半导体工艺腔室及其压环组件的制作方法

本申请属于半导体，具体涉及一种半导体工艺腔室及其压环组件。

背景技术：

1、在半导体技术领域，磁控溅射技术是物理气相沉积薄膜比较普遍的方式之一，具体为通过驱动源驱动磁控管旋转，使磁控管在靶材的表面形成均匀的磁场，将离化的电子束缚在一定的范围内，在磁场的作用下，靶材溅射的离子在晶圆的表面形成金属薄膜。

2、相关技术中，半导体工艺腔室包括腔室本体，腔室本体内设有承载晶圆2的基座以及压环1，在溅射金属离子的过程中，需要加热基座，使基座的热量传递至晶圆2，压环1套设在基座的外围，通过压环1来固定晶圆，压环1与晶圆2的配合结构参考图1所示。但是，在溅射金属离子的过程中，压环1的遮挡件1a也会吸收溅射的金属离子，使压环1的遮挡件1a向基座的中心延伸，导致遮挡件1a对晶圆2的遮挡区域增大，影响晶圆2的边缘区域的成膜质量，镀膜均匀性降低，工艺效果降低。

技术实现思路

1、本申请实施例的目的是提供一种半导体工艺腔室及其压环组件，能够解决相关技术中工艺过程中压环对晶圆的遮挡区域增大导致镀膜均匀性降低的问题。

2、第一方面，本申请实施例提供一种半导体工艺腔室的压环组件，所述腔室内设有基座，所述压环组件包括压环本体、遮挡件以及驱动组件，

3、所述压环本体可设置于所述基座的外围；

4、所述驱动组件包括相对的第一磁性件以及第二磁性件，所述第一磁性件与所述遮挡件相连，利用所述第一磁性件与所述第二磁性件之间的磁性作用力对所述第一磁性件驱动，从而使得所述遮挡件能够相对于所述压环本体运动，以调整所述遮挡件相对于所述压环本体内边缘伸出的距离。

5、第二方面，本申请实施例还提供一种半导体工艺腔室，包括腔室本体以及上述的压环组件，所述腔室本体内设有基座和内衬，所述内衬与所述腔室本体的内壁相连，且所述压环本体与所述内衬相连，以使所述压环组件位于所述基座的外围，所述第二磁性件设置于所述内衬。

6、在本申请实施例中，遮挡件设置成可活动的方式，并增设驱动组件，通过驱动组件驱动遮挡件相对于压环本体运动，具体地，在工艺过程中，遮挡件会吸收溅射的金属离子，金属离子的聚集使遮挡件向压环本体的中心延伸，遮挡件的边缘更靠近基座的中心，而第一磁性件与第二磁性件之间能产生磁性作用力，第一磁性件受磁性作用力并带动遮挡件相对于压环本体活动，以调整遮挡件相对于压环本体的内边缘伸出的距离，实现遮挡件远离压环本体的中心，使遮挡件由压环本体的内边缘伸出的部分在压环本体的径向上的尺寸恒定，也就是说，遮挡件的边缘相对于基座的位置恒定，避免遮挡件积累金属离子而靠近基座的中心，进而避免遮挡件阻挡金属离子溅射至晶圆的边缘，保证晶圆的边缘区域的成膜质量，有利于提高镀膜均匀性，提升工艺效果。

1.一种半导体工艺腔室的压环组件，所述腔室内设有基座（20），其特征在于，所述压环组件（10）包括压环本体（100）、遮挡件（200）以及驱动组件（300），

2.根据权利要求1所述的压环组件，其特征在于，所述压环本体（100）设有相连通的容纳空间（100a）以及开口（100b），所述遮挡件（200）可活动地设置于所述容纳空间（100a）内，且所述遮挡件（200）的一部分由所述开口（100b）伸出至所述容纳空间（100a）之外。

3.根据权利要求2所述的压环组件，其特征在于，所述压环本体（100）包括环座（110）、连接侧壁（120）和遮挡罩（130），

4.根据权利要求1所述的压环组件，其特征在于，所述压环组件（10）还包括弹性件（400），所述弹性件（400）的第一端与所述压环本体（100）相连，所述弹性件（400）的第二端与所述遮挡件（200）相连，在所述第一磁性件（310）带动所述遮挡件（200）相对于所述压环本体（100）运动的过程中，所述弹性件（400）产生弹性形变。

5.根据权利要求1所述的压环组件，其特征在于，在所述压环本体（100）的周向上，所述驱动组件（300）和所述遮挡件（200）分别间隔设置多个，所述驱动组件（300）与所述遮挡件（200）一一对应。

6.根据权利要求1所述的压环组件，其特征在于，所述压环组件还包括导向机构（500），所述导向机构（500）与所述遮挡件（200）相连，以对所述遮挡件（200）的运动方向施加导向。

7.根据权利要求6所述的压环组件，其特征在于，所述导向机构（500）包括滑轨（510）和滑动件，所述压环本体（100）和所述遮挡件（200）中的一者与所述滑轨（510）相连，另一者与所述滑动件相连，所述滑轨（510）沿所述压环本体（100）的径向延伸，所述滑轨（510）与所述滑动件滑动配合。

8.根据权利要求7所述的压环组件，其特征在于，所述滑动件包括滚轮（520），所述滚轮（520）与所述滑轨（510）滚动配合；

9.根据权利要求1所述的压环组件，其特征在于，所述压环组件还包括第一固定环（610）和第二固定环（620），所述第一固定环（610）和所述第二固定环（620）均连接于所述压环本体（100），所述第二固定环（620）套设在所述第一固定环（610）的外部，所述第一固定环（610）和所述第二固定环（620）的上端分别与所述压环本体（100）相连，所述第一固定环（610）、所述压环本体（100）以及所述第二固定环（620）共同形成用于供内衬（30）伸入的环形空间（600a）。

10.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体以及权利要求1-9任一项所述的压环组件（10），所述腔室本体内设有基座（20）和内衬（30），所述内衬（30）与所述腔室本体的内壁相连，且所述压环本体（100）与所述内衬（30）相连，以使所述压环组件（10）位于所述基座（20）的外围，所述第二磁性件（320）设置于所述内衬（30）。

11.根据权利要求10所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括靶材，所述靶材设置于所述腔室本体的顶部，所述靶材用于向所述基座（20）承载的晶圆溅射金属离子，所述第一磁性件（310）为电磁件，所述电磁件的通电状态根据所述靶材的消耗速度而调节。