负极极片、电化学装置和电子装置的制作方法

技术特征：
1.一种负极极片，包括：集流体；活性材料层，位于所述集流体上，其中，所述活性材料层包括硅基材料和碳材料；保护层，所述保护层包括m元素，其中，所述活性材料层设置在所述集流体和所述保护层之间，当在一个或多个任意位置处将所述保护层划分为两层或更多层时，远离所述集流体的层的m元素的质量含量大于靠近所述集流体的层的m元素的质量含量，m元素包括al、ti、mg、ru、zr、hf、nb、ca、zn或ce中的至少一种。2.根据权利要求1所述的负极极片，其中，所述保护层中的m元素的含量随着远离所述集流体而逐渐增大。3.根据权利要求1所述的负极极片，其中，所述保护层包括第一材料，所述第一材料包括al2o3、tio2、mgo、ruo2、alf3、caf2、mgf2、znf2或ceo2中的至少一种。4.根据权利要求1所述的负极极片，其中，所述保护层的厚度为0.1nm至10nm。5.根据权利要求3所述的负极极片，其中，在单位面积内，所述第一材料的质量与所述活性材料层的质量的比小于5％。6.根据权利要求3所述的负极极片，其中，在单位面积内，所述第一材料的质量与所述活性材料层的质量的比小于2％。7.根据权利要求1所述的负极极片，其中，所述负极极片的孔隙率为15％至25％。8.根据权利要求1所述的负极极片，其中，所述负极极片满足以下条件中的至少一个：所述活性材料层中的所述硅基材料的质量百分比为5％至60％；所述硅基材料包括硅氧材料、硅碳材料或硅合金中的至少一种；所述碳材料包括石墨。9.根据权利要求1所述的负极极片，还包括锂金属层，所述锂金属层设置在所述保护层的远离所述活性材料层的一侧。10.一种电化学装置，包括：正极极片；负极极片；隔离膜，设置于所述正极极片和所述负极极片之间；其中，所述负极极片为根据权利要求1至9中任一项所述的负极极片。11.一种电子装置，其包括根据权利要求10所述的电化学装置。

技术总结
本申请提供了负极极片、电化学装置和电子装置。负极极片包括：集流体；活性材料层，位于集流体上，其中，活性材料层包括硅基材料和碳材料；保护层，包括M元素，其中，活性材料层设置在集流体和保护层之间，当在一个或多个任意位置处将保护层划分为两层或更多层时，远离集流体的层的M元素的质量含量大于靠近集流体的层的M元素的质量含量，M元素包括Al、Ti、Mg、Ru、Zr、Hf、Nb、Ca、Zn或Ce中的至少一种。本申请的电化学装置能够在基本不影响体积能量密度的情况下，提升电化学装置的安全性能。通过设置保护层，可以减少或避免活性材料层中的活性材料的副反应。的副反应。的副反应。


技术研发人员：姜道义 陈志焕
受保护的技术使用者：宁德新能源科技有限公司
技术研发日：2020.12.28
技术公布日：2021/11/2