一种HPLC运维芯片充电电路的制作方法

一种hplc运维芯片充电电路
技术领域
1.本实用新型涉及充电电路技术领域，具体为一种hplc运维芯片充电电路。


背景技术：


技术实现要素：

2.本实用新型的目的在于提供一种hplc运维芯片充电电路，以解决上述背景技术中提出的问题。
3.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种hplc运维芯片充电电路,包括控制单元、充电单元和过欠载保护单元，所述充电单元和过欠载保护单元均连接控制单元。
4.优选的，所述充电单元包括降压芯片，所述降压芯片en端分别连接电容c一端和in端，gnd端接地，所述降压芯片bst端连接电容d一端，所述降压芯片sw端分别连接电容d另一端和二极管d负极，所述二极管d正极接地。
5.优选的，还包括变压器，所述变压器一端连接二极管d负极，所述变压器另一端分别连接电容e一端、电阻f一端，所述电阻f另一端分别连接电阻g一端和降压芯片fb端，所述电阻g另一端分别连接电容e另一端、二极管d正极并接地。
6.优选的，所述过欠载保护单元包括开关、三极管、场效应晶体管、双向触发二极管和双向可控硅管，所述三极管基极分别连接二极管b负极和电阻d一端，集电极分别连接场效应晶体管栅极和电阻b一端，所述三极管发射极分别连接场效应晶体管源极和电阻d另一端，所述场效应晶体管漏极分别连接二极管c负极和电容b一端，所述电容b另一端分别连接双向触发二极管一端和电阻e一端，所述电阻e另一端连接双向可控硅管一端，所述双向可控硅管另一端分别连接双向触发二极管另一端和三极管发射极，所述二极管c正极分别连接电阻a一端和二极管b正极，所述电阻a另一端连接开关一端，所述开关另一端连接二极管a正极，所述二极管a负极串联连接电阻b、电容a，所述电容a两端并联电阻c。
7.优选的，所述控制单元采用stm32单片机。
8.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型工作原理简单，能够实现对hplc运维芯片的快速充电，同时能够防止外部充电器因断电后开启时瞬间高电流而烧坏hplc运维芯片，避免了能源的浪费以及安全事故的发生。
附图说明
9.图1为本实用新型控制原理框图；
10.图2为本实用新型充电单元电路图；
11.图3为本实用新型过欠载保护单元电路图。
具体实施方式
12.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
13.在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
14.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
15.请参阅图1
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3，本实用新型提供一种技术方案：一种hplc运维芯片充电电路,包括控制单元1、充电单元2和过欠载保护单元3，所述充电单元2和过欠载保护单元3均连接控制单元1,控制单元采用stm32单片机。
16.本实用新型中，充电单元2包括降压芯片4，所述降压芯片4en端分别连接电容c3c一端和in端，gnd端接地，所述降压芯片4bst端连接电容d4c一端，所述降压芯片4sw端分别连接电容d4c另一端和二极管d4b负极，所述二极管d4b正极接地；还包括变压器5，所述变压器5一端连接二极管d4b负极，所述变压器5另一端分别连接电容e5c一端、电阻f6a一端，所述电阻f6a另一端分别连接电阻g7a一端和降压芯片4fb端，所述电阻g7a另一端分别连接电容e5c另一端、二极管d4c正极并接地。
17.本实用新型中，过欠载保护单元3包括开关6、三极管7、场效应晶体管8、双向触发二极管9和双向可控硅管10，三极管7基极分别连接二极管b 2b负极和电阻d 4a一端，集电极分别连接场效应晶体管8栅极和电阻b 2a一端，三极管7发射极分别连接场效应晶体管8源极和电阻d 4a另一端，场效应晶体管8漏极分别连接二极管c 3b负极和电容b 2c一端，电容b 2c另一端分别连接双向触发二极管9一端和电阻e 5a一端，电阻e 5a另一端连接双向可控硅管10一端，双向可控硅10另一端分别连接双向触发二极管9另一端和三极管7发射极，二极管c 3b正极分别连接电阻a 1a一端和二极管b2b正极，电阻a 1a另一端连接开关6一端，开关6另一端连接二极管a 1b正极，二极管a 1b负极串联连接电阻b 2a、电容a 1c，电容a 1c两端并联电阻c 3a；其中，双向触发二极管和双向可控硅管组成的过压、欠压保护电路，当瞬态电压超过或低于两端电压时，双向触发二极管迅速导通并触发双向可控硅管也导通，使后面的负载免受过压、欠压损坏。
18.综上所述，本实用新型工作原理简单，能够实现对hplc运维芯片的快速充电，同时能够防止外部充电器因断电后开启时瞬间高电流而烧坏hplc运维芯片，避免了能源的浪费以及安全事故的发生。
19.对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而
且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。


技术特征：
1.一种hplc运维芯片充电电路,其特征在于：包括控制单元(1)、充电单元(2)和过欠载保护单元(3)，所述充电单元(2)和过欠载保护单元(3)均连接控制单元(1)；所述充电单元(2)包括降压芯片(4)，所述降压芯片(4)en端分别连接电容c(3c)一端和in端，gnd端接地，所述降压芯片(4)bst端连接电容d(4c)一端，所述降压芯片(4)sw端分别连接电容d(4c)另一端和二极管d(4b)负极，所述二极管d(4b)正极接地；还包括变压器(5)，所述变压器(5)一端连接二极管d(4b)负极，所述变压器(5)另一端分别连接电容e(5c)一端、电阻f(6a)一端，所述电阻f(6a)另一端分别连接电阻g(7a)一端和降压芯片(4)fb端，所述电阻g(7a)另一端分别连接电容e(5c)另一端、二极管d(4b)正极并接地；所述过欠载保护单元包括开关(6)、三极管(7)、场效应晶体管(8)、双向触发二极管(9)和双向可控硅管(10)，三极管(7)基极分别连接二极管b(2b)负极和电阻d(4a)一端，集电极分别连接场效应晶体管(8)栅极和电阻b(2a)一端，三极管(7)发射极分别连接场效应晶体管(8)源极和电阻d(4a)另一端，场效应晶体管(8)漏极分别连接二极管c(3b)负极和电容b(2c)一端，电容b(2c)另一端分别连接双向触发二极管(9)一端和电阻e(5a)一端，电阻e(5a)另一端连接双向可控硅管(10)一端，双向可控硅管(10)另一端分别连接双向触发二极管(9)另一端和三极管(7)发射极，二极管c(3b)正极分别连接电阻a(1a)一端和二极管b(2b)正极，电阻a(1a)另一端连接开关(6)一端，开关(6)另一端连接二极管a(1b)正极，二极管a(1b)负极串联连接电阻b(2a)、电容a(1c)，电容a(1c)两端并联电阻c(3a)。2.根据权利要求1所述的一种hplc运维芯片充电电路，其特征在于：所述控制单元采用stm32单片机。

技术总结
本实用新型公开了一种HPLC运维芯片充电电路，包括控制单元、充电单元和过欠载保护单元，充电单元和过欠载保护单元均连接控制单元，本实用新型工作原理简单，能够实现对HPLC运维芯片的快速充电，同时能够防止外部充电器因断电后开启时瞬间高电流而烧坏HPLC运维芯片，避免了能源的浪费以及安全事故的发生。避免了能源的浪费以及安全事故的发生。避免了能源的浪费以及安全事故的发生。


技术研发人员：于飞 袁辰鑫 余宾宛 岳小京 何旭 郑军 王方楠
受保护的技术使用者：于飞
技术研发日：2021.03.25
技术公布日：2021/11/2