掩模板的制备方法和掩模板与流程

本公开涉及半导体，尤其涉及一种掩模板的制备方法和掩模板。

背景技术：

1、相移掩模（phaseshift mask，psm）光掩模制造技术是在感光石英基板上，先通过一道曝光、显影和蚀刻工序，在光掩模表面制造出极为细微的透光和不透光图案。然后，通过第二次曝光、显影和蚀刻工序，将部分不透光区域转变为相位层，以此利用相位抵消效应来提升对细微线条的解析度。在第二次曝光时，由于不同掩模板共用对位标记，在曝光时可能会造成大的偏移，产生缺陷，甚至导致掩模板报废。

2、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种掩模板的制备方法和掩模板。

2、第一方面，本公开实施例提供了一种掩模板的制备方法，所述掩模板包括主图形和多组对位标记，每一组所述对位标记均包括具有相同对准参数且分别位于不同位置的多个所述对位标记，且不同组所述对位标记的所述对准参数不同，所述方法包括：

3、在第一次曝光完成后，确定每一组所述对位标记的对准精度；

4、将所述对准精度最高的一组所述对位标记确定为目标对位标记；

5、基于所述目标对位标记执行第二次曝光。

6、在一些实施例中，所述对准参数包括下述至少之一：所述对位标记的类型、在所述对位标记中是否包含冗余图形；其中，所述冗余图形分布在所述对位标记的透光区的周围，且所述冗余图形透光。

7、在一些实施例中，在所述对位标记的类型为光栅的情况下，所述对准参数还包括下述至少之一：光栅占空比、光栅周期。

8、在一些实施例中，在所述对位标记包含所述冗余图形的情况下，所述对准参数还包括下述至少之一：所述冗余图形的形状、所述冗余图形的密度、所述冗余图形的尺寸。

9、在一些实施例中，部分组中的所述对位标记包括冗余图形；所述冗余图形分布在所述对位标记的透光区的周围，且所述冗余图形透光；所述冗余图形的尺寸小于所述透光区的尺寸。

10、在一些实施例中，所述确定每一组所述对位标记的对准精度，包括：

11、对于每一组所述对位标记，对所述第一次曝光后形成的图案进行轮廓提取；

12、将提取到的轮廓与理想目标图形进行相似度匹配，得到所述对准精度。

13、在一些实施例中，在确定每一组所述对位标记的对准精度之前，所述方法还包括：

14、执行所述第一次曝光，以在所述掩模板中形成所述主图形和所述多组对位标记。

15、在一些实施例中，所述对位标记均位于所述掩模板的边缘区域，所述对位标记用于精对准。

16、第二方面，本公开实施例提供了一种掩模板，包括：主图形和多组对位标记，每一组所述对位标记均包括具有相同对准参数且分别位于不同位置的多个所述对位标记，且不同组所述对位标记的所述对准参数不同；至少部分组所述对位标记包含冗余图形；所述冗余图形分布在所述对位标记的透光区的周围，且所述冗余图形透光。

17、在一些实施例中，所述对准参数包括下述至少之一：所述对位标记的类型、所述对位标记是否包含所述冗余图形；

18、其中，在所述对位标记的类型为光栅的情况下，所述对准参数还包括下述至少之一：光栅占空比、光栅周期；

19、和/或，在所述对位标记包含所述冗余图形的情况下，所述对准参数还包括下述至少之一：所述冗余图形的形状、所述冗余图形的密度、所述冗余图形的尺寸；

20、和/或，所述冗余图形的尺寸小于所述透光区的尺寸。

21、第三方面，本公开实施例提供一种掩模板的制备装置，所述掩模板包括主图形和多组对位标记，每一组所述对位标记均包括具有相同对准参数且分别位于不同位置的多个所述对位标记，且不同组所述对位标记的所述对准参数不同，所述装置包括：

22、对位单元，配置为在第一次曝光完成后，确定每一组所述对位标记的对准精度；以及将所述对准精度最高的一组所述对位标记确定为目标对位标记；

23、曝光单元，配置为基于所述目标对位标记执行第二次曝光。

24、在一些实施例中，所述对位单元，具体配置为对于每一组所述对位标记，对所述第一次曝光后形成的图案进行轮廓提取；以及将提取到的轮廓与理想目标图形进行相似度匹配，得到所述对准精度。

25、在一些实施例中，所述曝光单元，还配置为在确定每一组所述对位标记的对准精度之前，执行所述第一次曝光，以在所述掩模板中形成所述主图形和所述多组对位标记。

26、第三方面，本公开实施例提供了一种电子设备，包括存储器和处理器；

27、所述存储器，用于存储能够在所述处理器上运行的计算机程序；

28、所述处理器，用于在运行所述计算机程序时，执行如第一方面任一项所述方法的步骤。

29、第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被至少一个处理器执行时实现如第一方面任一项所述方法的步骤。

30、第五方面，本申请实施例提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如第一方面任一项所述方法的步骤。

31、本公开实施例提供了一种掩模板的制备方法和掩模板，通过在掩模板上设置多组具有不同对准参数的对位标记，在第一次曝光完成后、执行第二次曝光之前，分别确定每一组对位标记的对准精度，然后基于对准精度最高的一组对位标记进行第二次曝光的对准，以执行第二次曝光。基于本方案，针对不同材质组成和工艺的掩模板，均可以从多组对位标记中选出一组对准精度最高的对位标记作为第二次曝光所使用的对位标记，使得曝光工艺更加灵活，无需针对不同材质组成和工艺的掩模板分别进行曝光工艺设计，满足多种场景下的对准需求，提升二次曝光的精准度。

1.一种掩模板的制备方法，其特征在于，所述掩模板包括主图形和多组对位标记，每一组所述对位标记均包括具有相同对准参数且分别位于不同位置的多个所述对位标记，且不同组所述对位标记的所述对准参数不同，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对准参数包括下述至少之一：所述对位标记的类型、在所述对位标记中是否包含冗余图形；其中，所述冗余图形分布在所述对位标记的透光区的周围，且所述冗余图形透光。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述对位标记的类型为光栅的情况下，所述对准参数还包括下述至少之一：光栅占空比、光栅周期。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述对位标记包含所述冗余图形的情况下，所述对准参数还包括下述至少之一：所述冗余图形的形状、所述冗余图形的密度、所述冗余图形的尺寸。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，部分组中的所述对位标记包括冗余图形；所述冗余图形分布在所述对位标记的透光区的周围，且所述冗余图形透光；所述冗余图形的尺寸小于所述透光区的尺寸。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述确定每一组所述对位标记的对准精度，包括：

7.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，在确定每一组所述对位标记的对准精度之前，所述方法还包括：

8.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述对位标记均位于所述掩模板的边缘区域，所述对位标记用于精对准。

9.一种掩模板，其特征在于，包括：主图形和多组对位标记，每一组所述对位标记均包括具有相同对准参数且分别位于不同位置的多个所述对位标记，且不同组所述对位标记的所述对准参数不同；至少部分组所述对位标记包含冗余图形；所述冗余图形分布在所述对位标记的透光区的周围，且所述冗余图形透光。

10.根据权利要求9所述的掩模板，其特征在于，所述对准参数包括下述至少之一：所述对位标记的类型、所述对位标记是否包含所述冗余图形；