高度缺陷晶片的动态检验的制作方法

摘要: 本公开广泛地涉及晶片检验,且更具体来说涉及高度缺陷晶片的缺陷检测。背景技术:1、存储器制作,尤其在研发(r&d)阶段期间,会关于用于工艺监测的标准光学检验方法(...
高度缺陷晶片的动态检验的制作方法

本公开广泛地涉及晶片检验,且更具体来说涉及高度缺陷晶片的缺陷检测。

背景技术:

1、存储器制作,尤其在研发(r&d)阶段期间,会关于用于工艺监测的标准光学检验方法(例如,使用宽带等离子(bbp)进行的检验)造成三个主要挑战。第一个挑战是关于高度缺陷晶片,其中晶片上的缺陷率可能会达到在晶片上有数千万或者数亿个缺陷。客户可使用的任何检验均无法适应此类晶片中缺陷的数目,且因此难以对晶片上的真实缺陷计数进行估计。制作设施需要bbp检验来跟踪缺陷计数及晶片标志(signature)以改善设施的各种制作工艺。若bbp检验结果无法适应高的缺陷计数,则此种跟踪是不可能实现的。其次,制作工艺中甚至小的改变也可引起缺陷计数的巨大变化且甚至引起滋扰及噪声源的更大变异,此加剧了检验异常终止(blowup)问题。此使得检验变得不稳定,进而引起频繁的检验故障。最后,关于检测及滋扰过滤算法的分类边界,受关注缺陷(doi)及滋扰事件的特性越来越不稳定。此种不稳定性在由宽带等离子工具提供的图像中是固有的,且会使得在每一晶片上静态检验是以严重次优的灵敏度运行。

2、此三个问题使得宽带等离子检验极其难以控制,而此又会降低宽带等离子工具进行工艺监测导引的效率。这些问题也会随着每一种新的技术节点而变得更加严重,因为需要使光学检验过程检测更小且更弱的缺陷。由于对于制作来说晶片噪声甚至比缺陷率更难以控制,因此不可避免的,此种问题将会增长。

3、当前,如今用以检验晶片的唯一方法是通过使用利用扫描电子显微镜(sem)再检视在一个(或多个)晶片上发现的受关注缺陷(doi)及滋扰群体来调谐所述晶片上的光学(例如,bbp)检验并且然后在后续的晶片上运行经调谐的静态光学检验。

4、因此,期望提供一种能解决上述缺点的系统及方法。

技术实现思路

1、根据本公开的一或多个实施例,公开一种用于对晶片进行动态检验的系统。在实施例中,所述系统包含控制器,所述控制器包含一或多个处理器,所述一或多个处理器经配置以执行存储器中所存储的一组程序指令。在实施例中,所述程序指令经配置以致使所述处理器从所述光学检验工具接收对所述晶片的无监督光学扫描。在实施例中,所述程序指令经配置以致使所述处理器产生所述晶片的上下文离群值,其中所述上下文离群值是所述晶片独有的。在实施例中,所述程序指令经配置以致使所述处理器基于由对所述晶片的所述无监督光学扫描检测到的每一事件的信号强度而将来自所述无监督光学扫描的检验结果划分成多个阶层。在实施例中,所述程序指令经配置以致使所述处理器确定将被划分到所述多个阶层中的每一者中的所述事件的固定数目。在实施例中,所述程序指令经配置以致使所述处理器利用从再检视工具接收的对所述晶片的电子束扫描来再检视所述无监督光学扫描。在实施例中,所述程序指令经配置以致使所述处理器基于对所述晶片的所述电子束扫描的结果而确定受关注缺陷的估计数目。在实施例中,所述程序指令经配置以致使所述处理器基于对所述晶片的所述电子束扫描而确定一或多个缺陷类型分类。在实施例中,所述程序指令经配置以致使所述处理器产生晶片标志。

2、根据本公开的一或多个实施例,公开一种用于对晶片进行动态检验的系统。在实施例中,所述系统包含光学检验工具。在实施例中,所述系统包含再检视工具。在实施例中,所述系统包含控制器,所述控制器包含一或多个处理器,所述一或多个处理器经配置以执行存储器中所存储的一组程序指令。在实施例中,所述程序指令经配置以致使所述处理器从光学检验工具接收对所述晶片的无监督光学扫描。在实施例中,所述程序指令经配置以致使所述处理器产生所述晶片的上下文离群值,其中所述上下文离群值是所述晶片独有的。在实施例中,所述程序指令经配置以致使所述处理器基于由对所述晶片的所述无监督光学扫描检测到的每一事件的信号强度而将来自所述无监督光学扫描的检验结果划分成多个阶层。在实施例中,所述程序指令经配置以致使所述处理器确定将被划分到所述多个阶层中的每一者中的所述事件的固定数目。在实施例中,所述程序指令经配置以致使所述处理器利用从再检视工具接收的对所述晶片的电子束扫描来再检视所述无监督光学扫描。在实施例中,所述程序指令经配置以致使所述处理器基于对所述晶片的所述电子束扫描的结果而确定受关注缺陷的估计数目。在实施例中,所述程序指令经配置以致使所述处理器基于对所述晶片的所述电子束扫描而确定一或多个缺陷类型分类。在实施例中,所述程序指令经配置以致使所述处理器产生晶片标志。

3、根据本公开的一或多个实施例,公开一种用于对晶片进行动态检验的方法。在实施例中,所述方法包含从光学检验工具接收对所述晶片的无监督光学扫描。在实施例中,所述方法包含产生所述晶片的上下文离群值,其中所述上下文离群值是所述晶片独有的。在实施例中,所述方法包含基于由对所述晶片的所述无监督光学扫描检测到的每一事件的信号强度而将来自所述无监督光学扫描的检验结果划分成多个阶层。在实施例中,所述方法包含确定将被划分到所述多个阶层中的每一者中的所述事件的固定数目。在实施例中,所述方法包含利用从再检视工具接收的对所述晶片的电子束扫描来再检视所述无监督光学扫描。在实施例中,所述方法包含基于对所述晶片的所述电子束扫描的结果而确定受关注缺陷的估计数目。在实施例中,所述方法包含基于对所述晶片的所述电子束扫描而确定一或多个缺陷类型分类。在实施例中,所述方法包含产生晶片标志。

1.一种用于对晶片进行动态检验的系统,其包括:

2.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个缺陷类型分类包括开路、桥接处、刮痕、残留物、颗粒、蚀刻不足或通孔缺失中的至少一者。

3.根据权利要求1所述的系统,其中所述多个阶层中的顶部阶层对应于具有最强信号的所述事件。

4.根据权利要求3所述的系统,其中所述多个阶层中的后续阶层对应于具有较弱信号的所述事件。

5.根据权利要求1所述的系统,其中将被划分到所述多个阶层中的每一者中的所述事件的所述固定数目是通过对所述事件进行下采样而确定的。

6.根据权利要求5所述的系统,其中对所述事件进行下采样是利用可重新正规化采样策略而执行的。

7.根据权利要求1所述的系统,其中将被划分到所述多个阶层中的每一者中的所述事件的所述固定数目是利用减少比率而确定的。

8.根据权利要求1所述的系统,其中对所述晶片的所述电子束扫描是无监督的。

9.根据权利要求1所述的系统,其中基于对所述晶片的所述电子束扫描而确定一或多个缺陷类型分类包含对所述电子束扫描进行人工调谐。

10.根据权利要求1所述的系统,其中所述一组程序指令进一步经配置以致使所述一或多个处理器:

11.根据权利要求1所述的系统,其中所述一组程序指令进一步经配置以致使所述一或多个处理器:

12.根据权利要求1所述的系统,其中所述一组程序指令进一步经配置以致使所述一或多个处理器:

13.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个处理器设置有检验准则。

14.根据权利要求13所述的系统,其中所述检验准则包含检验区域或目标缺陷中的一或多者。

15.根据权利要求1所述的系统,其中所述一组程序指令进一步经配置以致使所述一或多个处理器:

16.根据权利要求15所述的系统,其中所述动态检验被调谐到相同操作点以将受关注缺陷的所述估计数目生成为反映不同晶片之间的实际缺陷计数差异。

17.根据权利要求1所述的系统,其中所述受关注缺陷的所述晶片标志是通过针对每一受关注缺陷类型基于次级阈值来以低杂质创建分仓而产生的。

18.一种用于对晶片进行动态检验的系统,其包括:

19.根据权利要求18所述的系统,其中所述一组程序指令进一步经配置以致使所述一或多个处理器:

20.根据权利要求18所述的系统,其中所述一组程序指令进一步经配置以致使所述一或多个处理器:

21.根据权利要求18所述的系统,其中所述一组程序指令进一步经配置以致使所述一或多个处理器:

22.根据权利要求18所述的系统,其中所述一组程序指令进一步经配置以致使所述一或多个处理器:

23.根据权利要求22所述的系统,其中所述动态检验被调谐到相同操作点以将受关注缺陷的所述估计数目生成为反映不同晶片之间的实际缺陷计数差异。

24.根据权利要求18所述的系统,其中所述受关注缺陷的所述晶片标志是通过针对每一受关注缺陷类型基于次级阈值来以低杂质创建分仓而产生的。

25.一种用于对晶片进行动态检验的方法,其包括:

26.根据权利要求25所述的方法,其中所述方法进一步包括:

27.根据权利要求25所述的方法,其中所述方法进一步包括:

28.根据权利要求25所述的方法,其中所述方法进一步包括:

29.根据权利要求25所述的方法,其中所述方法进一步包括:

30.根据权利要求29所述的方法,其中所述动态检验被调谐到相同操作点以将受关注缺陷的所述估计数目生成为反映不同晶片之间的实际缺陷计数差异。

31.根据权利要求25所述的方法,其中所述受关注缺陷的所述晶片标志是通过针对每一受关注缺陷类型基于次级阈值来以低杂质创建分仓而产生的。