一种半导体级碳化硅陶瓷石墨氧化用治具的制作方法

本技术涉及陶瓷领域，尤其涉及一种半导体级碳化硅陶瓷石墨氧化用治具。

背景技术：

1、在半导体制造领域，半导体级碳化硅陶瓷因其卓越的性能，成为制造关键部件（如聚焦环、晶圆承载盘等）的重要材料。此材料因其拥有耐高温特性、高硬度、良好的化学稳定性和优异的耐等离子体刻蚀性能。其热膨胀系数低、热导率高，且电学性能与硅晶圆相近，非常适合用作聚焦环材料。

2、聚焦环原材料的制备，除了化学气相沉积之外，分别还需要经过退火去除材料应力、氧化去除石墨等，方能得到实体碳化硅原材料，最后经过精加工、洗净工序获得聚焦环。在该工艺流程中，氧化去除石墨存在氧化时间长、氧化不完全、氧化后材料粘连而导致材料分离开裂的潜在风险。为了解决上述难题，本发明设计了一种半导体级碳化硅陶瓷石墨氧化用治具。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种半导体陶瓷石墨氧化用治具，结构简单、方便实用，材料制作过程操作简单，便捷高效，可氧化直径400mm的碳化硅素材，同时氧化较叠放效率高，氧化更充分，降低材料碎裂风险。

2、为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案：一种半导体级碳化硅陶瓷石墨氧化用治具，包括治具底座，所述治具底座顶端开设有放置槽，所述放置槽顶端设置有隔板，两个所述隔板相近一侧设置有卡槽。

3、进一步地，所述隔板由石英玻璃制成。

4、进一步地，治具底座两端设有气口。

5、进一步地，所述治具底座左右两端固定连接有把手。

6、进一步地，所述卡槽顶端设置有待氧化素材。

7、进一步地，所述隔板数量为22个。

8、本实用新型具有如下有益效果：

9、本实用新型中，治具结构简单、方便实用，材料制作过程操作简单，便捷高效，可氧化直径400mm的碳化硅素材，同时氧化较叠放效率高，氧化更充分，降低材料碎裂风险。

1.一种半导体级碳化硅陶瓷石墨氧化用治具，包括治具底座（4），其特征在于：所述治具底座（4）顶端开设有放置槽（6），所述放置槽（6）顶端设置有隔板（3），两个所述隔板（3）相近一侧设置有卡槽（1）。

2.根据权利要求1所述的一种半导体级碳化硅陶瓷石墨氧化用治具，其特征在于：所述隔板（3）中间开设有气口（2）。

3.根据权利要求1所述的一种半导体级碳化硅陶瓷石墨氧化用治具，其特征在于：所述治具底座（4）前后两端开设有气口（2）。

4.根据权利要求1所述的一种半导体级碳化硅陶瓷石墨氧化用治具，其特征在于：所述治具底座（4）的左右两端固定连接有把手（7）。

5.根据权利要求1所述的一种半导体级碳化硅陶瓷石墨氧化用治具，其特征在于：所述卡槽（1）顶端设置有待氧化素材（5）。

6.根据权利要求1所述的一种半导体级碳化硅陶瓷石墨氧化用治具，其特征在于：所述隔板（3）的数量为22个。