芯片、MEMS封装结构及电子设备的制作方法

本申请涉及mems封装，更具体地，涉及一种芯片、mems封装结构及电子设备。

背景技术：

1、现有技术中，mems（micro electro mechanical system，微型机电系统）封装结构主要由芯片和封装外壳等结构组成，以实现声电转换。然而，封装外壳通常与芯片中的振膜相互邻近且相对设置，二者在狭小的封装空间内极易形成耦合电场，进而产生不可规避的寄生电容，导致mems封装结构的灵敏度和信噪比下降。

2、因此，需要提供一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本申请的一个目的是提供一种芯片、mems封装结构及电子设备的新技术方案。

2、根据本申请的第一方面，提供了一种芯片，其中，所述芯片包括：

3、基底，所述基底开设有声孔；

4、振膜和背板，所述振膜连接于所述基底，所述背板连接于所述振膜背离所述基底的一侧；或者，所述背板连接于所述基底，所述振膜连接于所述背板背离所述基底的一侧；

5、所述背板开设有多个音孔，多个所述音孔与所述声孔相对设置；所述振膜形成有第一区域和第二区域，所述第一区域与至少一个所述音孔相对设置；所述第一区域的电导率与所述第二区域的电导率不同，或者所述第一区域的掺杂类型与所述第二区域的掺杂类型不同。

6、可选地，所述振膜包括第一振膜和第二振膜，所述第一振膜连接于所述基底，所述背板连接于所述第一振膜背离所述基底的一侧，所述第二振膜连接于所述背板背离所述第一振膜的一侧；

7、所述第一振膜形成有第一子区域和第二子区域，所述第一子区域与至少一个所述音孔相对设置，所述第一子区域的电导率与所述第二子区域的电导率不同，或者所述第一子区域的掺杂类型与所述第二子区域的掺杂类型不同；和/或，所述第二振膜形成有第三子区域和第四子区域，所述第三子区域与至少一个所述音孔相对设置，所述第三子区域的电导率与所述第四子区域的电导率不同，或者所述第三子区域的掺杂类型与所述第四子区域的掺杂类型不同。

8、可选地，所述振膜还包括第三振膜；

9、所述背板包括第一背板和第二背板，所述第一背板设置于所述第一振膜和所述第二振膜之间，所述第二背板设置于所述第二振膜和所述第三振膜之间。

10、可选地，所述第一背板开设有多个第一音孔，多个所述第一音孔与所述声孔相对设置；所述第二背板开设有多个第二音孔，多个所述第二音孔与所述第一音孔相对设置；

11、所述第三振膜形成有第五子区域和第六子区域，所述第五子区域与至少一个所述第二音孔相对设置，所述第五子区域的电导率与所述第六子区域的电导率不同，或者所述第五子区域的掺杂类型与所述第六子区域的掺杂类型不同。

12、可选地，还包括连接柱，所述连接柱穿过所述音孔连接所述第一振膜和所述第二振膜。

13、可选地，所述第一区域的中心轴线与所述音孔的中心轴线相互错开设置，并且所述第一区域向着所述基底的至少部分正投影与所述音孔向着所述基底的至少部分正投影重合。

14、可选地，部分所述第二区域覆盖所述第一区域。

15、可选地，所述背板为单层背板或多层背板。

16、可选地，还包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述基底和所述振膜之间，所述第二绝缘层设置于所述振膜和所述背板之间；

17、或者，还包括第三绝缘层和第四绝缘层，所述第三绝缘层设置于所述基底和所述背板之间，所述第四绝缘层设置于所述振膜和所述背板之间。

18、根据本申请的第二方面，提供一种mems封装结构，其中，包括封装外壳和如第一方面任一项所述的芯片，所述封装外壳形成有容纳腔，所述芯片设置于所述容纳腔。

19、根据本申请的第三方面，提供一种电子设备，其中，包括如第一方面任一项所述的芯片，或者包括如第二方面所述的mems封装结构。

20、本申请中的芯片，通过设置第一区域的电导率与第二区域的电导率不同，或者设置第一区域的掺杂类型与第二区域的掺杂类型不同，有效去除了与音孔相对设置的第一区域的电场线，降低了寄生电容，提高了mems封装结构的灵敏度和信噪比。

21、通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。

1.一种芯片，设置于mems封装结构的封装外壳形成的容纳腔中，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述振膜（2）包括第一振膜（201）和第二振膜（202），所述第一振膜（201）连接于所述基底（1），所述背板（3）连接于所述第一振膜（201）背离所述基底（1）的一侧，所述第二振膜（202）连接于所述背板（3）背离所述第一振膜（201）的一侧；

3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述振膜（2）还包括第三振膜（203）；

4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述第一背板（301）开设有多个第一音孔，多个所述第一音孔与所述声孔（100）相对设置；所述第二背板（302）开设有多个第二音孔，多个所述第二音孔与所述第一音孔相对设置；

5.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，还包括连接柱（4），所述连接柱（4）穿过所述音孔（300）连接所述第一振膜（201）和所述第二振膜（202）。

6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一区域（21）的中心轴线与所述音孔（300）的中心轴线相互错开设置，并且所述第一区域（21）向着所述基底（1）的至少部分正投影与所述音孔（300）向着所述基底（1）的至少部分正投影重合。

7.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，部分所述第二区域（22）覆盖所述第一区域（21）。

8.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述背板（3）为单层背板或多层背板。

9.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，还包括第一绝缘层（501）和第二绝缘层（502），所述第一绝缘层（501）设置于所述基底（1）和所述振膜（2）之间，所述第二绝缘层（502）设置于所述振膜（2）和所述背板（3）之间；

10.一种mems封装结构，其特征在于，包括封装外壳和如权利要求1-9任一项所述的芯片，所述封装外壳形成有容纳腔，所述芯片设置于所述容纳腔。

11.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的芯片，或者包括如权利要求10所述的mems封装结构。