9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物、其制造方法以及硬掩模用组合物与流程

本发明涉及9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物、其制造方法以及硬掩模用组合物。

背景技术：

1、例如，专利文献1记载了一种抗蚀剂下层膜形成方法，其为光刻工艺所用的至少具有3层的多层抗蚀剂膜的抗蚀剂下层膜的形成方法，其特征在于，包括以下工序：在基板上涂布抗蚀剂下层膜材料，该抗蚀剂下层膜材料含有对具有双萘酚基的化合物进行酚醛清漆化而得到的树脂；以及对涂布后的该抗蚀剂下层膜材料在超过300℃且600℃以下的温度下及10秒~600秒的范围内进行热处理以使其固化。

2、另外，专利文献2记载了通过添加具有芴或四氢螺二茚结构的酚醛清漆树脂而得到的下层膜形成材料。专利文献2中记载的下层膜形成材料是用于形成下层膜的材料，该下层膜设置在用于对被加工基板进行加工的光致抗蚀剂层下方，对光致抗蚀剂层的所需区域照射放射线，用显影液进行显影以形成光致抗蚀剂图案，在干法蚀刻装置中以该光致抗蚀剂图案层作为掩模对下层膜层及被加工基板进行加工。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2010-122656号公报

6、专利文献2：日本特开2005-128509号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、专利文献1及2中记载的材料被用作在半导体的微细加工中形成硬掩模的材料，例如，可以在由这些材料形成的硬掩模上形成旋涂玻璃（sog）膜。而在形成旋涂玻璃膜时，硬掩模可能会暴露在高温下。因此，需要一种相较于专利文献1及2中记载的材料具有更高耐热性的材料。

3、本发明的一个方面的目的在于，提供一种具有高耐热性、以新型的9,9-双(羟基萘基)-二萘基芴缩合物为代表的、新型的9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物及其相关技术。

4、用于解决课题的手段

5、为了解决上述课题，本发明的一个方面涉及一种9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物，其包含源自9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴的单体单元。

6、另外，本发明的一个方面涉及一种硬掩模用组合物，其包含本发明的一个方面所涉及的9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物。

7、另外，本发明的一个方面涉及一种9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物的制造方法，其包括以下工序：在酸催化剂或碱催化剂的存在下，将醛类/单体的摩尔比控制在0.30~0.90的范围内，使单体与醛类进行反应，从而制造出9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物；所述单体选自9,9-双(羟基萘基)-二萘基芴及9,9-双(羟基萘基)-二苯基芴。

8、发明的效果

9、根据本发明的一个方面，能够提供具有高耐热性、以新型的9,9-双(羟基萘基)-二萘基芴缩合物为代表的、新型的9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物及其相关技术。

1.一种9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物，其包含源自9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴的单体单元。

2.根据权利要求1所述的9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物，其为包含源自9,9-双(羟基萘基)-二萘基芴的单体单元的9,9-双(羟基萘基)-二萘基芴缩合物。

3.根据权利要求1或2所述的9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物，其中，所述单体单元为具有下述式（i）所示结构的单体单元：

4.根据权利要求3所述的9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物，其中，所述单体单元为具有下述式（1）所示结构的单体单元：

5.根据权利要求1至4中任一项所述的9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物，其中，所述单体单元为源自9,9-双(6-羟基-2-萘基)-2,7-二(2-萘基)芴的单体单元。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物，其重均分子量（mw）在1000~15000的范围内。

7.根据权利要求2或4所述的9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物，其重均分子量（mw）在1000~15000的范围内。

8.一种硬掩模用组合物，其包含权利要求1至7中任一项所述的9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物。

9.一种9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物的制造方法，其包括以下工序：

10.根据权利要求9所述的9,9-双(羟基萘基)-二芳基芴缩合物的制造方法，其中，所述单体选自具有下述式（1a）所示结构的9,9-双(羟基萘基)-二萘基芴：