掩膜板、阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置与流程

本申请涉及计显示面板，具体涉及一种掩膜板、阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术：

1、有机电致发光器件(organic light-emitting diode，oled)属于一种电流型的有机发光器件，是通过载流子的注入和复合而致发光的现象，发光强度与注入的电流成正比。其中阳极对oled器件的电流效率，发光亮度和器件寿命具有决定性的作用。但在阳极的制程中，会存在刻蚀残留的问题。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本申请实施例的提供了一种掩膜板、阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。

2、第一方面，本申请实施例提供一种掩膜板，包括：掩膜板本体，掩膜板本体包括完全透光区、部分透光区和不透光区，其中，部分透光区位于完全透光区和不透光区之间，部分透光区包括多条狭缝，狭缝的狭缝宽度小于曝光机的曝光精度，沿完全透光区指向部分透光区方向上，部分透光区的狭缝的狭缝宽度减小；其中，掩膜板用于制备阵列基板的平坦化层和至少一个堤坝，阵列基板包括第一区域和围绕第一区域的第二区域，堤坝位于第二区域且围绕第一区域，平坦化层和堤坝之间具有凹槽，凹槽的侧壁包括至少一个斜面，部分透光区与凹槽的侧壁对应，完全透光区与凹槽的底壁对应，不透光区与平坦化层和堤坝对应。

3、结合第一方面，沿完全透光区指向部分透光区方向上，狭缝的狭缝宽度梯度减小；优选地，狭缝的狭缝宽度等比例或不等比例减小；优选地，狭缝的狭缝宽度小于或等于2.5μm；优选地，狭缝的狭缝宽度小于或等于2μm。

4、结合第一方面，部分透光区包括依次设置的第一狭缝组、第二狭缝组和第三狭缝组，第一狭缝组与完全透光区相邻，第三狭缝组与不透光区相邻；其中，第一狭缝组包括的狭缝的狭缝宽度大于第二狭缝组包括的狭缝的狭缝宽度，第二狭缝组包括的狭缝的狭缝宽度大于第三狭缝组包括的狭缝的狭缝宽度；优选地，沿完全透光区指向部分透光区方向上，第一狭缝组包括的狭缝的狭缝宽度梯度减小，第二狭缝组包括的狭缝的狭缝宽度相同，第三狭缝组包括的狭缝的狭缝宽度梯度减小。

5、第二方面，本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法，阵列基板包括第一区域和围绕第一区域的第二区域，制备方法包括：在衬底的一侧制备有机材料层；利用第一掩膜板对有机材料层位于第二区域的至少部分进行曝光显影，形成平坦化层和至少一个堤坝，堤坝位于第二区域且围绕第一区域，平坦化层和堤坝之间具有凹槽，凹槽的侧壁包括至少一个斜面；其中，第一掩膜板包括完全透光区、部分透光区和不透光区，其中，部分透光区对应凹槽的侧壁，完全透光区对应凹槽的底壁，不透光区对应平坦化层和堤坝，部分透光区包括多条狭缝，狭缝的狭缝宽度小于曝光机的曝光精度，沿完全透光区指向部分透光区方向上，狭缝的狭缝宽度减小；在平坦化层背离衬底一侧制备第一电极材料层，对第一电极材料层进行图案化得到第一电极层。

6、结合第二方面，沿完全透光区指向部分透光区方向上，狭缝的狭缝宽度梯度减小，利用第一掩膜板对有机材料层位于第二区域的至少部分进行曝光显影，形成平坦化层和至少一个堤坝，包括：在有机材料层背离衬底一侧涂覆光刻胶；利用第一掩膜板对光刻胶进行曝光、显影，在光刻胶上形成完全去除区域、部分保留区域和完全保留区域，部分保留区域对应部分透光区，部分保留区域的光刻胶的厚度梯度变化；进行刻蚀处理，在有机材料层上形成平坦化层和堤坝，平坦化层和堤坝之间的凹槽的侧壁包括一个斜面，斜面与衬底的夹角大于或等于5°且小于或等于25°。

7、结合第二方面，沿完全透光区指向不透光区方向上，部分透光区包括依次设置的第一狭缝组、第二狭缝组和第三狭缝组，第一狭缝组包括的狭缝的狭缝宽度梯度减小，第二狭缝组包括的狭缝的狭缝宽度相同，第三狭缝组包括的狭缝的狭缝宽度梯度减小，利用第一掩膜板对有机材料层位于第二区域的至少部分进行曝光显影，形成平坦化层和至少一个堤坝，包括：在有机材料层背离衬底一侧涂覆光刻胶；利用第一掩膜板对光刻胶进行曝光、显影，在光刻胶上形成完全去除区域、部分保留区域和完全保留区域，部分保留区域对应部分透光区；进行刻蚀处理，在有机材料层上形成平坦化层和堤坝，平坦化层和堤坝之间的凹槽的侧壁包括沿远离衬底方向依次连接的第一斜面、第一平面和第二斜面，其中，第一斜面与衬底的夹角大于或等于5°且小于或等于25°；第二斜面与衬底的夹角大于或等于5°且小于或等于25°；优选地，第一斜面与衬底的夹角等于第二斜面与衬底的夹角。

8、结合第二方面，在衬底的一侧制备有机材料层之前，制备方法还包括：在衬底的一侧制备驱动电路层，驱动电路层包括源漏极；以及在利用第一掩膜板对有机材料层位于第二区域的至少部分进行曝光显影，形成平坦化层和至少一个堤坝的步骤之前或之后，制备方法还包括：利用第二掩膜板对有机材料层位于第一区域的至少部分进行曝光显影，在平坦化层上形成多个过孔，过孔暴露源漏极，第一电极通过过孔与源漏极连接。

9、第三方面，本申请实施例提供一种阵列基板，包括：上述提及的任一项的制备方法制备而成的阵列基板。

10、第四方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括上述提及的阵列基板。

11、第五方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括上述提及的显示面板。

12、本申请提供一种掩膜板、阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板及显示装置，本申请通过将掩膜板设置为完全透光区、部分透光区和不透光区，使部分透光区的狭缝的宽度小于曝光机的曝光精度，并且使部分透光区与凹槽的侧壁对应，完全透光区与凹槽的底壁对应，不透光区与平坦化层和堤坝对应，由于部分透光区的狭缝的宽度小于曝光机的曝光精度，因此凹槽的侧壁的曝光精度较低，显影不完全，致使凹槽侧壁与凹槽底壁之间的夹角较大，进而便于图案化处理凹槽侧壁和底壁上的待刻蚀层。即使刻蚀液与凹槽侧壁和凹槽底壁的待刻蚀层充分接触，以对待刻蚀层进行充分刻蚀，避免造成刻蚀残留，且不会对其他结构造成影响。

1.一种掩膜板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，沿所述完全透光区指向所述部分透光区方向上，所述狭缝的狭缝宽度梯度减小；

3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述部分透光区包括依次设置的第一狭缝组、第二狭缝组和第三狭缝组，所述第一狭缝组与所述完全透光区相邻，所述第三狭缝组与所述不透光区相邻；

4.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述制备方法包括：

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，沿所述完全透光区指向所述部分透光区方向上，所述狭缝的狭缝宽度梯度减小，所述利用第一掩膜板对所述有机材料层位于所述第二区域的至少部分进行曝光显影，形成平坦化层和至少一个堤坝，包括：

6.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，沿所述完全透光区指向所述不透光区方向上，所述部分透光区包括依次设置的第一狭缝组、第二狭缝组和第三狭缝组，所述第一狭缝组包括的狭缝的狭缝宽度梯度减小，所述第二狭缝组包括的狭缝的狭缝宽度相同，所述第三狭缝组包括的狭缝的狭缝宽度梯度减小，所述利用第一掩膜板对所述有机材料层位于所述第二区域的至少部分进行曝光显影，形成平坦化层和至少一个堤坝，包括：

7.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在衬底的一侧制备有机材料层之前，所述制备方法还包括：

8.一种阵列基板，其特征在于，包括：根据权利要求4至7任一项所述的制备方法制备而成的阵列基板。

9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求8所述的阵列基板。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。