状与设计形状接近且能够以高的面内均匀性进行蚀刻的液晶聚合物用蚀刻液和液晶聚合物的蚀刻方法。液晶聚合物用蚀刻液和使用该蚀刻液的液晶聚合物的蚀刻方法的特征在于，该蚀刻液含有作为第1成分的5～45质量％的碱金属氢氧化物和作为第2成分的5～80质量％的分子量为70以上的烷醇胺化合物，优选进一步含有1～60质量％的第3成分，第3成分含有选自醇化合物和羧酸化合物中的至少1种。合物和羧酸化合物中的至少1种。


技术研发人员：宫崎隆 后闲宽彦 田边昌大 丰田裕二
受保护的技术使用者：三菱制纸株式会社
技术研发日：2020.03.25
技术公布日：2021/11/4