修改布局规划的器件和方法与流程

本发明涉及一种修改布局规划的器件和方法。

背景技术：

1、半导体集成电路（ic）产业经历了快速成长。在ic演变过程中，功能密度（即每芯片区域中互连器件的数量）普遍增加，而几何尺寸（即可使用制造工艺产生的最小组件（或线）的尺度，在某些应用中可测量为关键尺寸）则减少。各种工艺步骤用于在半导体晶圆上制造ic组件。这些步骤包括在半导体晶圆上形成一或多个光刻胶及/或硬掩模图案，结合一或多个沉积工艺、移除工艺及/或清洁工艺。在某些应用中，光刻用于将图案从光掩模转移到半导体晶圆上。随着ic芯片中ic组件密度增加，分辨率增强技术被开发以实现更精确的图案转移到晶圆上。

技术实现思路

1、在一些态样中，修改用于光掩模组的布局规划的方法包括基于第一光学邻近校正（opc）工艺接续第一反向光刻技术（ilt）工艺来处理布局规划的第一版本以获得第一处理后布局规划，布局规划的第一版本包括布局规划的第一部分。方法包括基于比较布局规划的第一版本和布局规划的第二版本来识别布局规划的第二部分，获得合并第一处理后布局规划和基于第二opc工艺处理布局规划的第二部分的结果的处理后组合布局规划，以及基于第二ilt工艺和对应于布局规划的第二部分的ilt处理区域来处理处理后组合布局规划以获得修改后布局规划。方法进一步包括将修改后布局规划储存至内存器件，光掩模组基于修改后布局规划。

2、在一些态样中，用于获得光掩模组的修改后布局规划的处理器件包括内存器件和耦合至内存器件的处理电路。处理电路配置成基于第一光学邻近校正（opc）工艺接续第一反向光刻技术（ilt）工艺来处理布局规划的第一版本以获得第一处理后布局规划，布局规划的第一版本包括布局规划的第一部分。处理电路配置成基于比较布局规划的第一版本和布局规划的第二版本来识别布局规划的第二部分，获得合并第一处理后布局规划和基于第二opc工艺处理布局规划的第二部分的结果的处理后组合布局规划，以及基于第二ilt工艺和对应于布局规划的第二部分的ilt处理区域来处理处理后组合布局规划以获得修改后布局规划。处理电路进一步配置成将修改后布局规划储存至内存器件，光掩模组基于修改后布局规划。

3、在一些态样中，一种非瞬时计算机可读取媒介储存指令，当该些指令由处理器件的处理电路执行时，造成处理器件基于第一光学邻近校正（opc）工艺接续第一反向光刻技术（ilt）工艺来处理用于光掩模组的布局规划的第一版本以获得第一处理后布局规划，布局规划的第一版本包括布局规划的第一部分。指令造成处理器件基于比较布局规划的第一版本和布局规划的第二版本来识别布局规划的第二部分，获得合并第一处理后布局规划和基于第二光学opc工艺处理布局规划的第二部分的结果的处理后组合布局规划，以及基于第二ilt工艺和对应于布局规划的第二部分的ilt处理区域来处理处理后组合布局规划以获得修改后布局规划。指令进一步造成处理器件将修改后布局规划储存在处理器件的内存器件中，光掩模组基于修改后布局规划。

1.一种修改光掩模组的布局规划的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述反向光刻技术处理区域是基于将所述布局规划的所述第二部分的外边缘向外扩展成合并影响距离。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中所述合并影响距离的范围为6纳米到20纳米。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述获得所述处理后组合布局图包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述获得所述处理后组合布局图包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述识别所述布局规划的所述第二部分包括：

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中：

9.一种用于获得光掩模组的修改后布局规划的处理器件，其特征在于，包括：

10.一种非暂时性计算机可读取媒体，其特征在于，其储存指令，当由处理器件的处理电路执行时，所述指令使所述处理器件：