薄膜、薄膜组件和光刻设备的制作方法

本发明涉及薄膜、薄膜组件、包括该薄膜或薄膜组件的光刻部件、包括该光刻部件的光刻设备、以及制造薄膜的方法。

背景技术：

1、光刻设备是一种构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以例如用于制造集成电路（ic）。光刻设备可以例如将图案形成装置（例如，掩模）处的图案投影到被设置在衬底上的辐射敏感材料（抗蚀剂）层上。

2、为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了能够在衬底上形成的特征的最小尺寸。相较于使用例如波长为193 nm的辐射的光刻设备，使用波长在4 nm至20 nm的范围内（例如，6.7 nm或13.5 nm）的极紫外（euv）辐射的光刻设备可以被用于在衬底上形成更小的特征。

3、在诸如此类的光刻设备中，期望euv辐射容易地透射到衬底以用于在该衬底上有效并且高效地形成特征。然而，期望的euv波长范围之外的辐射也可能从光刻设备的投影系统朝向衬底投影。例如由于某些波长的辐射可能对衬底造成伤害、或干扰由euv辐射在衬底上形成特征，所以某些波长的辐射可能是不期望的。为此原因，可能希望在光刻设备内提供光谱过滤器，以抑制不期望波长的辐射朝向衬底的透射，同时允许所期望的euv波长的辐射的透射。

4、可以提供光谱过滤器隔膜（有时被称为动态气锁（dgl）隔膜），以在光刻设备中执行光谱过滤功能。然而，光谱过滤器隔膜对不可控事件是敏感的，不可控事件例如是掉落微小颗粒以及容纳投影系统的隔室与容纳衬底台的隔室之间的较小的压力差。可能在光刻设备内发生的此类事件可能导致光谱过滤器隔膜失效。

5、光谱过滤器隔膜的厚度可以为大约10nm至20nm。此外，光谱过滤器隔膜通常被预加应力，以避免在euv曝光循环期间的起皱和疲劳。然而，由于光谱过滤器隔膜的预加应力性质，光谱过滤器可能以不期望的方式失效。特别地，光谱过滤器隔膜的失效可能导致光谱过滤器隔膜的较小碎片被吹过光刻设备的内部。特别地，由于光刻设备内的压力差，失效的光谱过滤器隔膜的碎片很可能被吹入到光刻设备的投影系统中。这些碎片可能导致投影系统的光学部件的污染。这种污染可能对光学部件的性能具有不期望的影响，可能导致光学部件遭受局部过热，和/或可能导致光学部件被损坏。

6、更换失效的光谱过滤器隔膜、清洁任何被污染的部件、和/或修理任何被损坏的部件，可能与光刻设备的较高的成本和延长的停机时间段相关联。

7、因此，期望提供在透射所期望波长的辐射和抑制不期望波长的辐射方面是有效的、同时也更加耐用的一种光谱过滤装置。特别地，期望提供较不易于使光刻设备的环境失效和/或以不太可能导致光刻设备的其他部件污染的较少损坏性的方式失效的一种光谱过滤装置。然后，这种光谱过滤装置可以有益于在光刻应用之外的其他应用中使用。

技术实现思路

1、本发明涉及提供薄膜、薄膜组件、包括薄膜或薄膜组件的光刻部件、包括光刻部件的光刻设备、以及制造薄膜的方法。

2、根据本发明的一方面，提供一种用于光刻设备的薄膜。所述薄膜包括多个纳米管。所述多个纳米管包括用于对不期望的辐射进行过滤的硅基纳米管。

3、根据本发明的另一方面，提供一种用于光刻设备的薄膜。所述薄膜包括多个纳米管。所述多个纳米管包括被涂覆有用于对不期望的辐射进行过滤的硅基覆盖层的碳基纳米管。

4、根据本发明的另一方面，提供一种薄膜组件，所述薄膜组件包括上述薄膜和被构造成支撑所述薄膜的结构。

5、根据本发明的另一方面，提供一种用于光刻设备的光刻部件。所述光刻部件包括上述薄膜或上述薄膜组件。

6、根据本发明的另一方面，提供一种包括上述光刻部件的光刻设备。

7、根据本发明的另一方面，提供一种制造上述薄膜的方法。

8、根据本发明的另一方面，提供一种制造上述薄膜组件的方法。

9、下文参考随附的附图来详细地描述本发明的另外的实施例、特征和优点，以及本发明的各种实施例的结构和操作、特征和优点。

1.一种用于光刻设备的薄膜，所述薄膜包括多个纳米管，其中，所述多个纳米管包括用于对不期望的辐射进行过滤的硅基纳米管。

2.一种用于光刻设备的薄膜，所述薄膜包括多个纳米管，其中，所述多个纳米管包括被涂覆有用于对不期望的辐射进行过滤的硅基覆盖层的碳基纳米管。

3.根据权利要求1和2中的任一项所述的薄膜，其中，所述薄膜对于至少80%的极紫外辐射是透明的。

4.根据任一前述权利要求所述的薄膜，其中，所述薄膜被构造成将至少70%的深紫外辐射过滤掉。

5.根据任一前述权利要求所述的薄膜，其中，所述纳米管中的至少80%的纳米管具有在5nm和30nm之间的直径。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜，其中，所述纳米管中的多个纳米管被涂覆有覆盖层。

7.根据权利要求6所述的薄膜，其中，所述纳米管中的至少一些纳米管单独地被涂覆有所述覆盖层。

8.根据权利要求6和7中的任一项所述的薄膜，其中，每个覆盖层具有在0.5nm和2nm之间的厚度。

9.根据权利要求6所述的薄膜，其中，所述纳米管中的至少一些纳米管共同地被涂覆有保护性覆盖层。

10.根据权利要求9所述的薄膜，其中，所述保护性覆盖层具有从1nm到10nm的厚度。

11.根据权利要求6至10中的任一项所述的薄膜，其中，所述覆盖层包含碳。

12.根据权利要求6至10中的任一项所述的薄膜，其中，所述覆盖层包含金属或半金属。

13.根据任一前述权利要求所述的薄膜，包括硅基纳米管和碳基纳米管两者。

14.根据权利要求13所述的薄膜，其中，所述硅基纳米管被布置成形成硅基纳米管层，并且其中，所述碳基纳米管被布置成形成碳基纳米管层。

15.根据权利要求14所述的薄膜，其中，所述硅基纳米管层被设置在碳基纳米管层之间。

16.根据权利要求14和15中的任一项所述的薄膜，其中，所述薄膜的最外层是碳基纳米管层。

17.根据权利要求14至16中的任一项所述的薄膜，还包括硅基纳米管和/或碳基纳米管的至少一个附加层。

18.根据权利要求13至17中的任一项所述的薄膜，还包括由硅基纳米管和碳基纳米管二者的组合形成的至少一个层。

19.一种薄膜组件，包括：

20.一种用于光刻设备的光刻部件，所述光刻部件包括根据权利要求1至19中的任一项所述的薄膜。