芯片、MEMS封装结构及电子设备的制作方法

本申请涉及mems封装，更具体地，涉及一种芯片、mems封装结构及电子设备。

背景技术：

1、现有技术中，mems（micro electro mechanical system，微型机电系统）封装结构主要由芯片和封装外壳等结构组成，以实现声电转换。然而，封装外壳通常与芯片中的振膜相互邻近且相对设置，二者在狭小的封装空间内极易形成耦合电场，进而产生不可规避的寄生电容；而且，芯片通常还设置有多个振膜，相邻两个振膜相互邻近且相对设置，不同振膜之间在狭小的封装空间内也极易形成耦合电场，进而产生不可规避的寄生电容；因此上述两种寄生电容均会导致mems封装结构的灵敏度和信噪比下降。

2、因此，需要提供一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本申请的一个目的是提供一种芯片、mems封装结构及电子设备的新技术方案。

2、根据本申请的第一方面，提供了一种芯片，其中，所述芯片包括：

3、基底，所述基底开设有声孔；

4、振膜和背板，所述振膜包括第一振膜和第二振膜，所述第一振膜连接于所述基底，所述背板连接于所述第一振膜背离所述基底的一侧，所述第二振膜连接于所述背板背离所述第一振膜的一侧；所述背板开设有多个音孔，多个所述音孔与所述声孔相对设置；至少一个所述音孔所对应的所述第一振膜处开设有第一通孔，和/或至少一个所述音孔所对应的所述第二振膜处开设有第二通孔；

5、介电材料，所述介电材料包括第一介电材料和第二介电材料，所述第一介电材料覆盖所述第一通孔，和/或所述第二介电材料覆盖所述第二通孔。

6、可选地，所述第一介电材料设置于至少部分所述第一振膜靠近所述基底的一侧；

7、和/或，所述第二介电材料设置于至少部分所述第二振膜靠近所述基底的一侧。

8、可选地，所述第一介电材料设置于至少部分所述第一振膜背离所述基底的一侧，且部分所述第一介电材料填充于所述第一通孔内；

9、和/或，所述第二介电材料设置于至少部分所述第二振膜背离所述基底的一侧，且部分所述第二介电材料填充于所述第二通孔内。

10、可选地，所述第一介电材料包括第一子介电材料和第二子介电材料，所述第一子介电材料设置于至少部分所述第一振膜靠近所述基底的一侧，所述第二子介电材料设置于至少部分所述第一振膜背离所述基底的一侧，且部分所述第二子介电材料填充于所述第一通孔内；

11、和/或，所述第二介电材料包括第三子介电材料和第四子介电材料，所述第三子介电材料设置于至少部分所述第二振膜靠近所述基底的一侧，所述第四子介电材料设置于至少部分所述第二振膜背离所述基底的一侧，且部分所述第四子介电材料填充于所述第二通孔内。

12、可选地，所述第一子介电材料和所述第二子介电材料的材质相同，或者所述第一子介电材料和所述第二子介电材料的材质不同；

13、和/或，所述第三子介电材料和所述第四子介电材料的材质相同，或者所述第三子介电材料和所述第四子介电材料的材质不同。

14、可选地，所述第一子介电材料覆盖所述第一振膜靠近所述基底的一侧，所述第二子介电材料覆盖所述第一振膜背离所述基底的一侧；

15、和/或，所述第三子介电材料覆盖所述第二振膜靠近所述基底的一侧，所述第四子介电材料覆盖所述第二振膜背离所述基底的一侧。

16、可选地，所述第一通孔的孔径和所述第二通孔的孔径相同，或者所述第一通孔的孔径和所述第二通孔的孔径不同。

17、可选地，所述第一介电材料包括第五子介电材料和第六子介电材料，所述第五子介电材料填充于所述第一通孔内，所述第六子介电材料呈环形设置，且夹设于所述第五子介电材料和所述第一振膜之间；

18、和/或，所述第二介电材料包括第七子介电材料和第八子介电材料，所述第七子介电材料填充于所述第二通孔内，所述第八子介电材料呈环形设置，且夹设于所述第七子介电材料和所述第二振膜之间。

19、可选地，所述第一介电材料的中心轴线与所述音孔的中心轴线相互错开设置，并且所述第一介电材料向着所述基底的至少部分正投影与所述音孔向着所述基底的至少部分正投影重合；

20、和/或，所述第二介电材料的中心轴线与所述音孔的中心轴线相互错开设置，并且所述第二介电材料向着所述基底的至少部分正投影与所述音孔向着所述基底的至少部分正投影重合。

21、可选地，所述第一通孔的截面形状呈圆形、环形或多边形；

22、和/或，所述第二通孔的截面形状呈圆形、环形或多边形。

23、可选地，所述第一介电材料填充于所述第一通孔内，和/或所述第二介电材料填充于所述第二通孔内。

24、可选地，所述第一介电材料填充于所述第一通孔内，且部分所述第一振膜覆盖所述第一介电材料；

25、和/或，所述第二介电材料填充于所述第二通孔内，且部分所述第二振膜覆盖所述第二介电材料。

26、可选地，所述介电材料的材质包括氮化硅和碳化硅中的至少一种。

27、根据本申请的第二方面，提供一种mems封装结构，其中，包括封装外壳和如第一方面任一项所述的芯片，所述封装外壳形成有容纳腔，所述芯片设置于所述容纳腔。

28、根据本申请的第三方面，提供一种电子设备，其中，包括如第一方面任一项所述的芯片，或者包括如第二方面所述的mems封装结构。

29、本申请中的芯片，通过第一介电材料覆盖第一通孔，和/或通过第二介电材料覆盖第二通孔，有效去除了与音孔相对设置的振膜的电场线，降低了寄生电容，提高了mems封装结构的灵敏度和信噪比。

30、通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。

1.一种芯片，设置于mems封装结构的封装外壳形成的容纳腔中，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一介电材料（701）设置于至少部分所述第一振膜（201）靠近所述基底（1）的一侧；

3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一介电材料（701）设置于至少部分所述第一振膜（201）背离所述基底（1）的一侧，且部分所述第一介电材料（701）填充于所述第一通孔（2011）内；

4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一介电材料（701）包括第一子介电材料（7011）和第二子介电材料（7012），所述第一子介电材料（7011）设置于至少部分所述第一振膜（201）靠近所述基底（1）的一侧，所述第二子介电材料（7012）设置于至少部分所述第一振膜（201）背离所述基底（1）的一侧，且部分所述第二子介电材料（7012）填充于所述第一通孔（2011）内；

5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述第一子介电材料（7011）和所述第二子介电材料（7012）的材质相同，或者所述第一子介电材料（7011）和所述第二子介电材料（7012）的材质不同；

6.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述第一子介电材料（7011）覆盖所述第一振膜（201）靠近所述基底（1）的一侧，所述第二子介电材料（7012）覆盖所述第一振膜（201）背离所述基底（1）的一侧；

7.根据权利要求4-6任一项所述的芯片，其特征在于，所述第一通孔（2011）的孔径和所述第二通孔（2021）的孔径相同，或者所述第一通孔的孔径（2011）和所述第二通孔（2021）的孔径不同。

8.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一介电材料（701）包括第五子介电材料（7013）和第六子介电材料（7014），所述第五子介电材料（7013）填充于所述第一通孔（2011）内，所述第六子介电材料（7014）呈环形设置，且夹设于所述第五子介电材料（7013）和所述第一振膜（201）之间；

9.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一介电材料（701）的中心轴线与所述音孔（300）的中心轴线相互错开设置，并且所述第一介电材料（701）向着所述基底（1）的至少部分正投影与所述音孔（300）向着所述基底（1）的至少部分正投影重合；

10.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一通孔（2011）的截面形状呈圆形、环形或多边形；

11.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一介电材料（701）填充于所述第一通孔（2011）内，和/或所述第二介电材料（702）填充于所述第二通孔（2021）内。

12.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一介电材料（701）填充于所述第一通孔（2011）内，且部分所述第一振膜（201）覆盖所述第一介电材料（701）；

13.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述介电材料（7）的材质包括氮化硅和碳化硅中的至少一种。

14.一种mems封装结构，其特征在于，包括封装外壳和如权利要求1-13任一项所述的芯片，所述封装外壳形成有容纳腔，所述芯片设置于所述容纳腔。

15.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-13任一项所述的芯片，或者包括如权利要求14所述的mems封装结构。