芯片封装载板、其制备方法及芯片封装结构与流程

本技术涉及半导体封装，尤其涉及一种芯片封装载板、其制备方法及芯片封装结构。

背景技术：

1、玻璃基芯片封装载板作为下一代封装载板有力竞争者，应用范围越来越广。但在产业化落地进程中，玻璃通孔的金属化填孔环节始终是行业公认的技术瓶颈，特别是高纵横比玻璃通孔设计，玻璃通孔填孔难度大，良率低。

技术实现思路

1、本技术实施例提供一种芯片封装载板、其制备方法及芯片封装结构，旨在提升高纵横比的通孔填孔质量，以提升产品制造良率。

2、第一方面，本技术一些实施例提供了一种芯片封装载板，芯片封装载板包括玻璃转接板、第一导电柱、第二导电柱、第一电路结构和第二电路结构。

3、玻璃转接板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，玻璃转接板于第一表面开设有多个第一开孔，玻璃转接板于第二表面开设有多个第二开孔。

4、第一导电柱位于第一开孔内，第二导电柱位于第二开孔内。

5、第一电路结构位于玻璃转接板的对应第一表面的一侧，第二电路结构位于玻璃转接板的对应第二表面的一侧。

6、其中，第一开孔在第一表面的正投影为第一投影，第二开孔在第一表面的正投影为第二投影，第一投影至少部分位于第二投影外，第二投影至少部分位于第一投影外，所第一开孔的深度与第二开孔的深度均小于玻璃转接板的厚度，第一开孔的底部与第二开孔的底部连通，第一导电柱的靠近第二表面的一端与第二导电柱靠近第一表面的一端电连接，第一导电柱与第一电路结构电连接，第二导电柱与对应的第二电路结构电连接。

7、在一些实施例中，第二开孔的深度与第一开孔的深度的和大于玻璃转接板的厚度，第二开孔的深度与第一开孔的深度的和与玻璃转接板的厚度的差值为第一开孔或第二开孔的横向尺寸的15%-120%。

8、优选地，第二开孔的深度与第一开孔的深度的和与玻璃转接板的厚度的差值为第一开孔或第二开孔的横向尺寸的50%-80%。

9、优选地，第二开孔的深度与第一开孔的深度的和与玻璃转接板的厚度的差值为2-10微米。

10、在一些实施例中，第二投影的部分位于第一投影内，第一投影和第二投影的重合部分在第一投影的形心与第二投影的形心的连线方向上的尺寸为2-10微米。

11、在一些实施例中，第一开孔的底部与第二开孔的底部不交叠，玻璃转接板上开设有连通孔，第一开孔的底部通过连通孔与第二开孔的底部连通，连通孔内设置有连接部，第一导电柱的靠近第二表面的一端与第二导电柱靠近第一表面的一端通过连接部电连接。

12、优选地，第一开孔的底部在第一表面的正投影为第三投影，第二开孔的底部在第一表面的正投影为第四投影，第三投影位于第一投影内，第四投影位于第二投影内，第一投影与第二投影部分重合，第三投影与第四投影不重合。

13、优选地，连接部的垂直于第三投影的形心与第四投影的形心之间连线的截面的面积，大于等于第四投影的面积35%而小于等于第四投影的面积。

14、优选地，连接部在第三投影的形心与第四投影的形心之间连线方向上的最小尺寸为0-2微米。

15、在一些实施例中，第二投影的面积小于第一投影的面积，第二开孔的深度小于第一开孔的深度。

16、优选地，第一投影和第二投影的重合部分的面积与第二投影的面积的比值的取值范围为35%-100%。

17、第二方面，本技术一些实施例提供了一种芯片封装载板的制备方法，芯片封装载板的制备方法包括：

18、在玻璃转接板于第一表面开设多个第一开孔，在玻璃转接板于第二表面开设多个第二开孔，所第一开孔的深度与第二开孔的深度均小于玻璃转接板的厚度，第一开孔的底部与第二开孔的底部连通，第一开孔在第一表面的正投影为第一投影，第二开孔在第一表面的正投影为第二投影，第一投影至少部分位于第二投影外，第二投影至少部分位于第一投影外；

19、形成位于第一开孔内的第一导电柱和位于第二开孔内的第二导电柱；

20、在玻璃转接板的一侧形成第一电路结构；以及

21、在玻璃转接板的远离第一电路结构的一侧形成第二电路结构。

22、在一些实施例中，包括采用激光聚焦点照射玻璃转接板的对应于第一开孔的底部与第二开孔的底部之间的部分结构，使照射到部分结构的材料改性，在形成第一开孔和/或第二开孔后采用刻蚀液去除改性部分材料得到连通孔。

23、优选地，在玻璃转接板于第一表面开设多个第一开孔，在玻璃转接板于第二表面开设多个第二开孔包括：采用脉冲激光聚焦点照射玻璃转接板的对应于第一开孔的部分结构和对应于第二开孔的部分结构，使照射到部分结构的材料改性，在同一阶段进行采用脉冲激光聚焦点照射玻璃转接板的对应于第一开孔的底部与第二开孔的底部之间的对应于连通孔的部分结构；采用刻蚀液去除改性部分材料，得到第一开孔和第二开孔的同一阶段，进行采用刻蚀液去除改性部分材料，得到连通孔。

24、在一些实施例中，电镀形成位于第一开孔内的第一导电柱和位于第二开孔内的第二导电柱，包括：

25、利用脉冲电流进行电镀，在第一开孔与第二开孔中间的连通部位形成可将第一开孔和第二开孔分隔为两个盲孔的分隔结构；

26、利用直流电流电镀以填充两个盲孔，得到第一导电柱和第二导电柱。

27、优选地，将第一开孔和第二开孔分隔为两个盲孔的分隔结构包括填充于连通孔内的连接部。

28、在一些实施例中，电镀形成位于第一开孔内的第一导电柱和位于第二开孔内的第二导电柱，包括：

29、在第一开孔内填充牺牲材料，使第二开孔形成为盲孔，电镀形成封闭第二开孔底部的第二导电柱的至少部分结构；

30、去除第一开孔内的牺牲材料，电镀形成第一导电柱。

31、优选地，第二投影的面积小于第一投影的面积，第二开孔的深度小于第一开孔的深度。

32、第三方面，本技术一些实施例提供了一种芯片封装结构，芯片封装结构包括芯片封装载板和芯片，芯片封装载板为上述的芯片封装载板，或者为根据上述方法制备的芯片封装载板。

33、优选地，芯片封装载板包括第一开孔和第二开孔，第二开孔在第一表面的正投影的面积小于第一开孔在第一表面的正投影的面积，芯片设置于芯片封装载板对应于第二开孔的一侧。

34、本技术实施例所提供的芯片封装载板、其制备方法及芯片封装结构，通过玻璃转接板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，玻璃转接板于第一表面开设有多个第一开孔，玻璃转接板于第二表面开设有多个第二开孔。第一开孔在第一表面的正投影为第一投影，第二开孔在第一表面的正投影为第二投影，第一投影至少部分位于第二投影外，第二投影至少部分位于第一投影外，所第一开孔的深度与第二开孔的深度均小于玻璃转接板的厚度，第一开孔的底部与第二开孔的底部连通，由此可将玻璃转接板上尺寸纵横比大的没有底壁的通孔结构改变为两个“尺寸纵横比较小且具有部分底壁的部分盲孔”结构，如此，在填孔过程中可以提升效率，而且可以有效避免出现填充空洞等问题，从而可较好实现通孔内部的致密填充，提升整体生产良率，能够适应向高密度封装对tgv技术的需求。