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一种基于噪声抵消的有源混频器的制作方法

2021-11-03 20:36:00 来源:中国专利 TAG:


1.本发明属于混频器,具体涉及一种基于噪声抵消的有源混频器。


背景技术:

2.近年来,随着无线通讯系统和相关技术的快速发展,性能优异的射频接收机需求量越来越大。
3.传统的射频接收机包括低噪声放大器、混频器、滤波器和可变增益放大器等关键电路。其中,低噪声放大器负责将接收到的弱信号进行放大,并在放大的同时尽可能小的引入噪声;混频器负责完成接收机的核心功能,即将接收的高频信号下变频成低频信号。这种架构在噪声、线性度以及功耗等方面有着较好的折中,但是,不能满足某些高线性度要求的应用需求。
4.为了提高线性度,研究人员考虑将lna移除,使混频器直接对接天线,可以有效提高接收机的线性度。但是,这种架构的噪声性能又较差。


技术实现要素:

5.本发明为解决移除lna使混频器直接对接天线,虽然能够有效提高接收机线性度,但噪声性能较差的技术问题,提供一种基于噪声抵消的有源混频器。
6.为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
7.一种基于噪声抵消的有源混频器,其特殊之处在于,包括包括晶体管m1、晶体管m2、晶体管m3、晶体管m4、晶体管m5、晶体管m6、电阻r1、电阻r2和变压器t1;
8.所述晶体管m1和所述晶体管m2的栅端均连接偏置电压,晶体管m1的漏端连接晶体管m3和晶体管m4的源端,晶体管m2的漏端连接晶体管m5和晶体管m6的源端,晶体管m1和晶体管m2的源端分别连接变压器t1的两个输入端口,变压器t1的第三端接地;
9.所述晶体管m3的栅端和所述晶体管m6的栅端均连接本振信号lop,所述晶体管m4的栅端和所述晶体管m5的栅端均连接本振信号lon,所述本振信号lop与所述本振信号lon为一对差分本振信号;
10.所述晶体管m3的漏端和所述晶体管m5的漏端相连后与电阻r1相连,所述晶体管m4的漏端和所述晶体管m6的漏端相连后与电阻r2相连,电阻r1和电阻r2的另一端均连接电源;
11.所述变压器t1的两个输入端口为异名端,变压器t1的初级线圈与次级线圈关于中心对称。
12.进一步地,所述晶体管m1在混频器差分输出端的噪声电流i
n,m1
为:
[0013][0014]
其中,i1为晶体管m1的噪声在晶体管m1支路上产生的噪声电流,i2为晶体管m1的噪
声在晶体管m2支路上产生的噪声电流,r
on
为开关管的导通电阻,r
s
为信号源阻抗r
s

[0015]
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
[0016]
1.本发明基于噪声抵消的有源混频器,由除变压器t1外的其他部件作为主体构建,可以实现下变频的功能,变压器t1负责控制噪声电流的流向,从而达到噪声抵消的目的。通过引入变压器对mos管的噪声电流路径进行规划,从而实现了有用信号相位相反,噪声信号相位相同的目的,进而可以通过差分相减的方法抵消噪声。使得本发明的有源混频器能够应用于线性度要求高的接收机中,噪声低、线性度高且功耗低。
[0017]
2.本发明基于噪声抵消的有源混频器中,晶体管m1和晶体管m2作为跨导管,能够将输入的射频电压信号转化为电流信号,并送至开关管中,晶体管m3、晶体管m4、晶体管m5和晶体管m6作为开关管,在本振信号的驱动下实现周期信号的开与关,从而实现了变频的功能。电阻r1和电阻r2作为负载电阻,将电流信号转化为输出电压信号。
附图说明
[0018]
图1为本发明基于噪声抵消的有源混频器实施例的示意图;
[0019]
图2为本发明图1中变压器t1的实现原理示意图;
[0020]
图3为本发明图1中晶体管m1的噪声电流分析电路图;
[0021]
图4为本发明图3的电路简化图。
具体实施方式
[0022]
下面将结合本发明的实施例和附图,对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例并非对本发明的限制。
[0023]
如图1所示,本发明提供了一种基于噪声抵消的有源混频器,相对于传统的混频器结构,为了改善移除低噪声放大器后带来的噪声恶化问题,本发明采用lna噪声抵消的思路,将mos的噪声通过某个回路产生一个同相的相关噪声,从而可以实现噪声的抵消。变压器t1的两个输入端口是异名端,并分别与晶体管m1的源端和晶体管m2的源端相连。变压器t1拓扑结构呈现初级线圈与次级线圈关于中心对称,可以实现变压器t1的两个端口电流流向一致,便于实现噪声抵消。通过引入变压器t1对mos管的噪声电流的路径进行规划,从而实现了有用信号相位相反,噪声信号相位相同的目的,进而可以通过差分相减的方法抵消噪声。使得本发明的混频器具有低噪声、高线性度、低功耗的优势,能够适用于线性度要求高的应用。
[0024]
射频输入信号rfp和rfn分别连接晶体管m1的源端和晶体管m2的源端,晶体管m1的栅端和晶体管m2的栅端连接偏置电压vb,晶体管m1的漏端连接晶体管m3的源端和晶体管m4的源端,晶体管m2的漏端连接晶体管m5的源端和晶体管m6的源端,晶体管m3的栅端和晶体管m6的栅端连接本振信号lop,晶体管m4的栅端和晶体管m5的栅端连接本振信号lon,其中lop和lon是一对差分本振信号,晶体管m3的漏端和晶体管m5的漏端相连后与电阻r1相连,晶体管m4的漏端和晶体管m6的漏端相连后与电阻r2相连,电阻r1和电阻r2的另一端连接电源。晶体管m1的源端和晶体管m2的源端分别连接变压器t1的两个输入端口,变压器的第三端连接到地。
[0025]
除变压器t1外的其他元器件作为主体构建,可以实现下变频的功能。晶体管m1和
晶体管m2作为跨导管,将输入的射频电压信号转化为电流信号,并送至开关管中。晶体管m3、晶体管m4、晶体管m5和晶体管m6作为开关管,在本振信号的驱动下实现周期性的开与关,从而实现了变频的功能。电阻r1和电阻r2作为负载电阻,将电流信号转化为输出电压信号,变压器t1能够控制噪声电流的流向,从而达到噪声抵消的目的。
[0026]
以作为跨导管的晶体管m1为例,其具体原理是晶体管m1产生一股从漏端流向源端的噪声电流i
n
,该电流流经变压器t1时,由于法拉第定律,在晶体管m2的源端产生了一股与其同相的相关噪声i
n,introduced
。同时,输入信号rf 和rf

是反向信号,可以在后级电路中通过一个减操作,消除或是降低噪声,而有用信号则是幅度叠加,从而起到了消除噪声的效果。
[0027]
如图2是本发明变压器t1的具体实现方式,从图2中可以看到晶体管m1产生的噪声电流i
n
从变压器t1的p端流入,由法拉第定律可以得知该电流产生垂直纸面向外的磁力线,该磁力线再由法拉第定律在次级线圈产生了顺时针的感应电流i
n_introduced
。从图中可以看到,i
n
和i
n_introduced
是同相的噪声电流,与此同时,这两股噪声电流是相关噪声,是可以通过相减消除的。
[0028]
以混频器中作为跨导管的晶体管m1为例进行噪声分析,混频器和前端高q值变压器t1组成的电路如图3所示。晶体管m1的噪声电流以一个并联到mos管源漏两端的电流源模拟,该电流流经变压器t1的初级线圈,并耦合到次级线圈形成感应电流,进而在晶体管m2支路上形成与晶体管m1支路同相的噪声电流。
[0029]
如图4是图3相应的电路简化图,晶体管m1的噪声最终在晶体管m1支路和晶体管m2支路上产生的噪声电流分别是i1和i2。通过计算可得到
[0030][0031]
由晶体管m1在混频器的差分输出端贡献的噪声电流为
[0032][0033]
从式(2)可以看出,晶体管m1的噪声贡献被一定程度抵消,抵消的比例由信号源阻抗r
s
与开关管的导通电阻r
on
的相对大小决定。
[0034]
以上所述仅为本发明的实施例,并非对本发明保护范围的限制,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均包括在本发明的专利保护范围内。
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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