一种掩膜版清洗机腔体的清洁方法与流程

本发明涉及半导体清洗设备维护，特别涉及一种掩膜版清洗机腔体的清洁方法。

背景技术：

1、在半导体光刻工艺中，掩膜版作为图形转移的关键载体，其表面洁净度直接影响曝光质量和产品良率。掩膜版在流片过程中需定期通过清洗设备进行清洗，而清洗设备腔体自身的洁净度是保证掩膜版清洗效果的前提。

2、对于长期服役的掩膜版清洗设备，尤其是运行年限超过十五年的老旧机台，其腔体内壁常年受到强硫酸、强碱等高温化学试剂的冲刷与浸泡，壁体表面材料强度显著降低。在微观尺度观察下，腔体内表面已被侵蚀得凹凸不平，形成大量微小凹坑与缝隙。

3、这种粗糙化的腔体表面极易积聚化学结晶生成物和有机残留物。当前，业界常规的腔体清洁方式为使用无尘布配合水进行擦拭。然而，该方法对上述顽固附着物的清除效果极为有限。一方面，老旧腔体表面的微观凹陷使得结晶物和有机残留物嵌入其中，常规擦拭方式难以有效触及和清除这些凹陷区域的附着物；另一方面，擦拭过程中，无尘布会带动脱落的结晶颗粒在粗糙的腔体表面移动，对已脆弱的表面造成二次划伤，进一步加剧表面粗糙度。

4、腔体表面粗糙度的增加与清洁效果的不足相互叠加，形成恶性循环，使得腔体内污染物更易积聚，最终在清洗过程中脱落并沾染到掩膜版表面，导致掩膜版需要返工重洗，严重时甚至产生雾状缺陷，危及客户产品良率。

5、因此，亟需一种能够有效去除老旧清洗机腔体内化学结晶物和有机残留物，且不会造成腔体表面二次损伤的清洁方法。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种掩膜版清洗机腔体的清洁方法，用于解决现有技术中老旧清洗机腔体因内表面侵蚀粗糙而导致结晶物和有机残留物难以有效清除、常规擦拭方法易造成腔体表面二次划伤、以及清洁不彻底导致掩膜版污染的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本申请提供一种掩膜版清洗机腔体的清洁方法，包括以下步骤：

3、依次使用不同温度的热水对腔体进行多阶段冲刷和擦拭，以去除结晶物；

4、使用有机溶剂浸湿的柔性擦拭件对腔体进行擦拭，以去除有机残留物。

5、优选地，所述不同温度的热水至少包括第一温度的热水和第二温度的热水，所述第一温度高于所述第二温度；

6、所述多阶段冲刷和擦拭包括：

7、先使用所述第一温度的热水对腔体进行多次喷射冲刷；

8、再使用所述第二温度的热水，在喷射冲刷的同时用柔性擦拭件进行擦拭；

9、最后用被所述第二温度的热水浸湿的擦拭材料擦拭腔体角落。

10、优选地，使用所述第一温度的热水进行多次喷射冲刷的步骤至少进行三次，每次冲刷持续至少5分钟，且每次冲刷后通过强光手电照射观察确认结晶减少情况，以腔体空旷区域结晶消失为终点。

11、优选地，所述第一温度介于45℃～55℃，所述第二温度介于35℃～45℃。

12、优选地，所述第一温度为50℃，所述第二温度为40℃。

13、优选地，使用有机溶剂浸湿的柔性擦拭件进行擦拭的步骤至少重复三次，并通过强光手电照射观察确认腔体及所用柔性擦拭件无有机物残留，作为清洁终点。

14、优选地，所述有机溶剂为无水异丙醇。

15、优选地，所述柔性擦拭件为无尘布。

16、优选地，所述热水由从清洗机的热水主管道分支出的专用水枪提供，且所述热水的温度通过所述清洗机的机台编程控制。

17、优选地，所述清洁方法还包括：定期使用砂纸对腔体进行打磨抛光。

18、优选地，所述结晶物为铵盐类结晶。

19、如上所述，本申请提供的掩膜版清洗机腔体的清洁方法，具有以下有益效果：

20、本申请提供的掩膜版清洗机腔体的清洁方法，针对老旧清洗机腔体因内表面侵蚀粗糙导致结晶物和有机残留物难以清除的问题，通过依次使用不同温度的热水对腔体进行多阶段冲刷和擦拭，有效去除了嵌入微观凹陷中的顽固结晶物；针对常规擦拭方式易造成腔体表面二次划伤的问题，通过使用有机溶剂浸湿的柔性擦拭件进行擦拭，在彻底清除有机残留物的同时避免了擦拭动作对已脆弱腔体表面的损伤；最终解决了因腔体清洁不彻底导致的掩膜版污染问题，提升了掩膜版清洗成功率和机台有效利用率。

1.一种掩膜版清洗机腔体的清洁方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述不同温度的热水至少包括第一温度的热水和第二温度的热水，所述第一温度高于所述第二温度；

3.根据权利要求2所述的清洁方法，其特征在于，使用所述第一温度的热水进行多次喷射冲刷的步骤至少进行三次，每次冲刷持续至少5分钟，且每次冲刷后通过强光手电照射观察确认结晶减少情况，以腔体空旷区域结晶消失为终点。

4.根据权利要求2或3所述的清洁方法，其特征在于，所述第一温度介于45℃～55℃，所述第二温度介于35℃～45℃。

5.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，使用有机溶剂浸湿的柔性擦拭件进行擦拭的步骤至少重复三次，并通过强光手电照射观察确认腔体及所用柔性擦拭件无有机物残留，作为清洁终点。

6.根据权利要求1或5所述的清洁方法，其特征在于，所述有机溶剂为无水异丙醇。

7.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述柔性擦拭件为无尘布。

8.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述热水由从清洗机的热水主管道分支出的专用水枪提供，且所述热水的温度通过所述清洗机的机台编程控制。

9.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，还包括：定期使用砂纸对腔体进行打磨抛光。

10.根据权利要求1～9任一项所述的清洁方法，其特征在于，所述结晶物为铵盐类结晶。