基于台阶状P型CBN与SiC混合结构的4H-SiC二极管及制备方法与流程

技术特征：
1.一种基于台阶状p型cbn与sic混合结构的4h
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sic二极管，其特征在于，包括：自下而上依次层叠设置的欧姆接触电极(1)、n型sic衬底层(2)、n型sic外延层(3)和肖特基接触电极(4)，其中，所述肖特基接触电极(4)位于所述n型sic外延层(3)的中间区域；所述n型sic外延层(3)上表面的边缘形成阶梯状环形台阶；所述n型sic外延层(3)上表面的中间区域设置有t型凹槽(301)；所述n型sic外延层(3)上表面边缘的底层的台阶面上设置有第一p型注入区(5)；所述n型sic外延层(3)上表面边缘的中间层和顶层的台阶面上设置有第一p型终端(6)；所述t型凹槽(301)的外围绕设有第二p型终端(7)；所述t型凹槽(301)的下方设置有第二p型注入区(8)。2.根据权利要求1所述的基于台阶状p型cbn与sic混合结构的4h
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sic二极管，其特征在于，所述第一p型注入区(5)、所述第一p型终端(6)和所述第二p型终端(7)均为封闭环结构，所述第二p型注入区(8)为条形结构。3.根据权利要求1所述的基于台阶状p型cbn与sic混合结构的4h
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sic二极管，其特征在于，所述第一p型终端(6)和所述第二p型终端(7)的材料为p型立方相氮化硼。4.根据权利要求1所述的基于台阶状p型cbn与sic混合结构的4h
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sic二极管，其特征在于，所述第一p型注入区(5)和所述第二p型注入区(8)的材料为p型4h
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sic。5.根据权利要求4所述的基于台阶状p型cbn与sic混合结构的4h
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sic二极管，其特征在于，所述p型4h
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sic的掺杂浓度为10
19
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10
20
cm
‑3次方量级。6.根据权利要求1所述的基于台阶状p型cbn与sic混合结构的4h
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sic二极管，其特征在于，还包括钝化层(9)，所述钝化层(9)设置在所述n型sic外延层(3)上并覆盖所述n型sic外延层(3)上表面边缘的所述第一p型注入区(5)和所述第一p型终端(6)。7.根据权利要求6所述的基于台阶状p型cbn与sic混合结构的4h
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sic二极管，其特征在于，还包括保护层(10)，所述保护层(10)设置在所述钝化层(9)上。8.一种基于台阶状p型cbn与sic混合结构的4h
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sic二极管制备方法，其特征在于，包括；s1：在4h
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sic衬底上形成4h
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sic外延层；s2：利用等离子体干法刻蚀对所述4h
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sic外延层的中间区域和边缘区域进行刻蚀，在所述4h
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sic外延层的边缘形成阶梯状的4h
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sic沟槽区，在所述4h
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sic外延层的中间形成t型凹槽，其中，所述阶梯状的4h
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sic沟槽区自下而上依次为第一4h
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sic沟槽区、第二4h
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sic沟槽区和第三4h
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sic沟槽区；s3：利用等离子体干法刻蚀对所述t型凹槽外围和底部进行刻蚀，在所述t型凹槽外围形成第四4h
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sic沟槽区，在所述t型凹槽底部形成第五4h
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sic沟槽区；s4：利用离子注入，在所述第一4h
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sic沟槽区内和所述第五4h
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sic沟槽区内形成p型注入区；s5：利用化学气相淀积技术，在所述第二4h
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sic沟槽区、所述第三4h
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sic沟槽区和所述第四4h
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sic沟槽区内淀积形成p型终端；s6：在器件表面通过化学气相淀积，形成钝化层；
s7：在所述4h
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sic衬底的底面制备欧姆接触电极；s8：刻蚀部分所述钝化层漏出器件中间区域的所述4h
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sic外延层，在漏出的所述4h
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sic外延层上制备肖特基接触电极；s9：在所述钝化层上制备形成保护层。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述p型终端的材料为p型立方相氮化硼，所述p型注入区的材料为p型4h
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sic。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述p型4h
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sic的掺杂浓度为10
19
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10
20
cm
‑3次方量级。

技术总结
本发明涉及一种基于台阶状P型CBN与SiC混合结构的4H


技术研发人员：李京波 王小周 赵艳
受保护的技术使用者：浙江芯国半导体有限公司
技术研发日：2021.05.21
技术公布日：2021/10/18