一种绿光有机电致发光器件的制作方法

1.本发明涉及半导体技术领域。具体而言，本发明涉及一种发光层主客体搭配的绿光有机电致发光器件。


背景技术：

2.有机电致发光(oled：organic light emitting diodes)器件技术既可以用来制造新型显示产品，也可以用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明，应用前景十分广泛。通常，由数个层构成的有机电致发光器件包括阳极、阴极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层。有机电致发光器件作为电流器件，当对其两端电极施加电压时，通过电场作用使来自阳极的空穴与来自阴极的电子在有机发光层中复合形成激子，激子弛豫到基态放出能量即产生有机电致发光。
3.目前对有机电致发光器件的性能研究包括：降低器件的驱动电压、提高器件的发光效率、提高器件的使用寿命等。为了实现有机电致发光器件的性能的不断提升，不但需要有机电致发光器件的结构和制备工艺的创新，更需要有机电致发光功能材料的不断研究和创新，以制造出具有更高性能的有机电致发光器件。
4.在oled发光器件中，正电荷从阳极注入，负电荷从阴极注入，负电荷和正电荷载流子在器件的发光层复合并形成两种激发态：分子间负电荷-正电荷对(极化子对)和分子内负电荷-正电荷对(激子)。基于自旋统计原理，这些激发态又分为单线态和三线态。单线态激子通过辐射跃迁产生瞬时荧光发光，而三线态激子的辐射复合是自旋禁阻的，不能直接参与发光，但在一定条件下可以相互耦合并产生单线态激子，从而形成滞后的电致发光，即延迟发光，也叫作ttf耦合发光。理论上，ttf荧光器件的内量子效率可达到62.5％，远高于传统荧光25％的内量子效率，这对于提升oled发光器件的效率具有重要作用。
5.基于荧光主客体材料搭配器件，能够产生稳定高效的ttf耦合发光的必要条件包括：
6.1).主体材料和掺杂材料间能量传递符合能量传递传递法则。
7.2).主体材料的单线态激子的能量与两倍的三线态激子的能量相近。
8.3).主客体材料具有的恰当的能级搭配。
9.4).对发光层的正电荷和负电荷的高效注入以及良好的载流子平衡度。
10.因此，针对当前oled器件的产业应用要求以及oled器件的不同功能膜层，器件的光电特性需求，必须选择更适合、性能更高的oled功能材料或材料组合，才能实现器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。对于ttf特征oled发光器件而言，为了追求稳定高效的ttf发光效果，对于主客体材料搭配的物性均有一定要求，同时需要主客体材料具有最佳的组合和搭配形态，还要求发光层具有良好注入和传输以及良好的载流子平衡度。


技术实现要素：

11.为了解决上述问题，本发明的目的是寻找合适的具有ttf效应的主体材料与含硼
的掺杂材料搭配，以获取高效率以及高稳定型的绿光有机电致发光器件。
12.本发明提供一种有机电致发光器件，其由下至上依次包括基板、第一电极、有机功能材料层和第二电极，所述有机功能材料层包括：
13.空穴传输区域，其位于第一电极之上；
14.发光层，其位于空穴传输区域之上，所述发光层包含主体材料和掺杂材料；
15.电子传输区域，其位于发光层之上；
16.以及覆盖层，该覆盖层在所述第二电极之上；
17.其中所述发光层包含下述通式(1)所表示主体材料，以及通式(2)所表示的掺杂材料；
18.其中所述主体材料为具有通式(1)的蒽系化合物，
[0019][0020]
z、z1和z2每次出现分别独立的表示为n或者c-r，可以相同或者不同，r独立地表示为氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氰基、取代或未取代的c
1-c
20
的烷基、取代或未取代的c
3-c
20
的环烷基、氨基、取代或未取代的c
1-c
20
的烷氧基、取代或未取代的c
6-c
30
的芳香基、或者取代或未取代的c
3-c
30
的杂芳基；
[0021]
所述掺杂材料选自通式(2)中的一种：
[0022][0023]
其中，
[0024]
通式(2)中，w1、w2、w3各自独立的表示为氮原子或硼原子，且w1、w2、w3中有且仅有一个表示为氮原子；
[0025]
a、b、c、d、e各自独立的表示为0或1，且a b c d e≥1；
[0026]
x1、x2、x3、x4、x5独立的表示为单键、硫原子、氧原子、n(r6)、b(r7)、c(r8)(r9)或si(r
10
)(r
11
)；其中r8与r9、r
10
与r
11
可相互连接成环；
[0027]
x1、x2、x3、x4、x5中至少有一个不表示为单键；
[0028]
α、β、γ、η、θ各自独立的表示为1、2或3；
[0029]
y1至y
21
各自独立的表示为碳原子、氮原子或c-r；
[0030]
所述r表示为氢原子、氕、氘、氚、氰基、卤素原子、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷基取代的硅烷基、取代或未取代的c
6-c
30
的芳基、取代或未取代的c
6-c
30
的杂芳基、c
6-c
30
的芳基或c
3-c
30
杂芳基取代的胺基中的一种；
[0031]
l每次出现分别独立地表示为单键、c
6-c
30
的亚芳基、取代或未取代的c
3-c
30
的亚杂芳基；
[0032]
r1至r5分别独立地代表氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷基取代的硅烷基、取代或未取代的c
6-c
30
的芳基、取代或未取代的c
5-c
30
杂芳基、c
6-c
30
的芳基或c
3-c
30
杂芳基取代的胺基中的一种；r1至r5与通式(1)的连接方式有并环和取代两种方式，通式(1)中的星号表示可连接的位点；
[0033]
所述r
6-r
11
分别独立的表示为c
1-c
20
的烷基、取代或未取代的c
6-c
30
的芳基、取代或未取代的c
3-c
30
的杂芳基中的一种；r6、r7可与相邻基团连接并且形成环结构；
[0034]
所述可取代基团的取代基任选自氕、氘、氚、氰基、氟原子、c
1-c
20
的烷基、c
6-c
30
的芳基、c
3-c
30
的杂芳基中的一种或多种；
[0035]
所述杂芳基中杂原子任选自氧原子、硫原子或氮原子中的一中或多种。
[0036]
本发明的核心在于提供了一种用于制备高性能有机电致发光器件的主体材料和掺杂材料的选择方式。基于本发明所提供的选择方式，采用本发明的主体材料和掺杂材料可以制备出高性能绿光有机电致发光器件。
[0037]
与现有技术相比，本发明有益效果在于：
[0038]
本发明中的萘基蒽类为核心的主体材料，由于其较大的共轭结构，可以形成稳定的二聚体结构。同时萘基与蒽之间的夹角恰好使得两两分子中心距离保持在较为稳定的“安全”距离，不会产生排斥力，且具有一定的电子云交叠。这种相互作用使得材料具有更好的tta效果。另外，该类材料的homo以及lumo分布主要分布在蒽上，当载流子在该材料上传输时，分子间的传输会更为容易，可以有效的降低器件的启亮电压和驱动电压。
[0039]
本发明中的萘基蒽类为核心的主体材料由于其具有较强的tta效果，搭配硼为骨架的绿光掺杂材料可以有效的提高器件的效率。另外，硼基团为双极性基团，分子整体结构为非对称基构，破坏分子结构对称性，避免分子间的聚集作用，防止由于局部能量较高导致的材料稳定性的降低。
[0040]
因此，本发明的所制成的有机电致发光器件可以有效的降低器件的电压，提高器件的效率及稳定性。
附图说明
[0041]
图1示意性地示出了本发明的有机电致发光器件的剖视图。
[0042]
在图1中，1.基板；2.第一电极；3.空穴注入层；4.空穴传输层；5.电子阻挡层；6.发光层；7.空穴阻挡层；8.电子传输层；9.电子注入层；10、第二电极；11、覆盖层；a.电子传输区域；b.空穴传输区域。
具体实施方式
[0043]
下文中将参照附图更详细地描述本发明，但不意欲限制本发明。
[0044]
在本发明中，如无相反说明，则所有操作均在室温、常压条件实施。
[0045]
在本发明中，除非另有说明，homo意指分子的最高占据轨道，lumo意指分子的最低空轨道。此外，本说明书中所涉及的“homo能级的差值”和“lumo能级的差值”意指每个能量
值的绝对值的差值。此外，在本发明中，homo和lumo能级用绝对值表示，并且能级之间的比较也是比较其绝对值的大小，本领域技术人员知晓能级的绝对值越大，则该能级的能量越低。
[0046]
本文中所列出的任何数值范围意指包括纳入所列范围内具有相同数值精度的全部子范围。例如，“1.0至10.0”意指包括在所列最小值1.0和所列最大值10.0之间的全部子范围(且包括1.0和10.0)，也就是说，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的全部子范围。本文所列出的任何最大数值限制意指包括纳入本文的全部更小的数值限制，并且本文所列出的任何最小数值限制意指包括纳入本文的全部更大的数值限制。因此，申请人保留修改包括权利要求书的本说明书的权利，以明确描述落入本文明确描述的范围内的任何子范围。
[0047]
在附图中，为了清楚起见，层和区域的尺寸可被夸大。还将理解，当层或元件称为在另一层或者基板“之上”时，该层或元件可直接位于该另一层或者基板之上，或者也可存在中间层。此外，还将理解，当层称为在两个层“之间”时，该层可以是这两个层之间的唯一的层，或者也可存在一个或者多个中间层。全文中相同的附图标记表示相同的元件。
[0048]
在本发明中，在描述电极和有机电致发光器件，以及其他结构体时，所采用的“上”、“下”、“顶”和“底”等表示方位的词，仅表示在某种特定状态的方位，并不意味相关的结构仅只能按所述方位存在；相反，如果结构体可以变换位置，例如倒置，则结构体的方位作相应改变。具体而言，在本发明中，电极的“底”、“下”侧是指电极在制备过程中靠近基板的一侧，而远离基板的相对一侧为“顶”、“上”侧。
[0049]
本发明提供一种有机电致发光器件，其由下至上依次包括基板、第一电极、有机功能材料层和第二电极，所述有机功能材料层包括：
[0050]
空穴传输区域，其位于第一电极之上；
[0051]
发光层，其位于空穴传输区域之上，所述发光层包含主体材料和掺杂材料；
[0052]
电子传输区域，其位于发光层之上；
[0053]
以及覆盖层，该覆盖层在所述第二电极之上；
[0054]
其中所述发光层包含下述通式(1)所表示主体材料，以及通式(2)所表示的掺杂材料；
[0055]
其中所述主体材料为具有通式(1)的蒽系化合物，
[0056][0057]
z、z1和z2每次出现分别独立的表示为n或者c-r，可以相同或者不同，r独立地表示为氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氰基、取代或未取代的c
1-c
20
的烷基、取代或未取代的c
3-c
20
的环烷基、氨基、取代或未取代的c
1-c
20
的烷氧基、取代或未取代的c
6-c
30
的芳香基、或者取代或未取代的c
3-c
30
的杂芳基；
[0058]
所述掺杂材料选自通式(2)中的一种：
c
30
的芳基或c
3-c
30
杂芳基取代的胺基中的一种；r1至r5与通式(1)的连接方式有并环和取代两种方式，通式(1)中的星号表示可连接的位点。
[0075]
进一步，所述l相同或不同地表示表示为取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚萘啶基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚二联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚螺芴基、取代或未取代的亚二甲基芴基、取代或未取代的亚二苯基芴基。
[0076]
进一步，r1至r5各自独立地表示通式(a)和通式(b)所示结构；
[0077][0078]
通式(a)和通式(b)中，所述r
12
、r
13
分别独立地表示为甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、丁基、戊基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的氮杂苯并菲基、取代或未取代的氮杂咔唑基、取代或未取代苯并咔唑基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的萘啶基、通式(4)、通式(5)或通式(6)所示基团；r
12
、r
13
相同或不同；s、t表示0或1；
[0079][0080]
x6、x9分别独立的表示为氧原子、硫原子、-n(r
14
)-、-c(r
15
)(r
16
)-或-si(r
17
)(r
18
)-；
[0081]
x7、x8分别独立的还可以表示为单键、氧原子、硫原子、-n(r
14
)-、-c(r
15
)(r
16
)-或-si(r
17
)(r
18
)-；
[0082]
z每次出现相同或不同地表示为n原子或c-r
19
；
[0083]
所述r
14-r
18
分别独立的表示为c
1-c
20
的烷基、取代或未取代的c
6-c
30
的芳基、取代或未取代的c
3-c
30
的杂芳基中的一种；
[0084]
所述r
19
相同或不同地选自氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、c
1-c
20
的烷基、c
2-c
20
的烯烃基、取代或未取代的c
6-c
30
的芳基、取代或未取代的c
3-c
30
的5-30杂芳基中的一种；其中两个或更多个r
19
基团彼此连接并且形成环或者不成环；
[0085]
通式(4)和通式(5)通过*标记的两个相邻位置与通式(2)或通式(3)中*标记的两个相邻的位置稠合连接；
[0086]
ar1、ar2分别独立地代表取代或未取代的c
6-c
30
的芳基、取代或未取代的c
3-c
30
的杂芳基中的一种；
[0087]
所述可取代基团的取代基任选自氕、氘、氚、氰基、氟原子、c
1-c
20
的烷基、c
6-c
30
的芳基、c
3-c
30
的杂芳基中的一种或多种；
[0088]
所述杂芳基中杂原子任选自氧原子、硫原子或氮原子中的一中或多种。
[0089]
所述掺杂材料可以进一步表示为如下通式(3)所示：
[0090][0091]
通式(3)中，w1、w2、w3各自独立的表示为氮原子或硼原子，且w1、w2、w3中有且仅有一个表示为氮原子；
[0092]
b、c、d、e各自独立的表示为0或1，且a b c d e≥1；
[0093]
x1、x2、x3、x4、x5独立的表示为单键、硫原子、氧原子、n(r6)、b(r7)、c(r8)(r9)或si(r
10
)(r
11
)；其中r8与r9、r
10
与r
11
可相互连接成环；
[0094]
x1、x2、x3、x4、x5中至少有一个不表示为单键；
[0095]
α、β、γ、η、θ各自独立的表示为1、2或3；
[0096]
当a、b、c、d、e分别独立的表示为0时，y1至y
21
各自独立的表示为氮原子或ch；当a、b、c、d、e分别独立的表示为1时，y
21
、y1，y
16
、y
17
、y
13
、y
14
、y8、y9、y4、y5表示为碳原子，其余可各自独立的表示为氮原子或ch；
[0097]
r1至r5分别独立地代表氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷基取代的硅烷基、取代或未取代的c
6-c
30
的芳基、取代或未取代的c
3-c
30
的杂芳基、c
6-c
30
的芳基或c
3-c
30
杂芳基取代的胺基中的一种；r1至r5与通式(1)的连接方式有并环和取代两种方式；
[0098]
所述r
6-r
11
分别独立的表示为c
1-c
20
的烷基、取代或未取代的c
6-c
30
的芳基、取代或未取代的c
3-c
30
的杂芳基中的一种；r6、r7可与相邻基团连接并且形成环结构；
[0099]
所述可取代基团的取代基任选自氕、氘、氚、氰基、氟原子、c
1-c
20
的烷基、c
6-c
30
的芳基、c
3-c
30
的杂芳基中的一种或多种；
[0100]
所述杂原子任选自氧原子、硫原子或氮原子中的一中或多种。
[0101]
进一步，当所述r1至r5与通式(1)以取代方式连接时，分别独立的表示为氢原子、氕、氘、氚、氰基、氟原子、甲基、乙基、丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的二联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的二甲基芴基、取代或未取代的二苯基芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的螺芴基、取代或未取代的氮杂咔唑基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的芘基或通式(2)所示结构；当所述r1至r5与通式(1)以并环方式连接时，分别独立的表示为通式(3)或通式(4)所示结构中的一种；
[0102][0103]
所述l1表示为取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚萘啶基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚二联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚螺芴基、取代或未取代的亚二甲基芴基、取代或未取代的亚二苯基芴基；
[0104]
ar1、ar2分别独立地代表取代或未取代的c
6-c
30
的芳基、取代或未取代的c
3-c
30
的杂芳基中的一种；
[0105]
x6、x7分别独立的表示为氧原子、硫原子、-n(r
12
)-、-c(r
13
)(r
14
)-或-si(r
15
)(r
16
)-；其中x6还可以表示为单键；
[0106]
z1至z4各自独立的表示为氮原子或c-r
17
；
[0107]
所述r
12-r
16
分别独立的表示为c
1-c
20
的烷基、取代或未取代的c
6-c
30
的芳基、取代或未取代的c
3-c
30
的杂芳基中的一种；
[0108]
所述r
17
相同或不同地选自氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、c
1-c
20
的烷基、c
2-c
20
的烯烃基、取代或未取代的c
6-c
30
的芳基、取代或未取代的c
3-c
30
的杂芳基中的一种；其中两个或更多个r9基团可彼此连接并且可形成环结构；
[0109]
通式(3)或通式(4)通过并环方式和通式(1)相连，*表示为连接位点，并环时，只能取相邻的两个位点；
[0110]
所述可取代基团的取代基任选自氕、氘、氚、氰基、氟原子、c
1-c
20
的烷基、c
6-c
30
的芳基、c
3-c
30
的杂芳基中的一种或多种；
[0111]
所述杂芳基中杂原子任选自氧原子、硫原子或氮原子中的一中或多种。
[0112]
进一步，所述c
6-30
的亚芳基表示为亚苯基、亚萘基、亚二联苯基；
[0113]
所述c
3-30
亚杂芳基表示为亚吡啶基、亚咔唑基、亚呋喃基、亚嘧啶基、亚吡嗪基、亚哒嗪基、亚二苯并呋喃基、亚9,9-二甲基芴基、亚n-苯基咔唑基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚萘啶基中的一种；
[0114]
所述c
1-20
烷基为甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、丁基、戊基中的一种；
[0115]
所述c
6-30
的芳基为苯基、芴基、螺芴基、萘基、二联苯基、三联苯基、蒽基、菲基、芘基、苯并菲基中的一种；
[0116]
所述c
3-30
杂芳基表示为吡啶基、咔唑基、呋喃基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、噻吩基、二苯并呋喃基、9,9-二甲基芴基、n-苯基咔唑基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、恶唑基、咪唑基、苯并恶唑基、苯并咪唑基、氮杂咔唑基、苯并咔唑基中的一种。
[0117]
所述主体材料可以表示为如下通式(4)～通式(6)中的一种，
[0118][0119]
通式(4)～通式(6)中，
[0120]
z、z1和z2每次出现分别独立的表示为n或者c-r，可以相同或者不同，r独立地表示为氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氰基、取代或未取代的c
1-c
20
的烷基、取代或未取代的c
3-c
20
的环烷基、氨基、取代或未取代的c
1-c
20
的烷氧基、取代或未取代的c
6-c
30
的芳香基、或者取代或未取代的c
3-c
30
的杂芳基；
[0121]
所述可取代基团的取代基任选自氕、氘、氚、c
1-c
20
的烷基、c
6-c
30
的芳基、c
3-c
30
的杂芳基中的一种或多种；
[0122]
所述杂芳基中杂原子任选自氧原子、硫原子或氮原子中的一中或多种。
[0123]
所述荧光发光层中的第一化合物可以表示为如下通式(7)～通式(9)中的一种，
[0124][0125]
r1～r
14
以及ra、rb分别独立地表示为氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氰基、取代或未取代的c
1-c
20
的烷基、取代或未取代的c
3-c
20
的环烷基、氨基、取代或未取代的c
1-c
20
的烷氧基、取代或未取代的c
6-c
30
的芳香基、或者取代或未取代的c
3-c
30
的杂芳基；
[0126]
所述可取代基团的取代基任选自氕、氘、氚、c
1-c
20
的烷基、c
6-c
30
的芳基、c
3-c
30
的杂芳基中的一种或多种；
[0127]
所述杂芳基中杂原子任选自氧原子、硫原子或氮原子中的一中或多种。
[0128]
所述主体材料可以表示为如下通式(10)～通式(12)中的一种，
[0129][0130]
r1～r
14
以及ra、rb分别独立地表示为氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氰基、取代或未取代的c
1-c
20
的烷基、取代或未取代的c
3-c
20
的环烷基、氨基、取代或未取代的c
1-c
20
的烷氧基、取代或未取代的c
6-c
30
的芳香基、或者取代或未取代的c
3-c
30
的杂芳基；
[0131]
所述可取代基团的取代基任选自氕、氘、氚、c
1-c
20
的烷基、c
6-c
30
的芳基、c
3-c
30
的杂芳基中的一种或多种；
[0132]
所述杂芳基中杂原子任选自氧原子、硫原子或氮原子中的一中或多种。
[0133]
进一步，所述x1、x2、x3、x4、x5中至少有一个表示为n(r6)。
[0134]
进一步，所述x1、x2、x3、x4、x5中至少有两个表示为n(r6)。
[0135]
所述主体材料可选自如下结构特征的材料：
[0136]
[0137][0138]
所述掺杂材料可选自如下结构特征的材料：
[0139]
[0140]
[0141]
[0142]
[0143]
[0144]
[0145][0146]
所述有机电致发光器件有机功能层包括p型材料掺杂的空穴传输层、空穴传输层、电子阻挡层、荧光发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层组成。
[0147]
所述掺杂材料占主体材料的质量分数1～10％，优选位于2～5％。
[0148]
高性能oled发光器件的前提是具有良好的载流子传导特性，以及发光层复合区域具有良好的载流子平衡性。为了获得良好的载流子平衡性，空穴和电子的优良注入和传导特性是不可或缺的。
[0149]
本发明中的萘基蒽类为核心的主体材料，由于其较大的共轭结构，可以形成稳定的二聚体结构。同时萘基与蒽之间的夹角恰好使得两两分子中心距离保持在较为稳定的“安全”距离，不会产生排斥力，且具有一定的电子云交叠。这种相互作用使得材料具有更好的tta效果。另外，该类材料的homo以及lumo分布主要分布在蒽上，当载流子在该材料上传输时，分子间的传输会更为容易，可以有效的降低器件的启亮电压和驱动电压。
[0150]
由于萘基蒽类为核心的主体材料具有较强的tta效果，搭配硼为骨架的掺杂材料可以有效的提高器件的效率。另外，硼基团为双极性基团，分子结构为非堆成结构，破坏了分子结构对称性，避免分子间的聚集作用，防止由于局部能量较高导致的材料稳定性的降低。
[0151]
所以本发明中的主客体搭配，由于主体材料的强tta效果可以有效的提高器件的效率，另外一方面由于硼基团的双极性基团以及长链结构，可以有效的提高器件的稳定性。
[0152]
作为本发明的有机电致发光器件的基板，可使用任何常用于有机电致发光器件的基板。实例为透明基板，如玻璃或透明塑料基板；不透明基板，如硅基板；柔性pi膜基板。不同基板具有不同的机械强度、热稳定性、透明性、表面光滑度、防水性。根据基板的性质不同，其使用方向不同。在本发明中，优选使用透明基板。基板的厚度没有特别限制。
[0153]
在基板上形成第一电极，第一电极与第二电极可彼此相对。第一电极可以是阳极。第一电极是反射电极，其可包括ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr或金属混合物。第一电极层的厚度取决于所使用的材料，通常为50-500nm，优选为70-300nm且更优选为100-200nm。
[0154]
设置于第一电极和第二电极之间的有机功能材料层由下至上依次包括空穴传输区域、发光层和电子传输区域。
[0155]
空穴传输区域可设置在第一电极与发光层之间。空穴传输区域可包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层。例如，参照图1，空穴传输区域可包括由下至上依次设置在第一电极之上的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层。
[0156]
空穴传输区域可以具有由单一材料形成的单层结构、由多种不同材料形成的单层结构或者具有由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
[0157]
当空穴传输区域包括空穴注入层时，空穴注入层的材料优选为具有高功函数的材料，使得空穴容易地注入有机功能材料层中。空穴注入层的材料的具体实例包括，但不限于，酞菁铜、n,n
’-
二苯基-n,n
’-
双-[4-(苯基-间甲苯-氨基)-苯基]-联苯-4,4
’-
二胺(dntpd)、4,4’,4
”-
三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-mtdata)、4,4
’4”-
三(n,n-二苯基氨基)三苯胺(tdata)、4,4’,4
”-
三{n,-(2-萘基)-n-苯基氨基}-三苯胺(2tnata)、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)或ht23/p-1(下文将示出其具体结构式)。本发明的空穴注入层的厚度可以是1-100nm，优选是2-50nm且更优选是5-20nm。
[0158]
当空穴传输区域包括空穴传输层时，空穴传输层的材料优选为具有高的空穴迁移率的材料，这能使空穴从阳极或空穴注入层转移到发光层。空穴传输材料可以包括下列化合物ht1至ht25，但是不限于此：
[0159]
[0160][0161]
根据本发明，优选使用ht23作为空穴传输层材料。本发明的空穴传输层的厚度可以是5-200nm、优选是10-180nm、且更优选是20-150nm。
[0162]
除了上述材料之外，空穴注入层和/或空穴传输层还可以包括电荷产生材料，以改善导电性质。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴注入层和/或空穴传输层中。电荷产生材料可以是例如p掺杂物。p掺杂物可以选自至少一种选自下列的化合物：醌衍生物，例如四氰基醌二甲烷(tcnq)或2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(f4-tcnq)；金属氧化物，例如氧化钨或氧化钼；或含氰基的化合物，例如下面示出的化合物p1、ndp和f4-tcnq：
[0163][0164]
除了空穴注入层和空穴传输层之外，空穴传输区域还可以包括缓冲层、电子阻挡层，或其结合。缓冲层可以根据从发光层发光的光的波长来补偿光学谐振距离，因此可以改善有机电致发光器件的发光效率。电子阻挡层可以防止电子从电子传输区域注入。在具体的实施方案中，电子阻挡层化合物可以选自下列化合物eb1至eb7，但是不限于此：
[0165][0166]
本发明的电子阻挡层的厚度可为1-200nm、优选为5-150nm且更优选为10-100nm。
[0167]
根据本发明，在空穴传输区域之上可设置有发光层。发光层的材料是一种通过分别接收来自空穴传输区域的空穴和来自电子传输区域的电子，并将所接收的空穴和电子结
合而能发出可见光的材料。发光层可包括主体材料和掺杂材料。
[0168]
在本发明的一个实施方案中，通式(1)的主体材料选自以下式中的至少一种：式(bh1)、式(bh10)、式(bh12)、式(bh13)、式(bh26)、式(bh36)、式(bh47)、式(bh64)、和式(bh67)。
[0169]
在本发明的一个实施方案中，在掺杂材料中，通式(2)和通式(3)的掺杂材料选自以下式中的至少一种：式(dp-68)、式(dp-72)、式(dp-76)、式(dp-77)、式(dp-97)、式(dp-120)、式(dp-146)、式(dp-167)、和式(dp-180)。
[0170]
本发明中化合物可通过商业途径从中节能万润股份有限公司购买，也可以通过参考公知专利cn110407858a、wo2019052940a1、cn107851724a、wo2019239897a1、ca3017010a1、cn110581224a、cn110612304a、cn107735879b、cn109671852a中方法制备。
[0171]
在本发明的发光层中，所使用的主体材料与客体材料的比例为99:1-70:30，优选为99:1-85:15且更优选为97:3-87:13，基于质量计。
[0172]
可以调节发光层的厚度以优化发光效率和驱动电压。优选的厚度范围是5nm至50nm，但厚度不限于这一范围。
[0173]
在本发明中，电子传输区域可由下至上依次包括设置在发光层之上的空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，但不限于此。
[0174]
空穴阻挡层为阻挡从阳极注入的空穴穿过发光层而进入阴极，由此延长器件的寿命并提高器件的效能的层。本发明的空穴阻挡层可设置在发光层之上。作为本发明的有机电致发光器件的空穴阻挡层材料，可以使用现有技术中公知的具有空穴阻挡作用的化合物，例如，浴铜灵(称为bcp)等菲咯啉衍生物、铝(iii)双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基酚盐(balq)等羟基喹啉衍生物的金属络合物、各种稀土类络合物、噁唑衍生物、三唑衍生物、三嗪衍生物、9,9'-(5-(6-([1,1'-联苯]-4-基)-2-苯基嘧啶-4-基)-1,3-亚苯基)双(9h-咔唑)(cas号：1345338-69-3)等嘧啶衍生物等。本发明的空穴阻挡层的厚度可为2-200nm、优选为5-150nm且更优选为10-100nm，但厚度不限于这一范围。
[0175]
电子传输层可设置在发光层或(若存在的话)空穴阻挡层之上。电子传输层材料是一种容易接收阴极的电子并将接收的电子转移至发光层的材料。优选具有高的电子迁移率的材料。作为本发明的有机电致发光器件的电子传输层，可以使用现有技术中公知的用于有机电致发光器件的电子传输层材料，例如，以alq3、balq和liq为代表的羟基喹啉衍生物的金属络合物、各种稀土金属络合物、三唑衍生物、2,4-双(9,9-二甲基-9h-芴-2-基)-6-(萘-2-基)-1,3,5-三嗪(cas号：1459162-51-6)等三嗪衍生物、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1h-苯并[d]咪唑(cas号：561064-11-7，俗称lg201)等咪唑衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑衍生物、碳化二亚胺衍生物、喹喔啉衍生物、菲咯啉衍生物、硅基化合物衍生物等。本发明的电子传输层的厚度可以为10-80nm、优选为20-60nm且更优选为25-45nm，但厚度不限于这一范围。
[0176]
电子注入层可设置在电子传输层之上。电子注入层材料通常是优选具有低功函数的材料，使得电子容易地注入有机功能材料层中。作为本发明的有机电致发光器件的电子注入层材料，可以使用现有技术中公知的用于有机电致发光器件的电子注入层材料，例如，锂；锂盐，如8-羟基喹啉锂、氟化锂、碳酸锂或叠氮化锂；或铯盐，氟化铯、碳酸铯或叠氮化铯。本发明的电子注入层的厚度可以是0.1-5nm、优选为0.5-3nm且更优选为0.8-1.5nm，但
厚度不限于这一范围。
[0177]
第二电极可设置在电子传输区域之上。第二电极可以是阴极。第二电极可以是透射电极、半透射电极或者反射电极。当第二电极是透射电极时，第二电极可以包括例如li、yb、ca、lif/ca、lif/al、al、mg、baf、ba、ag或者其化合物或混合物；当第二电极是半透射电极或者反射电极时，第二电极可包括ag、mg、yb、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif/ca、lif/al、mo、ti或者其化合物或混合物。
[0178]
在制备有机电致发光器件的过程中，例如可通过在基板上相继层压第一电极、有机功能材料层和第二电极来制备本发明的有机电致发光器件。关于此点，可使用物理气相沉积方法，如溅射法或电子束蒸汽法，或者真空蒸镀法，但不限于此。并且，可通过例如真空沉积法、真空蒸镀法或溶液涂覆法将上述化合物用于形成有机功能材料层。关于此点，溶液涂覆法意指旋涂法、浸涂法、喷射印刷法、筛网印刷法、喷雾法和辊涂法，但不限于此。真空蒸镀法意指在真空环境中，将材料加热并镀到基材上。在本发明中，优选使用真空蒸镀法来形成所述各个层。
[0179]
另外，需要说明的是，本发明所述的用于形成各个层的材料均可以单独成膜而作为单层使用，也可以与其他材料混合后成膜而作为单层使用，还可以为单独成膜的层之间的层叠结构、混合后成膜的层之间的层叠结构或者单独成膜的层与混合后成膜的层的层叠结构。
[0180]
需要说明的是，本文中已经公开了示例性的实施方案，虽然其中使用了特定的术语，但是这些术语仅用于且仅解释为一般和描述性含义，而并非出于限制的目的。除非另有说明，结合特定实施方案描述的特征、特性和/或元件可单独使用或与结合其他实施方案描述的特征、特性和/或元件组合使用。
[0181]
实施例
[0182]
以下实施例旨在更好地解释本发明，但本发明的范围不限于此。
[0183]
在实施例和对比例中所使用的公知材料采购自中节能万润股份有限公司。
[0184]
中间体合成实施例1
[0185]
中间体g-1合成：
[0186][0187]
(1)准备三口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol原料a-1，0.015mol原料b-1，用混合溶剂溶解(90ml甲苯，45ml乙醇)，然后加入0.03mol na2co3水溶液(2m)，通氮气搅拌1小时，然后加入0.0001mol pd(pph3)4，加热回流15小时，取样点板，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到中间体j-1，纯度96.4％，收率83.7％。元素分析结构(分子式
c
18
h
14
bbrcln)：理论值c,58.36；h,3.81；b,2.92；br,21.57；cl,9.57；n,3.78；测试值c,58.35；h,3.86；b,2.91；br,21.55；cl,9.56；n,3.79。esi-ms(m/z)(m )：理论值为369.01，实测值为369.59。
[0188]
(2)取0.1mol中间体j-1和0.12mol苯，加入0.12mol叔丁基锂，120ml叔丁基苯，60℃保温2小时后，降温到室温条件下，滴加0.12mol bbr3充分反应半个小时，加入水，析出固体，依次使用正已烷洗涤，乙醇进行重结晶，得到中间体g-1。hplc纯度96.3％，收率79.7％。元素分析结构(分子式c
30
h
20
b2brn)：理论值c,72.64；h,4.06；b,4.36；br,16.11；n,2.82；测试值c,72.65；h,4.08；b,4.35；br,16.13；n,2.81。esi-ms(m/z)(m )：理论值为495.10，实测值为495.39。
[0189]
中间体合成实施例2
[0190]
中间体g-8合成：
[0191][0192]
(1)在三口瓶中，通氮气保护下，加入0.02mol原料a、0.024mol原料b、0.04mol叔丁醇钠、1
×
10-4
mol pd2(dba)3、1
×
10-4
mol三叔丁基磷和150ml甲苯，加热回流24h，取样点板，反应完全；自然冷却，过滤，滤液旋蒸，柱层析得到中间体s1，hplc纯度99.1％，收率65.1％；
[0193]
(2)在三口瓶中，通氮气保护下，加入0.01mol原料c、0.012mol叔丁基锂和150ml叔丁基苯搅拌混合，加热至60℃，搅拌反应2h；然后自然冷却至室温，滴加0.012mol bbr3和0.05mol二异丙基乙胺，搅拌反应1h，取样点板，显示无中间体s1剩余，反应完全；自然冷却至室温，加入水和二氯甲烷萃取、分液；取有机相，加入无水硫酸镁除水，过滤，滤液进行减压旋蒸(-0.09mpa，25℃)，过中性硅胶柱，得到目标产物，hplc纯度99.0％，收率47.1％；
[0194]
元素分析结构(分子式c
41
h
43
bclno)：理论值c,80.46；h,7.08；b,1.77；cl,5.79；n,2.29；o,2.61；测试值：c,80.47；h,7.06；b,1.81；cl,5.80,n,2.27；o,2.59。esi-ms(m/z)(m )：理论值为611.31，实测值为611.46。
[0195]
以中间体g-1和g-8的合成方法制备中间体g，具体结构如表1所示。
[0196]
表1
[0197][0198][0199]
材料合成实施例1
[0200]
化合物bh10的合成：
[0201][0202]
在三口瓶中，通氩气保护下，加入0.01mol原料1-1，0.012mol原料2-1，220ml甲苯搅拌混合，110ml碳酸钠水溶液，加热回流搅拌8小时；自然冷却至室温，使用甲苯萃取反应溶剂，除去水层后过滤，滤液旋蒸至无馏分，过中性硅胶柱，得到bh10；hplc纯度99.43％，收率69.3％；元素分析结构(分子式c
46
h
30
)：理论值c，94.81；h，5.19；测试值：c，94.79；h，
5.16；。esi-ms(m/z)(m )：理论值为582.23，实测值为582.20。
[0203]
材料合成实施例2
[0204]
化合物bh12的合成：
[0205][0206]
按照材料合成实施例1的方法合成化合物bh12；hplc纯度99.63％，收率72.31％；元素分析结构(分子式c
46
h
28
o)：理论值c，92.59；h，4.73；o，2.68；测试值：c，92.58；h，4.70；o，2.66。esi-ms(m/z)(m )：理论值为596.21，实测值为596.22。
[0207]
材料合成实施例3
[0208]
化合物bh13的合成：
[0209][0210]
按照材料合成实施例1的方法合成化合物bh13；hplc纯度99.43％，收率69.3％；元素分析结构(分子式c
50
h
30
o)：理论值c，92.85；h，4.68，o，2.47。测试值：c，92.81；h，4.66；o，2.45。esi-ms(m/z)(m )：理论值为646.23，实测值为646.20。
[0211]
材料合成实施例4
[0212]
化合物bh47的合成：
[0213][0214]
按照材料合成实施例1的方法合成化合物bh47；hplc纯度98.93％，收率71.23％；元素分析结构(分子式c
32
h
20
n2)：理论值c，88.86；h，4.66；n，6.48；测试值：c，88.89；h，4.68；n，6.50。esi-ms(m/z)(m )：理论值为432.16，实测值为432.18。
[0215]
材料合成实施例5
[0216]
化合物bh64的合成：
[0217][0218]
按照材料合成实施例1的方法合成化合物bh64；hplc纯度98.69％，收率71.3％；元素分析结构(分子式c
32
h
20
n2)：理论值c，88.86；h，4.66；n，6.48；测试值：c，88.88；h，4.68；。esi-ms(m/z)(m )：理论值为432.16，实测值为432.18。
[0219]
材料合成实施例6
[0220]
化合物bh67的合成：
[0221][0222]
按照材料合成实施例1的方法合成化合物bh67；hplc纯度99.22％，收率72.6％；元素分析结构(分子式c
46
h
30
)：理论值c，94.81；h，5.19；测试值：c，94.86；h，5.23；。esi-ms(m/z)(m )：理论值为582.23，实测值为582.28。
[0223]
材料合成实施例7
[0224]
化合物dp-2的合成：
[0225][0226]
在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.01mol中间体g-1，0.012mol原料c1，150ml甲苯搅拌混合，然后加入5
×
10-5
molpd2(dba)3，5
×
10-5
mol p(t-bu)3，0.03mol叔丁醇钠，加热至105℃，回流反应24小时，取样点板，显示无溴代物剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液旋蒸至无馏分，过中性硅胶柱，得到目标产物，hplc纯度99.76％，收率76.1％。元素分析结构(分子式c
52
h
34
b2n4)：理论值:c,84.80；h,4.65；b,2.94；n,7.61；测试值c,84.84；h,4.63；b,2.93；n,7.60。hplc-ms：材料分子量为736.30，实测分子量736.48。
[0227]
材料合成实施例8
[0228]
化合物dp-72的合成：
[0229][0230]
将0.01mol中间体g-5和0.012mol原料c5溶解于甲苯和乙醇的150ml(v甲苯：v乙醇＝5：1)混合溶液中，除氧后加入0.0002mol pd(pph3)4和0.02mol na2co3，在通入氮气的气氛下110℃反应24个小时，取样点板，待原料反应完全后，冷却、过滤，将滤液旋蒸除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到目标产物；元素分析结构(分子式c
66
h
45
b2n3)：理论值:c,87.91；h,5.03；b,2.40；n,4.66；测试值c,87.93；h,5.06；b,2.41；n,4.65。hplc-ms：材料分子量为901.38，实测分子量901.27。
[0231]
材料合成实施例9
[0232]
化合物dp-76的合成：
[0233][0234]
按材料合成实施例107中化合物dp-2的合成方法制备，不同点在于用中间体g-6代替中间体g-1，用原料c6替换原料c1；元素分析结构(分子式c
65
h
42
b2n4)：理论值:c,86.68；h,4.70；b,2.40；n,6.22；测试值c,86.72；h,4.66；b,2.41；n,6.21。hplc-ms：材料分子量为900.36，实测分子量900.21。
[0235]
材料合成实施例10
[0236]
化合物dp-77的合成：
[0237][0238]
按材料合成实施例8中化合物dp-72的合成方法制备，不同点在于用中间体g-6代替中间体g-5，用原料c7替换原料c5；元素分析结构(分子式c
60
h
33
b2n3o2)：理论值:c,84.83；h,3.92；b,2.54；n,4.95；测试值c,84.84；h,3.91；b,2.52；n,4.96。hplc-ms：材料分子量为849.28，实测分子量849.48。
[0239]
材料合成实施例11
[0240]
化合物dp-97的合成：
[0241][0242]
按材料合成实施例7中化合物dp-2的合成方法制备，不同点在于用中间体g-6代替中间体g-1，用原料c9替换原料c1；元素分析结构(分子式c
57
h
38
b2n4)：理论值:c,85.52；h,4.78；b,2.70；n,7.00；测试值c,85.54；h,4.79；b,2.67；n,7.01。hplc-ms：材料分子量为800.33，实测分子量800.23。
[0243]
材料合成实施例12
[0244]
化合物dp-120的合成：
[0245][0246]
按材料合成实施例7中化合物dp-2的合成方法制备，不同点在于用中间体g-7代替
中间体g-1，用原料c10替换原料c1；元素分析结构(分子式c
52
h
33
b2n3)：理论值:c,86.57；h,4.61；b,3.00；n,5.82；测试值c,86.59；h,4.60；b,3.02；n,5.80。hplc-ms：材料分子量为721.29，实测分子量721.46。
[0247]
材料合成实施例13
[0248]
化合物dp-139的合成：
[0249][0250]
在250ml的三口瓶中，通氮气保护下，加入0.01mol中间体g1、0.012mol叔丁基锂和150ml叔丁基苯搅拌混合，加热至60℃，搅拌反应2h；然后自然冷却至室温，滴加0.012mol bbr3和0.05mol二异丙基乙胺，室温下搅拌反应1h，取样点板，显示无中间体g-8剩余，反应完全；加入水和二氯甲烷萃取、分液；取有机相，加入无水硫酸镁除水，过滤，滤液进行减压旋蒸(-0.09mpa，25℃)，过中性硅胶柱，得到目标产物，hplc纯度99.1％，收率45.7％；元素分析结构(分子式c
41
h
41
b2no)：理论值c,84.12；h,7.06；b,3.69；n,2.39；o,2.73；测试值：c,84.13；h,7.05；b,3.68；n,2.40；o,2.74。esi-ms(m/z)(m )：理论值为585.34，实测值为585.45。
[0251]
材料合成实施例14
[0252]
化合物dp-146的合成：
[0253][0254]
按材料合成实施例13中化合物dp-139的合成方法制备，不同之处在于用中间体g-9替换中间体g-8。元素分析结构(分子式c
36
h
24
b2n2)：理论值c,85.42；h,4.78；b,4.27；n,5.53；测试值：c,85.43；h,4.76；b,4.28；n,5.54。esi-ms(m/z)(m )：理论值为506.21，实测值为506.22。
[0255]
材料合成实施例15
[0256]
化合物dp-167的合成：
[0257][0258]
按材料合成实施例13中化合物dp-139的合成方法制备，不同之处在于用中间体g-10替换中间体g-8。
[0259]
元素分析结构(分子式c
44
h
28
b2n2)：理论值c,87.16；h,4.65；b,3.57；n,4.62；测试
值：c,87.17；h,4.67；b,3.55；n,4.63。esi-ms(m/z)(m )：理论值为606.24，实测值为606.36。
[0260]
检测方法
[0261]
homo能级：通过ips测量法进行测量，具体测量步骤如下：
[0262]
利用真空蒸镀设备，在真空度为1.0e-5pa的压力下，控制蒸镀速率为将样品蒸镀到ito基板上，其膜厚为60-80nm；然后利用ips-3测量设备，对样品膜的homo能级水平进行测量，测量环境为10-2
pa以下的真空环境。
[0263]
eg能级：基于样品单膜的紫外分光光度(uv吸收)基线与第一吸收峰的上升侧画切线，用切线和基线交叉点数值算出。
[0264]
lumo能级：基于homo能级与eg能级的差值计算得出。
[0265]
s1、t1能级：基于低温荧光光谱仪实测得到。
[0266]
电极材料的功函数：使用上海大学研发的表面功函数测试仪在大气环境下测试。
[0267]
空穴迁移率、电子迁移率：将材料制作成单电荷器件，用单电荷拟合法测定。
[0268]
表2示出了本发明中主体材料和掺杂材料的homo能级、lumo能级、单线态能级(s1)和三线态能级(t1)进行了表征和测试：
[0269]
表2
[0270]
[0271][0272][0273]
制备有机电致发光器件
[0274]
相关材料的分子结构式如下所示：
[0275][0276]
实施例1
[0277]
按照以下步骤制备有机电致发光器件：
[0278]
a)使用透明玻璃作为基板，在其上涂覆厚度为150nm的ito作为阳极层，分别用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗各15分钟，然后在等离子体清洗器中处理2分钟；
[0279]
b)在经洗涤的阳极层上，分别将空穴传输材料ht-1和p型掺杂材料p1放在两个蒸镀源中，在真空度为1.0e-5
pa的压力下，控制ht-1的蒸镀速率为p型掺杂材料的蒸镀速率为共同混蒸形成空穴注入层，厚度为10nm；
[0280]
c)在空穴注入层上，通过真空蒸镀的方式蒸镀空穴传输层，空穴传输层的材料为ht-1，厚度为125nm；
[0281]
d)在空穴传输层上，通过真空蒸镀的方式蒸镀电子阻挡层eb-1，其厚度为10nm；
[0282]
e)在电子阻挡层上，通过真空蒸镀的方式蒸镀发光层材料，主体材料为bh1，客体材料为dp-2，质量比为95:5，厚度为25nm；
[0283]
f)在发光层上，通过真空蒸镀方式蒸镀lg201和liq，lg201和liq质量比为50:50，厚度为40nm，该层作为电子传输层；
[0284]
g)在电子传输层上，通过真空蒸镀方式蒸镀lif，厚度为1nm，该层为电子注入层；
[0285]
h)在电子注入层之上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为15nm的mg：ag电极层，mg、ag质量比为1:9，此层为阴极层10使用。在阴极层10上，真空蒸镀70nm的cpl作为覆盖层10。
[0286]
实施例2-20
[0287]
按照实施例1的步骤进行，不同之处在于在步骤e)中将主体材料bh1替换成bh10、bh12、bh13、bh26、bh36、bh47、bh64、bh67中的任意一个；掺杂材料dp-2替换成dp-72、dp-76、dp-77、dp-97、dp-120、dp-139、dp-146、dp-167中的任意一个。
[0288]
比较例1
[0289]
按照实施例1的步骤进行，不同之处在于在步骤e)中将主体材料替换成rbh；掺杂材料替换成rdp，具体的器件结构如表3。
[0290]
表3
[0291]
[0292][0293]
实施例1-42及比较例1的器件测量性能结果如表4所示。
[0294]
表4
[0295]
[0296][0297]
注：电压、电流效率和色坐标是使用ivl(电流-电压-亮度)测试系统(苏州弗士达科学仪器有限公司)测试的，测试时的电流密度为10ma/cm2；寿命测试系统为日本系统技研公司eas-62c型oled器件寿命测试仪；lt97指的是器件亮度衰减到原有亮度的97％所用的时间。
[0298]
由表4的结果可以看出，本发明的主体材料和掺杂材料搭配所制备的器件的驱动电压明显降低，并且发光效率和寿命均显著提高。主要是由于本发明的双萘蒽类化合物作为主体材料，具有更好的ttf效果，提升了三线态激子的利用率，从而增强了器件发光效率；同时其具有更快的载流子迁移速率，可以有效的降低器件电压。以硼为核心的掺杂材料具有更高的tg，可以大幅提升器件的稳定性。